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열기전력 발생기와 안테나가 융합된 외부온도 감지용알에프아이디 태그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015050868
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, a) 절연성 폴리머 필름층 상에 안테나 패턴층을 형성하는 단계로서, 상기 안테나 패턴층이 열기전 반도체를 포함하도록 형성하는 단계; 및 b) 상기 절연성 폴리머 필름층 상에서, 상기 안테나 패턴층에 집적회로 칩을 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법을 제공한다. RFID(Radio Frequency Identification), 온도감지(sensing temperature), 플렉서블(flexible), 열기전력(thermoelectric), 안테나(antenna), 태그(tag)
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) H01Q 1/24 (2011.01) G06K 19/077 (2011.01)
CPC G06K 19/0717(2013.01) G06K 19/0717(2013.01) G06K 19/0717(2013.01)
출원번호/일자 1020070135721 (2007.12.21)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0972089-0000 (2010.07.16)
공개번호/일자 10-2009-0067900 (2009.06.25) 문서열기
공고번호/일자 (20100722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.08.05)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권순철 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 한양특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, 한양빌딩 (도곡동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0922311-10
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.08.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0561707-08
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2008.08.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0561706-52
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.12.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.01.15 수리 (Accepted) 9-1-2010-0003148-54
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0184186-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.06.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0422446-63
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0422445-17
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0292303-28
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0598286-81
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
a) 절연성 폴리머 필름층 상에 안테나 패턴층을 형성하는 단계로서, 상기 안테나 패턴층이 열기전 반도체를 포함하도록 형성하는 단계; 및 b) 상기 절연성 폴리머 필름층 상에서, 상기 안테나 패턴층에 집적회로 칩을 연결하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 a) 단계의 상기 절연성 폴리머 필름층은, 고분자 수지 및 상변화 물질(PCM; Phase change material)을 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 a) 단계의 상기 절연성 폴리머 필름층은, 상기 상변화 물질로 형성된 상변화 입자를 상기 고분자 수지에 분산시켜 제조한 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서, 상기 고분자 수지는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (Polyethylene Terephthalate, PET); 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PNT); 폴리염화비닐(Polyvinyl chloride, PVC); 폴리에틸렌 (Polyethylene, PE); 폴리이미드(Polyimide), 페이퍼(Paper); 및 에폭시(Epoxy) 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
5 5
청구항 2에 있어서, 상기 상변화 물질은, 파라핀족 탄화수소(Paraffinic Hydrocarbon); n-옥타코산(n-Oactacosane); n-헵타코산(n-Heptacosane); n-헥사코산(n-Hexacosane); n-펜타코산(n-Pentacosane); n-테트라코산(n-Tetracosane); n-트리코산(n-Tricosane); n-도코산(n-Docosane); n-헤네이코산(n-Heneicosane); n-에이코산(n-Eicosane); n-노나데칸(n-Nonadecane); n-옥타데칸(n-Octadecane); n-헵타데칸(n-Heptadecane); n-헥사데칸(n-Hexadecane); n-펜타데칸(n-Pentadecane); n-테트라데칸(n-Tetradecane); n-트리데칸(n-Tridecane); 폴리올(Polyol); 1,4-부탄디올(1,4-butanediol); 글리세롤(glycerol); 폴리에틸렌 클리콜(polyethylene glycols, PEGs); 및 1,6-헥산디올(1,6-hexanediol) 중에서 선택된 1 종 또는 2종 이상의 혼합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 a) 단계에서는, 상기 열기전 반도체가 2 이상의 열기전 소자로 구성된 열기전 반도체층 형태로 상기 안테나 패턴층에 포함되게 형성되며, 상기 열기전 반도체층을 구성하는 상기 열기전 소자들이 전기적으로 직렬연결되고 발생하는 열은 병렬식으로 전달되게 형성되는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
