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상부 일측면의 가장자리가 제거된 단차 형태의 그루브 라인이 형성된 질화물 기판과; 상기 질화물 기판 상부에 형성되며, 레이저가 방출하는 반도체 레이저 다이오드 구조물을 포함하여 구성되고, 상기 그루브 라인들에서 질화물 반도체는 3차원 성장 모드로 성장되고,상기 그루브 라인들이 형성되어 있지 않은 질화물 반도체는 2차원 성장 모드로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 그루브 라인 표면에는,상기 반도체 레이저 다이오드 구조물을 형성하기 위한, 이종 결정핵생성(Heterogenious nucleation)을 촉진시킬 수 있는 시드(Seed)층이 더 형성되어 있고,상기 시드층 상부에 반도체 레이저 다이오드 구조물이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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청구항 2에 있어서, 상기 시드층은,산화물, 질화물과 금속 중 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 그루브 라인 표면에는, 미세 돌기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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청구항 1에 있어서, 상기 그루브 라인들의 표면 거칠기는, 10 ~ 1000Å인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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청구항 1 내지 5 중 한 항에 있어서, 상기 그루브 라인은,레이저가 방출하는 면과 수직하게 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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7
청구항 1 내지 5 중 한 항에 있어서, 상기 질화물 기판에는, 상부 타측면의 가장자리가 제거된 단차 형태의 다른 그루브 라인이 더 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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청구항 1 내지 5 중 한 항에 있어서, 상기 그루브 라인들 각각은 연속적으로 이어진 스트라이프 형상으로 형성되어 있거나, 또는 복수개의 그루브들이 배열된 형상으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드
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10
질화물 기판 상부에 복수개의 그루브(Groove) 라인들을 형성하는 단계와;상기 질화물 기판 상부에 질화물 반도체를 성장시켜 반도체 레이저 다이오드 구조물을 성장시키는 단계와;상기 그루브 라인들에서 성장된 질화물 반도체 에피층 내부를 다이싱(Dicing)하는 과정을 포함하여 개별 반도체 레이저 다이오드 칩으로 분리하는 단계로 구성되며, 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물을 성장시키는 단계에서 상기 그루브 라인들에서 질화물 반도체는 3차원 성장 모드로 성장되고, 상기 그루브 라인들이 형성되어 있지 않은 질화물 기판 표면에서 질화물 반도체는 2차원 성장 모드로 성장되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 질화물 기판 상부에 복수개의 그루브(Groove) 라인들을 형성하는 단계와 개별 반도체 레이저 다이오드 칩으로 분리하는 단계 사이에, 상기 그루브 라인들 표면에 산화물, 질화물과 금속 중 하나로 이루어진 시드층을 형성하는 단계가 더 구비된 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 그루브 라인의 단면 형상은,원호 모양, 삼각형, 사각형과 하부가 좁고 상부가 넓은 사각형 중 하나인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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청구항 10에 있어서, 상기 그루브 라인들의 깊이는 1~10㎛이고, 폭은 1~100㎛인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
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