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탠덤 구조 ＣＩＧＳ 태양전지 및 그 제조방법

기술번호 : KST2015050563
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	탠덤(tandem) 구조 CIGS 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 탠덤 구조 CIGS 태양전지는 두 셀 사이에 금속 나노입자 층이 형성되며, 이에 따라 셀 경계면의 에너지 전자 및 홀(hole)의 운동성이 향상되어 그 효율이 극대화된다.본 발명은의 탠덤 구조 CIGS 태양전지는, 하부 CIGS 태양전지 셀과 상부 CIGS 태양전지 셀이 차례로 적층되어 형성되고, 상기 하부 CIGS 태양전지 셀과 상부 CIGS 태양전지 셀의 경계면에 금속 나노입자로 구성되는 나노입자 층을 포함하는 것을 특징으로 한다. CIGS 태양전지, 탠덤 구조, 나노입자, 에너지 밴드, 에너지 장벽
Int. CL	H01L 31/047 (2014.01) H01L 31/0725 (2012.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC	H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01)
출원번호/일자	1020070133436 (2007.12.18)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1412150-0000 (2014.06.19)
공개번호/일자	10-2009-0065894 (2009.06.23) 문서열기
공고번호/일자	(20140626) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.11.29)
심사청구항수	14

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김호경	대한민국	경기도 안양시 동안구
2	최영호	대한민국	경기도 하남시 신평로 **
3	최용우	대한민국	경기도 성남시 분당구
4	이영희	대한민국	서울특별시 강동구
5	김형석	대한민국	서울특별시 영등포구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박병창	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2007-0910881-86
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2010.04.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0219335-97
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0991456-89
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0846886-11
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0085821-69
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0085817-86
10	등록결정서 Decision to grant	2014.06.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0391832-52
11	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
12	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 하부 CIGS 태양전지 셀과 상부 CIGS 태양전지 셀이 차례로 적층되어 형성되는 탠덤(tandem) 구조 CIGS 태양전지에 있어서,상기 하부 CIGS 태양전지 셀과 상부 CIGS 태양전지 셀의 경계면에 금속 나노입자로 구성되는 나노입자 층을 포함하고, 상기 상부 및 상기 하부 CIGS 태양전지 셀은 각각 CISG 막, 버퍼층, 및 산화아연(ZnO) 막을 포함하고, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀 중 하나의 상기 CIGS 막과 다른 하나의 상기 산화아연 막이 서로 가까이 위치하고, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀 중 하나의 상기 CIGS 막과 다른 하나의 상기 산화아연 막 사이의 상기 나노입자 층이 형성되며, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀 중 하나의 상기 CIGS 막은 상기 나노 입자와 인접한 부분에 p형을 가지는 구리층이 형성된 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지
2	2 제1항에 있어서, 상기 나노입자 층에 포함되는 상기 금속 나노입자의 재질은 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni) 중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지
3	3 제1항에 있어서, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀은 각각 상기 CIGS 막, 상기 버퍼층, 및 상기 산화아연(ZnO) 막이 차례로 적층되는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지
4	4 제3항에 있어서, 상기 상부 CIGS 태양전지 셀에 포함되는 상기 CIGS 막은 상기 하부 CIGS 태양전지 셀에 포함되는 상기 CIGS 막보다 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지
5	5 제1항에 있어서, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀은 각각 상기 산화아연(ZnO) 막, 상기 버퍼층, 및 상기 CIGS 막이 차례로 적층되는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지
6	6 제5항에 있어서, 상기 하부 CIGS 태양전지 셀에 포함되는 상기 CIGS 막은 상부 CIGS 태양전지 셀에 포함되는 상기 CIGS 막보다 큰 에너지 밴드 갭을 갖는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지
7	7 제3항 또는 제5항에 있어서, 상기 버퍼층은, 황화카드뮴(CdS) 막, 황화아연(ZnS) 막, 산화인듐(In2O3) 막 중 하나인 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지
8	8 하부 CIGS 태양전지 셀과 상부 CIGS 태양전지 셀이 차례로 적층되어 형성되는 탠덤(tandem) 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법에 있어서, 상기 하부 CIGS 태양전지 셀을 적층하는 단계;상기 하부 CIGS 태양전지 셀 상에 금속 나노입자로 구성되는 나노입자 층을 형성하는 단계; 및상기 나노입자 층 상에 상기 상부 CIGS 태양전지 셀을 적층하는 단계를 포함하고, 상기 상부 및 상기 하부 CIGS 태양전지 셀은 각각 CISG 막, 버퍼층, 및 산화아연(ZnO) 막을 포함하고, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀 중 하나의 상기 CIGS 막과 다른 하나의 상기 산화아연 막이 서로 가까이 위치하고, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀 중 하나의 상기 CIGS 막과 다른 하나의 상기 산화아연 막 사이의 상기 나노입자 층이 형성되며, 상기 상부 및 하부 CIGS 태양전지 셀 중 하나의 상기 CIGS 막은 상기 나노 입자와 인접한 부분에 p형을 가지는 구리층이 형성된 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법
9	9 제8항에 있어서, 상기 나노입자 층에 포함되는 상기 금속 나노입자의 재질은 금(Au), 은(Ag), 니켈(Ni) 중 적어도 하나 이상인 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법
10	10 제8항에 있어서, 상기 나노입자 층을 형성하는 단계는, 상기 금속 나노입자가 포함된 콜로이드 용액을 도포하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법
11	11 제8항에 있어서, 상기 나노입자 층을 형성하는 단계는, 금속 박막을 증착하는 단계; 및 상기 금속 박막을 열처리하여 상기 금속 나노입자를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법
12	12 제8항에 있어서, 상기 하부 CIGS 태양전지 셀을 적층하는 단계 및 상기 상부 CIGS 태양전지 셀을 적층하는 단계는 각기, 상기 CIGS 막, 상기 버퍼층, 및 상기 산화아연(ZnO) 막을 차례로 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법
13	13 제8항에 있어서, 상기 하부 CIGS 태양전지 셀을 적층하는 단계 및 상기 상부 CIGS 태양전지 셀을 적층하는 단계는 각기, 상기 산화아연(ZnO) 막, 상기 버퍼층, 및 상기 CIGS 막을 차례로 적층하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법
14	14 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 버퍼층은, 황화카드뮴(CdS) 막, 황화아연(ZnS) 막, 산화인듐(In2O3) 막 중 하나인 것을 특징으로 하는 탠덤 구조 CIGS 태양전지의 제조 방법

