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진공 가능한 챔버; 상기 챔버 내부의 제 1 및 제 2 측에 소정의 거리를 두고 서로 평행하게 대향하는 제 1 및 제 2 타겟; 상기 제 1 및 제 2 타겟이 각각 안착되는 제 1 및 제 2 타겟 플레이트; 및,스퍼터링 공정시 발생되는 플라즈마 데미지를 줄임과 아울러 플라즈마 데미지로 인해 발생된 이물들이 상기 챔버의 바닥면에 퍼지는 것을 방지하기 위해 상기 챔버의 하부에 마련된 단면이 "V"자 형으로 이루어진 방착판을 구비하고, 상기 방착판은 상기 챔버로부터 분리 가능하도록 상기 제 1 및 제 2 타겟 플레이트의 사이 공간에 비례하는 크기로 형성되며, 상기 방착판의 하부에는 상기 방착판을 상기 챔버의 하부면에 고정시키기 위한 고정부가 더 구비된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제 1 항에 있어서,상기 스퍼터링 장치는 상기 챔버 내부의 제 3 및 제 4 측에 소정의 거리를 두고 서로 평행하게 대향하는 제 3 및 제 4 타겟, 상기 제 3 및 제 4 타겟이 각각 안착되는 제 3 및 제 4 타겟 플레이트, 상기 제 1 내지 제 4 타겟 플레이트 각각의 배면에서 자기장을 형성시키는 복수의 자석, 상기 제 1 내지 제 4 타겟 플레이트를 고정시키는 복수의 조립체, 플라즈마 상태에서 발생된 이온들로부터 상기 제 1 타겟 또는 제 3 타겟을 커버하는 제 1 셔터부, 및 상기 플라즈마 상태에서 발생된 이온들로부터 상기 제 2 타겟 또는 제 4 타겟을 커버하는 제 2 셔터부를 더 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 셔터부는 상기 제 1 타겟 또는 제 3 타겟의 전면에 소정의 간격을 두고 위치하여 상기 이온들로부터 상기 제 1 타겟 또는 제 3 타겟을 차단하는 제 1 셔터, 상기 제 1 셔터가 상기 제 1 타겟 또는 제 3 타겟의 전면에 위치되도록 상기 제 1 셔터를 회전 이동시키기 위한 제 1 회전축, 및 상기 제 1 회전 축을 구동하는 제 1 셔터 구동부를 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제 2 항에 있어서, 상기 제 2 셔터부는 상기 제 2 타겟 또는 제 4 타겟의 전면에 소정의 간격을 두고 위치하여 상기의 이온들로부터 상기 제 2 타겟 또는 제 4 타겟을 차단하는 제 2 셔터, 상기 제 2 셔터가 상기 제 2 타겟 또는 제 4 타겟의 전면에 위치되도록 상기 제2셔터를 회전 이동시키기 위한 제 2 회전축, 및 상기 제 2 회전 축을 구동하는 제 2 셔터 구동부를 구비한 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제 4 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 타겟은 ITO, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 은(Si) 중 어느 하나의 물질로 동일하게 이루어지며, 상기 제 3 및 제 4 타겟은 상기 제 1 및 제 2 타겟과는 다른 물질로 이루어지지만 ITO, 구리(Cu), 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 은(Si) 중 어느 하나의 물질로 동일하게 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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6
제 1 항에 있어서, 상기 방착판은 그 상부면이 하나의 원형, 사각형, 및 다각형 중 어느 한 형태로 이루어진 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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제 6 항에 있어서, 상기 방착판은 그 단면이 하나의 직선형의 "V" 형태 또는 곡선형의 "V" 형태로 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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8
제 7 항에 있어서,상기 방착판은그 상부면에 복수의 삼각산 형태의 돌출부 또는 복수의 반구형 돌출부가 더 형성된 것을 특징으로 하는 스퍼터링 장치
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