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기판 상에 위치하는 게이트, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;상기 소오스 또는 상기 드레인 전극에 연결된 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하되,상기 소오스 및 상기 드레인 전극은 제1층, 제2층 및 제3층을 포함하고,상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 제3층의 테이퍼 각이 서로 다르며,상기 제1전극은 금속층 및 도전층을 포함하되,상기 제2층은 상기 제1층과 상기 제3층에 의해 밀봉되고,상기 제1층과 상기 제2층의 두께의 비는 1 : 2
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기판 상에 위치하는 게이트, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;상기 소오스 또는 상기 드레인 전극에 연결된 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하되,상기 소오스 및 상기 드레인 전극은 제1층, 제2층 및 제3층을 포함하고,상기 제1층, 상기 제2층 및 상기 제3층의 테이퍼 각이 서로 다르며,상기 제1전극은 제1도전층, 금속층 및 제2도전층을 포함하되,상기 제2층은 상기 제1층과 상기 제3층에 의해 밀봉되고,상기 제1층과 상기 제2층의 두께의 비는 1 : 2
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제1항에 있어서,상기 금속층의 테이퍼 각은 35˚ ~ 70˚인 유기전계발광표시장치
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4 |
4
제1항에 있어서,상기 도전층의 테이퍼 각은 70˚ ~ 90˚인 유기전계발광표시장치
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5
제2항에 있어서,상기 제1도전층의 테이퍼 각은 50˚ ~ 90˚인 유기전계발광표시장치
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6
제2항에 있어서,상기 금속층의 테이퍼 각은 35˚ ~ 70˚인 유기전계발광표시장치
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7 |
7
제2항에 있어서,상기 제2도전층의 테이퍼 각은 70˚ ~ 90˚인 유기전계발광표시장치
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8 |
8
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1층의 테이퍼 각은 30 ˚ ~ 50 ˚인 유기전계발광표시장치
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9 |
9
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제1층 상에 위치하는 상기 제2층의 데이퍼 각은 50 ˚ ~ 70 ˚인 유기전계발광표시장치
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10 |
10
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 제2층 상에 위치하는 상기 제3층의 테이퍼 각은 70 ˚ ~ 90 ˚인 유기전계발광표시장치
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