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질화물계 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015050699
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, Top-Down 형태의 질화물계 반도체 레이저 다이오드에 있어서, GaN 기판의 N 극성 면(N-Polar Surface)에 요철 구조를 형성하여, 오믹 특성이 나쁜 N 극성 면(N-Polar Surface)의 상대 면적은 줄이면서 전체 표면적을 증가시킬 수 있어, n-전극 형성시 낮은 접촉 저항을 제공할 수 있는 질화물계 반도체 레이저 다이오드 및 그 제조방법이 개시된다.또한, GaN 기판의 하부면에 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정을 수행한 후, 플라즈마 표면 처리를 하여 오믹 특성 및 내열 특성을 향상시킨 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법이 개시된다.반도체 레이저 다이오드, GaN 기판, 오믹, 요철, 극성, 플라즈마 표면 처리
Int. CL H01S 5/02 (2006.01) H01S 5/22 (2006.01)
CPC H01S 5/0268(2013.01) H01S 5/0268(2013.01) H01S 5/0268(2013.01) H01S 5/0268(2013.01)
출원번호/일자 1020070132258 (2007.12.17)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1413910-0000 (2014.06.24)
공개번호/일자 10-2009-0064887 (2009.06.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140630) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.21)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민구 대한민국 서울특별시 서초구
2 이은아 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.17 수리 (Accepted) 1-1-2007-0905461-06
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.06.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0494141-33
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0017933-65
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0582273-29
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0960146-59
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-0960119-26
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.02.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0140352-28
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0364965-46
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0364962-10
14 등록결정서
Decision to grant		 2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0337922-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
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번호 청구항
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GaN 기판 상부에 n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층(Electron Blocking Layer: EBL), p-웨이브 가이드층, p-클래드층, p-컨택트층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 p-컨택트층 및 p-클래드층의 일부를 식각하여 상기 p-클래드층에 돌출된 리지(Ridge)를 형성하는 단계;상기 리지의 측면과 상기 p-클래드층의 상부에 보호막을 형성하고, 상기 p-컨택트층 및 상기 보호막의 일부를 감싸며 p-패드 전극을 형성하는 단계;상기 GaN 기판의 하부 면에 요철 구조를 형성하는 단계; 상기 요철 구조 상에 나노 필라(Nano Pillar)를 형성하는 단계; 및상기 요철 구조가 형성된 GaN 기판 하부에 n-전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 요철 구조는, 상기 GaN 기판의 하부 면에 나노 입자를 부분 도포한 후, 상기 나노 입자를 마스크로 하여 상기 나노 입자가 도포되지 않은 상기 GaN 기판의 하부 면을 식각함으로써 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 p-패드 전극을 형성한 후에,상기 GaN 기판의 하부 면에 래핑(Lapping) 및 폴리싱(Polishing) 공정을 수행하는 단계; 및상기 GaN 기판의 하부 면에 플라즈마 표면 처리 공정을 수행하는 단계를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 플라즈마 표면 처리는 ECR-RIE(Electron Cyclotron Resonance-Reactive Ion Etching) 또는 ICP-RIE(Inductively Coupled Plasma - Reactive Ion Etching) 방식을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제9항 또는 제10항에 있어서,상기 플라즈마 표면 처리는 Cl2, BCl3, BCl3 및 Cl2의 혼합가스, BCl3와 Cl2 및 Ar의 혼합가스 중에서 선택된 어느 하나를 식각 가스로 사용하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
12 12
제9항 또는 제10항에 있어서,상기 플라즈마 표면 처리는 적어도 100eV의 플라즈마 에너지 조건에서 수행하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 요철 구조는,포토 마스크를 이용한 패터닝에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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제8항에 있어서,상기 요철 구조는, ICP-RIE(Inductively Coupled Plasma - Reactive Ion Etching), ECR-RIE(Electron Cyclotron Resonance - Reactive Ion Etching), IBE(Ion Beam Etching), 헬리콘 플라즈마 에칭(Helicon Plasma Etching) 중에서 선택된 어느 하나의 건식 식각 방법에 의해 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 레이저 다이오드의 제조방법
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