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반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015050852
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 반도체 레이저 다이오드 구조물의 레이저가 출사되는 면 및 그 반대면 중 적어도 하나에 인접된 P타입 반도체층 상부면의 표면에 N타입 공격자점(N-Vacancy)들이 형성된 영역을 형성하거나, 또는 P타입 반도체층에 N타입 도펀트(Dopant)들이 분포되어 있는 영역을 형성하여 전류 주입을 억제하는 것이다.그러므로, 본 발명은 레이저 출사면 및 그 반대면에 전류 밀도를 감소시켜 레이저 출사면 및 그 반대면의 퇴화를 막아 신뢰성을 확보할 수 있으며, 소자의 수명을 향상시킬 수 있는 장점이 있다.출사면, 도펀트, 공격자점, 퇴화, 전류, 분포
Int. CL H01S 5/00 (2006.01)
CPC H01S 5/1237(2013.01) H01S 5/1237(2013.01) H01S 5/1237(2013.01)
출원번호/일자 1020070136652 (2007.12.24)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1413956-0000 (2014.06.24)
공개번호/일자 10-2009-0068863 (2009.06.29) 문서열기
공고번호/일자 (20140701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.26)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 강민구 대한민국 서울특별시 서초구
2 이은아 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.24 수리 (Accepted) 1-1-2007-0927423-86
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0507555-26
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.03.11 수리 (Accepted) 9-1-2013-0016853-32
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0586851-03
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0961759-05
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0961760-41
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0146696-58
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2014-0364969-28
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0364973-12
14 등록결정서
Decision to grant
2014.05.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0337923-53
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
P타입 반도체층, 활성층 및 N타입 반도체층을 구비하여 상기 활성층에서 레이저를 발진하는 반도체 레이저 다이오드 구조물에 있어서, 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물에서 레이저가 출사되는 면 및 레이저 출사면의 반대면 중 적어도 하나에 인접된 상기 P타입 반도체층 상부면의 표면에 N타입 공격자점(N-Vacancy)들이 형성된 영역이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 P타입 반도체층은,상기 활성층의 상부에 P타입 웨이브 가이드층, P타입 클래드층과 P타입 컨택층이 순차적으로 적층되어 형성된 다층이며,상기 N타입 공격자점들이 형성된 영역은,상기 P타입 컨택층 상부면 표면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
청구항 2에 있어서, 상기 P타입 컨택층 상부에는 P타입 전극이 형성되어 있고,상기 P타입 전극은,상기 레이저 출사면에서 레이저 출사면의 반대면까지 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
6 6
P타입 반도체층, 활성층 및 N타입 반도체층을 구비된 반도체 레이저 다이오드 구조물을 웨이퍼 상부에 형성하는 단계와;상기 반도체 레이저 다이오드 구조물의 레이저가 출사되는 면 및 그 반대면이 형성되는 P타입 반도체층 영역들을 노출시키고 마스크를 형성하는 단계와;상기 마스크에 의해 노출된 P타입 반도체층 영역을 표면 처리하여 N타입 공격자점(N-Vacancy)들을 형성하는 단계와;상기 마스크를 제거하는 단계와;상기 반도체 레이저 다이오드 구조물의 P타입 반도체층에 복수개의 리지들을 형성하는 단계와;상기 P타입 반도체층 상부에 P타입 전극을 형성하고, 상기 N타입 반도체층 하부에 N타입 전극을 형성하는 단계와;상기 N타입 공격자점들이 형성된 영역들 각각 내측으로 상기 반도체 레이저 다이오드 구조물을 절단하여 레이저가 출사하는 면 및 그 반대면을 형성하는 단계를 포함하여 구성된 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 표면 처리는,O2 플라즈마, Ar 플라즈마, N2 플라즈마, He 플라즈마 중 하나를 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드의 제조 방법
8 8
삭제
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패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.