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박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치의제조 방법

기술번호 : KST2015050882
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 AMFC(Alternating Magnetic Field Crystallization) 방법으로 반도체층을 이루는 층들을 연속 증착하고 패터닝한 후 결정화를 하여 각 층의 계면 특성을 향상시킨 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 비정질 실리콘층 및 불순물층을 차례로 증착하는 단계와, 상기 불순물층 및 비정질 실리콘층을 동일폭으로 식각하는 단계와, 상기 기판에 자기장을 인가하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 양측에 대응되어 상기 불순물층과 접하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 반도체층 중앙에 대응되어 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 자기장 결정화(AMFC: Alternating Magnetic Field Crystallization), 박막 트랜지스터, 비정질 실리콘층, 폴리 실리콘
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01)
CPC	H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01) H01L 29/66757(2013.01)
출원번호/일자	1020070141684 (2007.12.31)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1351402-0000 (2014.01.08)
공개번호/일자	10-2009-0073671 (2009.07.03) 문서열기
공고번호/일자	(20140115) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.12.12)
심사청구항수	10

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	박수정	대한민국	서울특별시 중구
2	안태준	대한민국	서울특별시 성동구
3	이석우	대한민국	경기 부천시 원미구
4	강수혁	대한민국	서울특별시 서초구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	김용인	대한민국	서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2	박영복	대한민국	서울특별시 강남구 논현로길 , *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2007-0951013-88
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.12.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-1031432-67
7	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.08.20	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.10.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0084861-25
9	등록결정서 Decision to grant	2013.11.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0788311-42

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 비정질 실리콘층 및 불순물층을 차례로 증착하는 단계;상기 불순물층 및 비정질 실리콘층을 동일폭으로 식각하는 단계;상기 기판에 자기장을 인가하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 양측에 대응되어 상기 불순물층과 접하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 및상기 반도체층 중앙에 대응되어 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
2	2 제 1항에 있어서,상기 기판 상에 비정질 실리콘층 및 불순물층을 차례로 증착하는 단계는 플라즈마 증착 장비에 의해 연속하여 증착하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
3	3 제 1항에 있어서,상기 비정질 실리콘층은 상기 불순물층의 5배 이상의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
4	4 제 3항에 있어서,상기 불순물층의 두께는 100~300Å인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5	5 제 1항에 있어서,상기 불순물층 및 비정질 실리콘층을 동일폭으로 식각하는 단계 후,상기 불순물층의 중앙을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6	6 제 5항에 있어서,상기 불순물층 및 비정질 실리콘층의 동일 폭 식각과, 상기 불순물층의 중앙의 제거는, 동일 마스크에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7	7 제 6항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극의 형성하는 단계 후, 상기 소오스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 반도체층의 상부 소정 두께를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8	8 제 1항에 있어서,상기 소오스/드레인 전극의 형성하는 단계 후, 상기 소오스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 불순물층 및 반도체층의 상부 소정 두께를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
9	9 기판 상에 비정질 실리콘층 및 불순물층을 차례로 증착하는 단계;상기 불순물층 및 비정질 실리콘층을 동일폭으로 식각하는 단계;상기 불순물층의 중앙을 제거하는 단계;상기 기판에 자기장을 인가하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 양측에 대응되어 상기 불순물층과 접하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체층 중앙에 대응되어 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 상기 게이트 절연막 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 및 상기 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 드레인 전극을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 매립하며, 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
10	10 기판 상에 비정질 실리콘층 및 불순물층을 차례로 증착하는 단계;상기 불순물층 및 비정질 실리콘층을 동일폭으로 식각하는 단계;상기 기판에 자기장을 인가하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 반도체층을 형성하는 단계;상기 반도체층의 양측에 대응되어 상기 불순물층과 접하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계; 상기 소오스/드레인 전극을 마스크로 하여 상기 불순물층 및 반도체층의 상부 소정 두께를 제거하는 단계;상기 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계; 상기 반도체층 중앙에 대응되어 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 상기 게이트 절연막 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막 및 상기 게이트 절연막을 선택적으로 제거하여 상기 드레인 전극을 노출하는 콘택홀을 형성하는 단계; 및상기 콘택홀을 매립하며, 상기 드레인 전극과 접속되는 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1351402-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071231 출원 번호 : 1020070141684 공고 연월일 : 20140115 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131118 청구범위의 항수 : 10 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치의제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	435,000 원	2014년 01월 09일	납입
제 4 년분	금 액	260,000 원	2016년 12월 14일	납입
제 5 년분	금 액	260,000 원	2017년 12월 18일	납입
제 6 년분	금 액	260,000 원	2018년 12월 26일	납입
제 7 년분	금 액	480,000 원	2019년 12월 12일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.12.31	수리 (Accepted)	1-1-2007-0951013-88
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.12.12	수리 (Accepted)	1-1-2012-1031432-67
7	선행기술조사의뢰서	2013.08.20	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서	2013.10.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0084861-25
9	등록결정서	2013.11.18	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0788311-42


기술번호	KST2015050882
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치의제조 방법
기술개요	본 발명은 AMFC(Alternating Magnetic Field Crystallization) 방법으로 반도체층을 이루는 층들을 연속 증착하고 패터닝한 후 결정화를 하여 각 층의 계면 특성을 향상시킨 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 이를 이용한 표시 장치의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 박막 트랜지스터의 제조 방법은, 기판 상에 비정질 실리콘층 및 불순물층을 차례로 증착하는 단계와, 상기 불순물층 및 비정질 실리콘층을 동일폭으로 식각하는 단계와, 상기 기판에 자기장을 인가하여 상기 비정질 실리콘층을 결정화하여 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 반도체층의 양측에 대응되어 상기 불순물층과 접하는 소오스/드레인 전극을 형성하는 단계와, 상기 반도체층 및 소오스/드레인 전극을 포함한 기판 상에 게이트 절연막을 형성하는 단계 및 상기 반도체층 중앙에 대응되어 상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 이루어진 것을 특징으로 한다. 자기장 결정화(AMFC: Alternating Magnetic Field Crystallization), 박막 트랜지스터, 비정질 실리콘층, 폴리 실리콘
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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