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게이트 라인과 데이터 라인이 서로 교차하여 다수의 화소가 정의된 기판;상기 기판의 각 화소의 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성되며, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 구비하는 스위칭 박막 트랜지스터;상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되도록 기판 상에 형성되며, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 구비하는 구동 박막 트랜지스터;상기 각 화소마다 개별 마련되며, 구동 박막 트랜지스터의 소스 전극과 연결된 제 1 전극;상기 각 화소마다 개별 마련되며, 상기 제 1 전극 상에 형성된 발광층;상기 발광층 상에 형성된 제 2 전극;상기 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 연결되며, 상기 제 1 전극과 동일한 물질로 동일 층에 형성된 제 1 층을 포함한 복수의 층으로 형성된 접지라인;을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 접지라인의 제 1 층은 투명한 도전성 물질로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 2 항에 있어서, 상기 제 1 전극 및 접지라인의 제 1 층은 인듐 틴 옥사이드(ITO)로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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4
제 1 항에 있어서, 상기 접지라인은 투명한 도전성 물질로 형성된 제 1 층과, 불투명 금속으로 형성된 제 2 층을 포함하여 구성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 4 항에 있어서, 상기 접지라인의 제 2 층은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중에 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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6
제 1 항에 있어서, 상기 기판 상에 정의된 화소가 다수의 수직 화소열을 이루며,상기 접지라인은 각 수직 화소열마다 하나씩 마련되어, 해당 수직 화소열을 이루는 화소 내의 구동 박막 트랜지스터의 드레인 전극마다 연결된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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7
제 6 항에 있어서, 상기 각 화소는 다수의 수평 화소열을 이루며,상기 각 수평 화소열에는 상기 접지라인과 연결되는 보조접지라인이 추가로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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8
제 6 항에 있어서, 상기 수직 화소열마다 하나씩 마련된 접지라인은 다수 지점에서 서로 연결되어 망 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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9
제 8 항에 있어서, 상기 수직 화소열마다 하나씩 마련된 접지라인은 좌우 인접 화소마다 서로 연결되어 망 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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10
기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 버퍼층, 반도체층을 형성하고, 상기 반도체 층의 일부와 오버랩되는 소스 전극, 드레인 전극을 형성하고, 데이터 라인을 형성하는 단계;상기 소스 전극, 드레인 전극 및 데이터 라인이 형성된 기판 전체에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막 상에 게이트 전극 및 게이트 라인을 형성하는 단계;상기 게이트 전극 상에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막과 게이트 절연막의 일부를 제거하여 상기 소스 전극의 일부를 외부로 노출하는 제 1 콘택홀을 형성하는 단계;상기 제 1 콘택홀을 통해 소스 전극과 접속되는 제 1 전극 및, 상기 드레인 전극과 접속되는 접지라인의 제 1 층 및, 상기 제 1 층과 오버랩되는 접지라인의 제 2 층을 형성하는 단계;상기 제 1 전극 상에 발광층을 형성하는 단계;상기 발광층 상에 제 2 전극을 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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11
제 10 항에 있어서, 상기 제 1 콘택홀을 통해 소스 전극과 접속되는 제 1 전극을 형성하고 상기 드레인 전극과 접속되는 접지라인의 제 1 층을 형성하고, 상기 제 1 층과 오버랩되는 제 2 층을 형성하는 단계는,상기 제 1 콘택홀이 형성된 기판 상에 투명한 도전성 물질층, 금속층, 감광막을 차례로 형성하는 단계;회절영역이 마련된 마스크를 이용한 포토리소그라피(photolithography)를 수행하여 제 1 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴을 이용하여 금속층을 선택적으로 제거하여 금속 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴을 이용하여 투명한 도전성 물질층을 선택적으로 제거하여 제 1 전극 및 접지라인의 제 1 층을 형성하는 단계;상기 제 1 감광막 패턴 중에 마스크의 회절 영역에 대응된 영역을 제거하여 제 2 감광막 패턴을 형성하는 단계;상기 제 2 감광막 패턴을 이용하여 금속 패턴을 선택적으로 제거하여 상기 접지라인의 제 1 층과 오버랩되는 접지라인의 제 2 층을 형성하는 단계;상기 제 2 감광막 패턴을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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12
제 10 항에 있어서, 상기 반도체 층, 소스 전극, 드레인 전극, 게이트 절연막, 게이트 전극은 구동 박막 트랜지스터를 이루고,상기 제 1 전극, 발광층, 제 2 전극은 유기전계발광 다이오드를 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 투명한 도전성 물질층은 인듐 틴 옥사이드(ITO)로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 11 항에 있어서, 상기 금속층은 알루미늄(Al), 몰리브덴(Mo), 텅스텐(W), 구리(Cu) 중에 선택된 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 게이트 라인과 데이터 라인은 서로 교차하여 다수의 화소를 정의하도록 형성되고, 상기 화소는 다수의 수직 화소열을 이루며,제 1 층과 제 2 층으로 이루어진 상기 접지라인은 각 수직 화소열마다 하나씩 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 15 항에 있어서, 상기 각 화소는 다수의 수평 화소열을 이루며,상기 게이트 전극 및 게이트 라인의 형성 시에, 상기 각 수평 화소열에는 접지라인과 연결되게 되는 보조접지라인이 추가로 형성되는 것을 특징으로 유기전계발광 소자의 제조 방법
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17
제 15 항에 있어서, 상기 수직 화소열마다 하나씩 마련된 접지 라인은 다수 지점에서 서로 연결되어 망 구조를 이루도록 형성되는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 17 항에 있어서, 상기 수직 화소열마다 하나씩 마련된 접지라인은 좌우 인접 화소마다 서로 연결되도록 형성되어 망 구조를 이루는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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