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1B-3A-6A족 화합물 코팅층의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015050556
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요약 본 발명은 전구체 입자를 분산매에 분산시킨 페이스트를 기재 상에 코팅('전구체 코팅층')한 후 열처리하는 과정을 포함하는 1B-3A-6A족 화합물 코팅층의 제조방법으로서, 상기 전구체 입자는 1B족 원소, 3A족 원소 및 6A족 원소를 포함하는 각각의 단일 입자 또는 2 종류 이상의 혼합 입자들로 이루어져 있고, 상기 열처리 과정 전에 코팅층 위에 6A족 원소의 손실 방지막을 부가하는 것으로 구성되어 있다. 따라서, 열처리 등의 가열에 의해 기체가 되기 쉬운 6A족 원소의 유실율을 현저하게 낮추고, 충분한 양의 원소를 공급할 수 있는 바, 과량의 6A족 원소를 사용하여 이루어지던 종래의 제조방법에 비해 비용을 효과적으로 절감할 수 있고, 금속 산화물 등의 불필요한 부산물 생성을 최소화하여 우수한 결정성을 지닌 1B-3A-6A족 화합물을 얻을 수 있다.
Int. CL C09D 7/12 (2006.01) B82Y 30/00 (2011.01) C09D 1/00 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01)
CPC C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01) C09D 1/00(2013.01)
출원번호/일자 1020070130553 (2007.12.14)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1062016-0000 (2011.08.29)
공개번호/일자 10-2009-0063283 (2009.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20110905) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.02.24)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤석희 대한민국 대전광역시 유성구
2 이경수 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손창규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** *동 ****호(역삼동, 성지하이츠*차빌딩)(글로벌혜성특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0898734-00
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.02.24 수리 (Accepted) 1-1-2009-0114205-62
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2010-0007531-21
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0510970-10
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.01.05 수리 (Accepted) 1-1-2011-0006947-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.01.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0006962-09
8 등록결정서
Decision to grant
2011.07.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0410112-85
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전구체 입자를 분산매에 분산시켜 페이스트를 제조하여 기재 상에 코팅('전구체 코팅층')한 후 열처리하는 과정을 포함하는 1B-3A-6A족 화합물 코팅층의 제조방법으로서, 상기 전구체 입자는 3A족 원소, 1B족 원소 및 6A족 원소를 포함하는 1 종류 또는 2 종류 이상의 입자들로 이루어져 있고, 상기 열처리 과정 전에 코팅층 위에 6A족 원소의 손실을 방지하기 위한 막('손실 방지막')을 부가하는 것을 특징으로 하는 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 1B 족 원소는 구리(Cu)이고, 3A족 원소는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)이며, 상기 6A족 원소는 셀레늄(Se)으로서, 상기 1B-3A-6A족 화합물은 CI(G)S계 화합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 전구체 입자는 3A-6A족 원소를 포함하는 입자와 1B-6A족 원소를 포함하는 입자의 혼합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
제 3 항에 있어서, 상기 3A-6A족 원소를 포함하는 입자는 구리 셀레나이드이고, 상기 1B-6A족 원소를 포함하는 입자는 인듐 셀레나이드인 것을 특징으로 하는 제조방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전구체 입자는 구리 셀레나이드, 인듐 셀레나이드, 또는 갈륨 셀레나이드 중 어느 하나와의 반응물 입자를 시드(seed)로 사용하고 상기 시드 반응물의 표면에 나머지 반응물이 적어도 일부에서 접촉되도록 형성된 반응물 혼합체인 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 반응물 혼합체는 시드 반응물이 나머지 반응물에 의해 도포된 형태의 코어-셀(core-shell) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 제조방법
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 반응물 혼합체는 시드 반응물의 표면에 나머지 반응물이 부분적으로 성장되어 있는 수지상(dendrite) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 전구체 입자는 수 내지 수백 nm의 나노입자인 것을 특징으로 하는 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 손실 방지막의 부가는 상기 코팅층 상에 유기 또는 무기 화합물의 독립 부재를 부가함으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 독립 부재는 유기 또는 무기 화합물 필름인 것을 특징으로 하는 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 유기 화합물 필름은 우수한 내열성을 갖는 것으로서, 폴리아미드(polyamide), 폴리이미드(polyimide; PI), 폴리에테르 술폰(polyether sulfon; PES), 폴리에테르 이미드(polyether imide; PEI), 폴리술폰(polysulfon; PS), 폴리아미드 이미드(polyamide imide; PAI), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide; PPS), 및 폴리에테르 에테르케톤(polyether ether ketone; PEEK)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법
12 12
삭제
13 13
제 10 항에 있어서, 상기 무기 화합물 필름은 유리 기판, 알루미늄, 철, 니켈, 텅스텐, 구리, 은, 몰리브덴, 및 티타늄으로 이루어진 군에서 선택된 하나 또는 둘 이상의 금속으로 이루어진 금속 기판, 이들의 다층 기판 또는 복합층 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 제조방법
14 14
제 10 항에 있어서, 상기 유기 또는 무기 화합물 필름을 열처리 단계 후 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 제조방법
15 15
제 1 항에 있어서, 상기 손실 방지막의 부가는 상기 전구체 코팅층 상에 박막의 형태로 코팅('손실 방지 코팅층')하여 달성되는 것을 특징으로 하는 제조방법
16 16
제 15 항에 있어서, 상기 손실 방지 코팅층의 재료는 유기 화합물 및 무기 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 제조방법
17 17
제 15 항에 있어서, 상기 손실 방지 코팅층을 열처리 후 제거하기 위한 엣칭(etching) 단계를 추가로 포함하거나, 또는 상기 손실 방지 코팅층은 전구체 코팅층의 열처리시 열분해 되는 것을 특징으로 하는 제조방법
18 18
제 1 항에 있어서, 상기 열처리 과정은 400 ~ 600℃에서 1 ~ 30 분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 제조방법
19 19
제 1 항에 따른 방법으로 제조된 CI(G)S계 화합물 코팅층을 흡수층으로 포함하는 태양전지 셀
20 20
제 19 항에 따른 다수의 태양전지 셀을 포함하는 것으로 구성된 태양전지 모듈
21 21
전구체 입자를 분산매에 분산시켜 페이스트를 제조하여 기재 상에 코팅한 후 열처리하는 과정을 포함하는 1B-3A-6A족 화합물 코팅층의 제조 과정에서 발생되는 6A족 원소의 손실을 최소화하기 위해 상기 1B-3A-6A족 화합물 코팅층 상에 부가되는 손실 방지 필름
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.