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포토 마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판의제조 방법

기술번호 : KST2015050886
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 포토마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법을 개시한다. 포토마스크는 제 1, 제 2 및 제 3 영역을 갖는 투명 기판, 상기 제 1 영역상에 배치된 광 차단 패턴, 및 상기 제 2 영역상에 배치된 회절 패턴을 포함하여, 상기 회절 패턴을 통한 간섭 및 보강에 의해 노광 해상도 및 포커스 마진을 향상시킬 수 있어, 미세한 패턴을 형성할 수 있다.포토마스크, 회절, 반투과, 채널, 박막트랜지스터
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC	G03F 1/38(2013.01) G03F 1/38(2013.01)
출원번호/일자	1020070135730 (2007.12.21)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1409544-0000 (2014.06.12)
공개번호/일자	10-2009-0067907 (2009.06.25) 문서열기
공고번호/일자	(20140620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.11.30)
심사청구항수	9

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	천기철	대한민국	경북 경주시
2	최준호	대한민국	경상북도 구미시
3	김환	대한민국	대구광역시 남구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.12.21	수리 (Accepted)	1-1-2007-0922326-94
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2012.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0730174-10
7	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.11.30	수리 (Accepted)	1-1-2012-0997181-68
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.09.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0656403-37
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-1063911-54
10	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.11.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1063914-91
11	등록결정서 Decision to grant	2014.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0223618-47

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1, 제 2 및 제 3 영역을 갖는 투명 기판;상기 제 1 영역상에 배치된 광 차단 패턴; 및상기 제 2 영역상에 배치되어, 상기 제 2 영역을 제 1 및 제 2 개구로 정의하는 회절 패턴을 포함하고,상기 제 1 개구의 길이는 상기 제 2 개구의 길이에 비해 작게 형성되고, 상기 제 1 개구를 투과하는 광의 일부는 회절 현상에 의해 상기 제 2 개구를 투과하는 광의 세기를 증폭시키는 것을 특징으로 하는 포토 마스크
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 2 영역에 배치된 반투과 패턴을 포함하는 포토 마스크
4	4 제 3 항에 있어서,상기 반투과 패턴은 크롬 산화막을 포함하는 것을 특징으로 하는 포토 마스크
5	5 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함하는 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 전극과 대응된 게이트 절연막상에 활성패턴과 상기 활성패턴 상에 배치된 오믹콘택 패턴으로 이루어진 반도체 패턴을 형성하는 단계;상기 반도체 패턴을 포함하는 기판상에 도전막을 형성하는 단계;상기 도전막상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막상에 제 1, 제 2 및 제 3 영역을 갖는 투명 기판, 상기 제 1 영역상에 배치된 광 차단 패턴 및 상기 제 2 영역상에 배치되어, 상기 제 2 영역을 제 1 및 제 2 개구로 정의하는 회절 패턴을 포함하는 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상공정을 수행하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하는 상기 도전막의 식각에 의해 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하는 상기 반도체 패턴의 오믹콘택 패턴을 식각하여 채널을 형성하는 단계를 포함하고,상기 포토 마스크의 제 1 개구의 길이는 상기 제 2 개구의 길이에 비해 작게 형성되고, 상기 제 1 개구를 투과하는 광의 일부는 회절 현상에 의해 상기 제 2 개구를 투과하는 광의 세기를 증폭시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
6	6 삭제
7	7 삭제
8	8 제 5 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴은 상기 제 1 영역 및 상기 제 1 개구와 각각 대응하여 서로 다른 두께의 단차를 갖는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
9	9 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함하는 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막상에 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 제 1 도전막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 제 1 도전막상에 포토레지스트막을 형성하는 단계;상기 포토레지스트막상에 포토 마스크를 이용한 노광 및 현상 공정을 수행하여, 두께가 가장 작은 제 1 단차와 두께가 가장 큰 제 3 단차를 포함하여 서로 다른 두께를 갖는 제 1, 제 2 및 제 3 단차를 갖는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 제 1 반도체층, 제 2 반도체층 및 제 1 도전막을 식각하여 각각 활성패턴, 예비 오믹콘택 패턴 및 도전패턴으로 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴의 제 1 단차를 제거하는 단계; 및상기 제 1 단차가 제거된 포토레지스트 패턴을 식각마스크로 사용하여 상기 예비 오믹콘택 패턴 및 도전패턴을 식각하여 오믹콘택 패턴과 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계;를 포함하고,상기 포토 마스크는 제 1, 제 2 및 제 3 영역을 갖는 투명 기판, 상기 제 1 영역상에 배치된 광 차단 패턴, 상기 제 2 영역상에 배치되어 상기 제 2 영역을 제 1 및 제 2 개구로 정의하는 회절 패턴 및 상기 회절 패턴을 포함하는 제 2 영역상에 배치된 반투과 패턴을 포함하고,상기 포토 마스크의 제 1 개구의 길이는 상기 제 2 개구의 길이에 비해 작게 형성되고, 상기 제 1 개구를 투과하는 광의 일부는 회절 현상에 의해 상기 제 2 개구를 투과하는 광의 세기를 증폭시키는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 제 1 단차는 상기 마스크의 제 2 영역의 제 2 개구와 대응되어 형성되고,상기 제 2 단차는 상기 마스크의 제 2 영역의 제 1 개구와 대응되어 형성되고,상기 제 3 단차는 상기 마스크의 제 1 영역과 대응되어 형성되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
11	11 삭제
12	12 제 9 항에 있어서,상기 제 2 개구는 상기 활성패턴의 채널 길이와 대응되는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
13	13 제 9 항에 있어서,상기 제 2 개구와 대응하는 상기 포토레지스트 패턴의 제 1 단차는 3000 내지 8000Å의 두께 범위를 갖는 것을 특징으로 하는 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

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특허 등록번호	10-1409544-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071221 출원 번호 : 1020070135730 공고 연월일 : 20140620 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140331 청구범위의 항수 : 9 유별 : H01L 21/027 발명의 명칭 : 포토 마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판의제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	396,000 원	2014년 06월 12일	납입
제 4 년분	금 액	238,000 원	2017년 05월 15일	납입
제 5 년분	금 액	238,000 원	2018년 05월 15일	납입
제 6 년분	금 액	238,000 원	2019년 05월 15일	납입
제 7 년분	금 액	442,000 원	2020년 05월 13일	납입

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.12.21	수리 (Accepted)	1-1-2007-0922326-94
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2012.09.10	수리 (Accepted)	1-1-2012-0730174-10
7	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.11.30	수리 (Accepted)	1-1-2012-0997181-68
8	의견제출통지서	2013.09.24	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0656403-37
9	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.11.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-1063911-54
10	[명세서등 보정]보정서	2013.11.22	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1063914-91
11	등록결정서	2014.03.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0223618-47


기술번호	KST2015050886
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	포토 마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판의제조 방법
기술개요	본 발명은 포토마스크 및 이를 이용한 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법을 개시한다. 포토마스크는 제 1, 제 2 및 제 3 영역을 갖는 투명 기판, 상기 제 1 영역상에 배치된 광 차단 패턴, 및 상기 제 2 영역상에 배치된 회절 패턴을 포함하여, 상기 회절 패턴을 통한 간섭 및 보강에 의해 노광 해상도 및 포커스 마진을 향상시킬 수 있어, 미세한 패턴을 형성할 수 있다.포토마스크, 회절, 반투과, 채널, 박막트랜지스터
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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