7 7
청구항 6에 있어서, 상기 열기전 반도체층을 구성하는 상기 각 열기전 소자는 서로 간격을 두고 배치되는 N(Negative) 타입 열기전 반도체와 P(positive) 타입 열기전 반도체가 한 쌍을 이루는 N(Negative) / P(positive) 타입 열기전 반도체인 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 N / P 타입 열기전 반도체는, 규소화물(Silicides), 붕소화물(Borides), 게르마늄 화물(Germanides), 텔루르화물(Tellurides), 황화물(sulfides), 셀렌화물(selenides), 안티몬화물(Antimonides), 납화합물(Plumbides), 및 산화 반도체(Oxide Semiconductor) 중 선택된 1종 또는 2종 이상의 반도체 물질을 각각 상기 N 타입과 상기 P 타입으로 도핑(doping)하여 형성한 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
9 9
청구항 6에 있어서, 상기 a) 단계에서는, 상기 열기전 반도체층을 스퍼터링(sputtering)법, 스크린 프린팅(screen printing)법, 로터리 스크린 프린팅(rotary screen printing)법, 그라비아 프린팅(gravure printing)법, 인테글로 프린팅(intaglio printing)법, 플렉소그래픽 프린팅(flexographic printing)법, 레터프레스 프린팅(letterpress printing)법, 리소그래픽 프린팅(lithographic printing)법, 잉크젯 프린팅(inkjet printing)법, 일렉트로스테틱 프린팅(electrostatic printing)법, 및 오프셋 프린팅(offset printing)법 중 선택된 방법으로 형성하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
10 10
청구항 6에 있어서, 상기 열기전 반도체층을 레이저(laser)를 이용하여 어닐링(annealing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
11 11
청구항 6에 있어서, 상기 a) 단계는, 상기 절연성 폴리머 필름층과 상기 열기전 반도체층 사이에 위치하는 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 열기전 반도체층 상에 상부 전도성 전극층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서, 상기 2 이상의 열기전 소자로 구성된 열기전 반도체층은 N 타입 열기전 반도체와 P 타입 열기전 반도체를 포함하고, 상기 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계는, 상기 열기전 반도체층의 상기 N 타입 열기전 반도체 하측에 위치하는 N 타입 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 N 타입 하부 전도성 전극층과 이격되게 마련되어 상기 열기전 반도체층의 상기 P 타입 열기전 반도체 하측에 위치하는 P 타입 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 상부 전도성 전극층을 형성하는 단계에서는, 상기 열기전 반도체층의 상기 N 타입 열기전 반도체와 상기 P 타입 열기전 반도체를 연결하는 형태로 상기 N / P 타입 열기전 반도체의 상측에 위치하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
13 13
청구항 11에 있어서, 상기 하부 전도성 전극층 및 상기 상부 전도성 전극층은 각각, 구리(copper), 은(silver), 금(gold), 아연(zinc), 카드뮴(cadmium), 팔라듐(palladium), 이리듐(iridium), 루테늄(ruthenium), 오스뮴(osmium), 로듐(rhodium), 백금(platinum), 철(iron), 코발트(cobalt), 니켈(nickel), 인듐(indium), 주석(tin), 안티몬(antimony), 납(lead), 비스무트(bismuth), 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중 선택된 1종 이상의 금속으로 형성된 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
14 14
청구항 11에 있어서, 상기 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계 및 상기 상부 전도성 전극층을 형성하는 단계는, 각각 스퍼터링(sputtering)법, 스크린 프린팅(screen printing)법, 로터리 스크린 프린팅(rotary screen printing)법, 그라비아 프린팅(gravure printing)법, 인테글로 프린팅(intaglio printing)법, 플렉소그래픽 프린팅(flexographic printing)법, 레터프레스 프린팅(letterpress printing)법, 리소그래픽 프린팅(lithographic printing)법, 잉크젯 프린팅(inkjet printing)법, 일렉트로스테틱 프린팅(electrostatic printing)법, 및 오프셋 프린팅(offset printing)법 중 선택된 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
15 15
