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입력 신호의 라인, 제1 공급전압의 라인 및 제1 노드에 연결된 제1 트랜지스터;제2 노드, 상기 제1 노드 및 제2 공급전압의 라인 사이에 연결된 제2 트랜지스터;상기 제1 및 제2 노드 사이에 연결되어 다수의 다이오드형 트랜지스터들을 포함하는 제1 다이오드형 트랜지스터 그룹; 및상기 제2 노드와 제3 공급전압의 라인 사이에 연결되어 다수의 다이오드형 트랜지스터들을 포함하는 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹을 포함하고,상기 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹의 상기 다수의 다이오드형 트랜지스터들은 상기 제3 공급전압의 라인으로 공급된 제3 공급전압에 의해 턴온되는 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 노드들 사이에 연결된 캐패시턴스를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 인버터
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제2항에 있어서, 상기 캐패시턴스는 부트스트래핑 현상을 발생시키는 것을 특징으로 하는 인버터
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제3항에 있어서, 상기 입력 신호의 라인으로 공급된 입력 신호에 의해 제1 트랜지스터가 턴온될 때, 상기 제2 트랜지스터가 턴온되어 상기 제1 공급전압의 라인으로 공급된 제1 공급전압에서 상기 제1 및 제2 트랜지스터들의 채널 특성의 비율에 따라 결정된 전압만큼 감소된 전압이 상기 제1 노드에 충전되는 것을 특징으로 하는 인버터
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5
제4항에 있어서, 상기 입력 신호에 의해 상기 제1 트랜지스터가 턴오프될 때, 상기 제1 및 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹들이 턴온되어 상기 제3 공급전압과 상기 제1 및 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹들의 문턱전압들의 비율에 따른 바이어스 전압이 상기 제2 노드에 설정되는 것을 특징으로 하는 인버터
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6
제1항에 있어서, 상기 제1 다이오드형 트랜지스터 그룹은 상기 제3 공급전압에 의해 턴온되는 것을 특징으로 하는 인버터
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7
제5항에 있어서, 상기 바이어스 전압은 상기 제2 트랜지스터의 문턱전압보다 적어도 낮은 것을 특징으로 하는 인버터
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8
제5항에 있어서, 상기 입력 신호에 의해 상기 제1 트랜지스터가 턴오프될 때, 상기 캐패시턴스에 의해 상기 제2 노드의 전압이 낮아지는 만큼 상기 바이어스 전압이 낮아지도록 설정되는 것을 특징으로 하는 인버터
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9
제8항에 있어서, 상기 바이어스 전압에 의해 상기 제2 공급전압의 라인으로 공급된 제2 공급전압이 상기 제1 노드에 충전되는 것을 특징으로 하는 인버터
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10
제9항에 있어서, 상기 제3 공급전압은 상기 제2 공급전압보다 적어도 낮은 것을 특징으로 하는 인버터
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11
제10항에 있어서, 상기 제2 공급전압은 그라운드 전압인 것을 특징으로 하는 인버터
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12
제1항에 있어서, 상기 제2 공급전압의 라인에는 상기 제3 공급전압이 공급되는 것을 특징으로 하는 인버터
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13
제1항에 있어서, 상기 제1 다이오드형 트랜지스터 그룹과 상기 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹의 채널 특성들은 상이한 것을 특징으로 하는 인버터
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제1항에 있어서, 상기 제1 다이오드형 트랜지스터 그룹에 포함된 다이오드형 트랜지스터들과 상기 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹에 포함된 다이오드형 트랜지스터들의 개수는 상이한 것을 특징으로 하는 인버터
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입력 신호의 라인, 제1 공급전압의 라인 및 제1 노드에 연결된 제1 트랜지스터;제2 노드, 상기 제1 노드 및 제2 공급전압의 라인 사이에 연결된 제2 트랜지스터;상기 입력 신호의 라인 및 상기 제1 공급전압의 라인 사이에 연결된 제3 트랜지스터;상기 제3 트랜지스터 및 제2 노드 사이에 연결되어 다수의 다이오드형 트랜지스터들을 포함하는 제1 다이오드형 트랜지스터 그룹; 및상기 제2 노드와 제3 공급전압의 라인 사이에 연결되어 다수의 다이오드형 트랜지스터들을 포함하는 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹을 포함하고,상기 제2 다이오드형 트랜지스터 그룹의 상기 다수의 다이오드형 트랜지스터들은 상기 제3 공급전압의 라인으로 공급된 제3 공급전압에 의해 턴온되는 것을 특징으로 하는 인버터
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