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특허 등록번호	10-1412150-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071218 출원 번호 : 1020070133436 공고 연월일 : 20140626 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140608 청구범위의 항수 : 14 유별 : H01L 31/047 발명의 명칭 : 탠덤 구조 ＣＩＧＳ 태양전지 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20170620

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	591,000 원	2014년 06월 19일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.12.18	수리 (Accepted)	1-1-2007-0910881-86
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2010.04.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0219335-97
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0991456-89
7	의견제출통지서	2013.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0846886-11
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0085821-69
9	[명세서등 보정]보정서	2014.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0085817-86
10	등록결정서	2014.06.08	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0391832-52
11	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
12	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015050563
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	탠덤 구조 ＣＩＧＳ 태양전지 및 그 제조방법
기술개요	탠덤(tandem) 구조 CIGS 태양전지 및 그 제조방법이 개시된다. 본 발명의 탠덤 구조 CIGS 태양전지는 두 셀 사이에 금속 나노입자 층이 형성되며, 이에 따라 셀 경계면의 에너지 전자 및 홀(hole)의 운동성이 향상되어 그 효율이 극대화된다.본 발명은의 탠덤 구조 CIGS 태양전지는, 하부 CIGS 태양전지 셀과 상부 CIGS 태양전지 셀이 차례로 적층되어 형성되고, 상기 하부 CIGS 태양전지 셀과 상부 CIGS 태양전지 셀의 경계면에 금속 나노입자로 구성되는 나노입자 층을 포함하는 것을 특징으로 한다. CIGS 태양전지, 탠덤 구조, 나노입자, 에너지 밴드, 에너지 장벽
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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