청구항 11에 있어서, 상기 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계 및 상기 상부 전도성 전극층을 형성하는 단계 중 적어도 한 단계는, 레이저(laser)를 이용하여 어닐링(annealing)하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
16 16
청구항 11에 있어서, 상기 a) 단계는, 상기 하부 전도성 전극층과 상기 열기전 반도체층 사이에, 상기 하부 전도성 전극층과 상기 열기전 반도체층을 접합하는 하부 전도성 접착층을 형성하는 단계; 및 상기 열기전 반도체층과 상기 상부 전도성 전극층 사이에, 상기 열기전 반도체층과 상기 상부 전도성 전극층을 접합하는 상부 전도성 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
17 17
청구항 16에 있어서, 상기 하부 전도성 접착층 및 상기 상부 전도성 접착층은 각각, 규소화물(Silicides), 붕소화물(Borides), 게르마늄 화물(Germanides), 텔루르화물(Tellurides), 황화물(sulfides), 셀렌화물(selenides), 안티몬화물(Antimonides), 납화합물(Plumbides), 및 산화 반도체(Oxide Semiconductor) 중 선택된 1종 또는 2종 이상의 반도체 물질; 및 구리(copper), 은(silver), 금(gold), 팔라듐(palladium), 및 탄소나노튜브(carbon nanotube) 중에서 선택된 1종 이상을 혼합하여 형성되는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
18 18
청구항 16에 있어서, 상기 하부 전도성 접착층을 형성하는 단계 및 상기 상부 전도성 접착층을 형성하는 단계는, 각각 스퍼터링(sputtering)법, 스크린 프린팅(screen printing)법, 로터리 스크린 프린팅(rotary screen printing)법, 그라비아 프린팅(gravure printing)법, 인테글로 프린팅(intaglio printing)법, 플렉소그래픽 프린팅(flexographic printing)법, 레터프레스 프린팅(letterpress printing)법, 리소그래픽 프린팅(lithographic printing)법, 잉크젯 프린팅(inkjet printing)법, 일렉트로스테틱 프린팅(electrostatic printing)법, 및 오프셋 프린팅(offset printing)법 중 선택된 방법을 이용하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
19 19
청구항 16에 있어서, 상기 열기전 반도체층은 N 타입 열기전 반도체와 P 타입 열기전 반도체를 포함하고, 상기 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계는, 상기 열기전 반도체층의 상기 N 타입 열기전 반도체 하측에 위치하는 N 타입 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계; 및 상기 N 타입 하부 전도성 전극층과 이격되게 마련되어 상기 열기전 반도체층의 상기 P 타입 열기전 반도체 하측에 위치하는 P 타입 하부 전도성 전극층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상부 전도성 전극층을 형성하는 단계에서는, 상기 열기전 반도체층의 상기 N 타입 열기전 반도체와 상기 P 타입 열기전 반도체를 연결하는 형태로 상기 N / P 타입 열기전 반도체의 상측에 위치하도록 형성하며, 상기 하부 전도성 접착층을 형성하는 단계는, 상기 N 타입 열기전 반도체와 상기 N 타입 하부 전도성 전극층 사이에 위치하는 N 타입 하부 전도성 접착층을 형성하는 단계; 및 상기 N 타입 하부 전도성 접착층과 이격되게 마련되어 상기 P 타입 열기전 반도체와 상기 P 타입 하부 전도성 전극층 사이에 위치하는 P 타입 하부 전도성 접착층을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 상부 전도성 접착층을 형성하는 단계는, 상기 N 타입 열기전 반도체와 상기 상부 전도성 전극층 사이에 위치하는 N 타입 상부 전도성 접착층을 형성하는 단계; 및 상기 N 타입 상부 전도성 접착층과 이격되게 마련되어 상기 P 타입 열기전 반도체와 상기 상부 전도성 전극층 사이에 위치하는 P 타입 상부 전도성 접착층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
20 20
청구항 1에 있어서, 상기 b) 단계에서는, 플립칩 본딩(flip-chip bonding)을 통해 상기 안테나 패턴층에 상기 집적회로 칩을 연결하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 RFID 태그의 제조방법
21 21
청구항 1에 있어서, 상기 안테나 패턴층 및 상기 집적회로 칩의 상측에 표면 보호필름층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
22 22
청구항 21에 있어서, 상기 표면 보호필름층은, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 (Polyethylene Terephthalate, PET); 폴리에틸렌 나프탈레이트(Polyethylene Naphthalate, PNT); 폴리염화비닐(Polyvinyl chloride, PVC); 폴리에틸렌 (Polyethylene, PE); 폴리이미드(Polyimide); 페이퍼(Paper); 및 에폭시(Epoxy) 중 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
23 23
청구항 1에 있어서, 상기 a) 절연성 폴리머 필름층의 하부면에 점착층 또는 접착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
24 24
청구항 1 내지 청구항 23 중 어느 한 항에 따른 제조방법에 의해 제조되는 외부온도 감지용 알에프아이디 태그를 고분자 수지로 형성된 필름 내부에 삽입하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 외부온도 감지용 알에프아이디(RFID) 태그의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.