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1B-3A-6A족 화합물 코팅층의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015050573
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요약 본 발명은 기재 상에 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 코팅층을 형성한 후, 그 위에 1B-6A족 원소를 포함하는 화합물 코팅층을 형성하고 열처리 하는 과정을 거쳐 1B-3A-6A족 화합물 코팅층을 제조하는 방법에 있어서, 상기 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 입자의 표면에는, 금속 양이온 또는 1B족 원소를 포함하는 화합물이 부가되어 있는 것을 특징으로 하는 1B-3A-6A족 화합물 코팅층의 제조방법으로 구성되어 있다. 따라서, 1B-3A-6A족 화합물 코팅층 제조시 수반되는 열처리 과정에서, 3A족 원소의 산화로 인해 불필요한 금속 산화물이 생성되는 것을 방지할 수 있으며, 우수한 결정성을 지닌 1B-3A-6A족 화합물 입자를 포함하는 화합물 코팅층을 제조할 수 있다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01) H01L 31/0322(2013.01)
출원번호/일자 1020070130554 (2007.12.14)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1080122-0000 (2011.10.31)
공개번호/일자 10-2009-0063284 (2009.06.18) 문서열기
공고번호/일자 (20111104) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.03.03)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤태훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 이경수 대한민국 대전광역시 서구
3 윤석현 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 손창규 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *** *동 ****호(역삼동, 성지하이츠*차빌딩)(글로벌혜성특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.14 수리 (Accepted) 1-1-2007-0898736-91
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.03.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0128910-15
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.10.19 수리 (Accepted) 9-1-2010-0065421-56
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0525165-12
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0035914-97
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.02.10 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0095634-03
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0114688-48
9 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2011.02.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0015206-15
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0172187-24
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.03.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0172189-15
12 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2011.03.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0025942-79
13 등록결정서
Decision to grant
2011.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0483042-76
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
16 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2018.10.01 수리 (Accepted) 1-1-2018-0964829-01
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
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번호 청구항
1 1
기재 상에 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 코팅층을 형성한 후, 그 위에 1B-6A족 원소를 포함하는 화합물 코팅층을 형성하고 열처리 하는 과정을 거쳐 1B-3A-6A족 화합물 코팅층을 제조하는 방법에 있어서, 상기 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 입자의 표면에는 금속 양이온 또는 1B족 원소를 포함하는 화합물이 부가되어 있으며, 상기 금속 양이온의 부가는 용매 중에서 금속 염을 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물과 반응시킴으로써 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물의 표면에 금속 양이온이 적어도 일부에서 부착됨으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 1B-3A-6A족 화합물 코팅층의 제조방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 1B족 원소는 구리(Cu)이고, 3A족 원소는 인듐(In) 또는 갈륨(Ga)이며, 상기 6A족 원소는 셀레늄(Se) 또는 황(S)으로서, 상기 1B-3A-6A족 화합물은 CI(G)S계 화합물 또는 황이 도핑된 CI(G)S계 화합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 1B-6A족 원소를 포함하는 화합물은 구리 셀레나이드이고, 상기 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물은 인듐 셀레나이드인 것을 특징으로 하는 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 금속 양이온은 구리 이온(Cu2+)인 것을 특징으로 하는 제조방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 1B족 원소를 포함하는 화합물은 1B-6A족 원소를 포함하는 화합물인 것을 특징으로 하는 제조방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 1B-6A족 원소를 포함하는 화합물은 구리 셀레나이드인 것을 특징으로 하는 제조방법
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 구리 셀레나이드의 부가는 구리염을 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물과 반응시켜 구리 이온 코팅층을 형성한 후, 셀레늄 전구체를 반응시킴으로써 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물의 표면의 적어도 일부에 구리 셀레나이드가 부착됨으로써 달성되는 것을 특징으로 하는 제조방법
9 9
제 1 항에 있어서, 상기 1B족 원소를 포함하는 화합물이 부가된 형태는, 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 입자의 표면에 부분적으로 성장되어 있는 수지상(dendrite) 구조인 것을 특징으로 하는 제조방법
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 금속 양이온 또는 1B족 원소를 포함하는 화합물이 부가된 형태는, 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 입자의 표면에 금속 양이온 또는 1B족 원소를 포함하는 화합물의 코팅층이 형성되어 코어-셀(core-shell) 구조인 것을 특징으로 하는 제조방법
11 11
제 10 항에 있어서, 상기 금속 양이온 또는 1B족 원소를 포함하는 화합물의 코팅층은 단일층인 것을 특징으로 하는 제조방법
12 12
입자 표면에 구리 이온 또는 구리 셀레나이드 화합물이 단일 코팅층으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 입자
13 13
삭제
14 14
제 12 항에 있어서, 상기 3A-6A족 원소를 포함하는 화합물 입자는 인듐 셀레나이드인 것을 특징으로 하는 화합물 입자
15 15
삭제
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.