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제 1 기판을 제공하는 단계;제 1 마스크공정을 통해 상기 제 1 기판의 일부 영역을 식각하여 음각패턴을 형성한 다음, 상기 제 1 기판의 음각패턴 내부에 상기 제 1 기판의 표면에 대해 단차를 가지지 않도록 블랙매트릭스를 형성하는 단계;상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 제 1 절연막을 형성하는 단계;제 2 마스크공정을 통해 상기 제 1 절연막이 형성된 제 1 기판 위에 화소전극을 형성하는 한편, 상기 제 1 절연막이 형성된 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 소오스/드레인전극과 데이터라인을 형성하는 단계;제 3 마스크공정을 통해 상기 화소전극과 소오스/드레인전극 및 데이터라인 이 형성된 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 액티브패턴을 형성하는 한편, 상기 액티브패턴이 형성된 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 제 2 절연막이 개재된 상태에서 게이트전극을 형성하는 단계;상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 블랙매트릭스 상부에 위치하며, 상기 데이터라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트라인을 형성하는 단계; 및상기 제 1 기판과 제 2 기판을 합착하는 단계를 포함하며,상기 블랙매트릭스는 박막 트랜지스터영역과 데이터 배선 및 게이트 배선 하부에 위치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 마스크공정은상기 제 1 기판 위에 제 1 마스크패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 마스크패턴을 마스크로 상기 제 1 기판의 일부 영역을 식각하여 상기 게이트 배선과 데이터 배선 및 박막 트랜지스터영역에 음각패턴을 형성하는 단계;상기 음각패턴이 형성된 제 1 기판 전면에 제 1 도전막을 형성하는 단계; 및상기 제 1 마스크패턴과 제 1 도전막을 선택적으로 제거하여 상기 음각패턴 내부에만 상기 제 1 도전막으로 이루어진 블랙매트릭스를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 기판은 불소를 이용하여 식각하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 마스크패턴과 제 1 도전막은 리프트 오프공정을 이용하여 선택적으로 제거하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 2 마스크공정은상기 제 1 절연막이 형성된 제 1 기판 위에 제 2 도전막과 제 3 도전막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계;조사된 광을 모두 투과시키는 제 1 투과영역과 광의 일부만 투과시키고 일부는 차단하는 제 2 투과영역 및 조사된 모든 광을 차단하는 차단영역이 마련된 마스크를 적용하여 상기 n+ 비정질 실리콘 박막이 형성된 제 1 기판 위에 제 1 감광막패턴 내지 제 4 감광막패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막패턴 내지 제 4 감광막패턴을 마스크로 하여 상기 제 2 도전막과 제 3 도전막 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 상기 제 3 도전막으로 이루어진 소오스전극과 데이터라인 및 드레인전극패턴을 형성하며, 상기 드레인전극패턴 하부에 상기 제 2 도전막으로 이루어진 화소전극을 형성하는 단계;애싱공정을 통해 상기 제 4 감광막패턴을 제거하는 동시에 상기 제 1 감광막패턴 내지 제 3 감광막패턴의 일부를 제거하여 제 5 감광막패턴 내지 제 7 감광막패턴을 형성하는 단계; 및상기 제 5 감광막패턴 내지 제 7 감광막패턴을 마스크로 상기 드레인전극패턴 및 n+ 비정질 실리콘 박막을 선택적으로 제거하여 상기 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 상기 제 3 도전막으로 이루어진 드레인전극을 형성하며, 상기 화소영역의 화소전극을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제 2 마스크공정을 통해 상기 소오스전극을 포함하는 데이터라인 및 드레인전극 상부에 상기 n+ 비정질 실리콘 박막으로 이루어진 제 1 오믹-콘택패턴 및 제 2 오믹-콘택패턴을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 6 항에 있어서, 상기 제 3 마스크공정은상기 화소전극과 소오스/드레인전극 및 데이터라인 이 형성된 제 1 기판 위에 비정질 실리콘 박막과 제 2 절연막 및 제 4 도전막을 형성하는 단계; 및상기 비정질 실리콘 박막과 제 2 절연막 및 제 4 도전막을 선택적으로 제거하여 상기 블랙매트릭스 상부에 액티브패턴을 형성하는 한편, 상기 액티브패턴이 형성된 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 상기 제 2 절연막이 개재된 상태에서 게이트전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 3 마스크공정을 통해 상기 제 1, 제 2 오믹-콘택패턴을 선택적으로 제거하여 상기 액티브패턴의 소오스/드레인영역과 소오스/드레인전극 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조방법
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일부 영역이 식각되어 음각패턴을 가지는 제 1 기판;상기 제 1 기판의 음각패턴 내부에 상기 제 1 기판의 표면에 대해 단차를 가지지 않도록 형성되며, 제 1 도전막으로 이루어진 블랙매트릭스;상기 블랙매트릭스가 형성된 제 1 기판 위에 형성된 제 1 절연막;상기 제 1 절연막이 형성된 제 1 기판 위에 형성되며, 제 2 도전막으로 이루어진 화소전극 및 상기 제 1 절연막이 형성된 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 형성되며, 제 3 도전막으로 이루어진 소오스/드레인전극과 데이터라인;상기 화소전극과 소오스/드레인전극 및 데이터라인이 형성된 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 형성된 액티브패턴;상기 액티브패턴이 형성된 제 1 기판의 블랙매트릭스 상부에 형성되며, 제 2 절연막이 개재된 상태에서 제 4 도전막으로 형성된 게이트전극 및 상기 데이터라인과 교차하여 화소영역을 정의하는 게이트라인; 및상기 제 1 기판과 대향하여 합착하는 제 2 기판을 포함하며,상기 블랙매트릭스는 박막 트랜지스터영역과 데이터 배선 및 게이트 배선 하부에 위치하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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삭제
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제 9 항에 있어서, 상기 소오스전극을 포함하는 데이터라인 하부에 형성되며, 상기 제 2 도전막으로 이루어진 도전막패턴을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 9 항에 있어서, 상기 액티브패턴과 소오스/드레인전극 사이에 형성되어 상기 액티브패턴의 소오스/드레인영역과 소오스/드레인전극 사이를 오믹-콘택시키는 오믹-콘택층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 9 항에 있어서, 상기 제 1 도전막은 크롬으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 9 항에 있어서, 상기 제 2 도전막은 인듐-틴-옥사이드 및 인듐-징크-옥사이드의 투명한 도전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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제 9 항에 있어서, 상기 제 3 도전막과 제 4 도전막은 알루미늄, 알루미늄 합금, 텅스텐, 구리, 크롬, 몰리브덴 및 몰리브덴 합금의 저저항 불투명 도전물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액정표시장치
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