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그 표면에 0
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제1항에 있어서,
상기 구형의 볼은 산화실리콘(SiO2) 볼, 사파이어(Al2O3) 볼, 산화타이타늄(TiO2) 볼, 산화지르코늄(ZrO2) 볼, Y2O3-ZrO2 볼, 산화구리(CuO, Cu2O) 볼, 산화탄탈륨(Ta2O5) 볼, PZT(Pb(Zr,Ti)O3) 볼, Nb2O5 볼, FeSO4 볼, Fe3O4 볼, Fe2O3 볼, Na2SO4 볼, GeO2 볼, 또는 CdS 볼로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판
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5
제1항에 있어서,
상기 사파이어 기재 기판과 상기 화합물 반도체층의 결정학적 차이를 완화시켜 상기 화합물 반도체층의 결정 결함 밀도를 최소화하기 위하여 상기 사파이어 기재 기판과 상기 화합물 반도체층 사이에 형성된 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판
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6
제5항에 있어서,
상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN 또는 이들의 조합막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판
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7
제1항에 있어서,
상기 화합물 반도체층은 GaN, AlN, InN 또는 이들의 조합(Ga1-xAl1-yIn1-zN, 0≤x,y,z≤1, x+y+z=1)으로 이루어진 막인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판
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8
제7항에 있어서,
상기 화합물 반도체층은 Si, Ge, Mg, Zn, O, Se, Mn, Ti, Ni 및 Fe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 이종물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판
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9
제1항 및 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 기재된 화합물 반도체 기판을 이용하여 제조된 화합물 반도체 소자로서,
상기 화합물 반도체층은, 제1도전형의 화합물 반도체층; 상기 제1도전형의 화합물 반도체층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성된 제2도전형의 화합물 반도체층을 포함하는 화합물 반도체 소자
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10
(a) 사파이어 기재 기판의 표면에 화학적 기계적 연마(Chemical Mechanical Polishing)를 행하여, 상기 표면에 0
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12
삭제
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13
제10항에 있어서,
상기 구형의 볼은 산화실리콘(SiO2) 볼, 사파이어(Al2O3) 볼, 산화타이타늄(TiO2) 볼, 산화지르코늄(ZrO2) 볼, Y2O3-ZrO2 볼, 산화구리(CuO, Cu2O) 볼, 산화탄탈륨(Ta2O5) 볼, PZT(Pb(Zr,Ti)O3) 볼, Nb2O5 볼, FeSO4 볼, Fe3O4 볼, Fe2O3 볼, Na2SO4 볼, GeO2 볼, 또는 CdS 볼로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판의 제조방법
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14
제10항에 있어서,
상기 (a) 단계와 (c) 단계의 사이에, 상기 사파이어 기재 기판과 상기 화합물 반도체층의 결정학적 차이를 완화시켜 상기 화합물 반도체층의 결정 결함 밀도를 최소화하기 위하여 상기 사파이어 기재 기판과 상기 화합물 반도체층 사이에 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판의 제조방법
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15
제14항에 있어서,
상기 버퍼층은 GaN, AlN, AlGaN 또는 이들의 조합막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판의 제조방법
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16
제10항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 GaN, AlN, InN 또는 이들의 조합(Ga1-xAl1-yIn1-zN, 0≤x,y,z≤1, x+y+z=1)으로 이루어진 막인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판의 제조방법
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17
제16항에 있어서, 상기 화합물 반도체층은 Si, Ge, Mg, Zn, O, Se, Mn, Ti, Ni 및 Fe로 이루어진 군 중에서 선택된 1종 이상의 이종물질을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 기판의 제조방법
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18
제10항 및 제13항 내지 제17항 중 어느 한 항에 기재된 단계들을 포함하고,
상기 (c) 단계가,
(c1) 제1도전형의 화합물 반도체층을 성장시키는 단계;
(c2) 상기 제1도전형의 화합물 반도체층 상에 활성층을 형성하는 단계; 및
(c3) 상기 활성층 상에 형성된 제2도전형의 화합물 반도체층을 성장시키는 단계;를 포함하는 화합물 반도체 소자의 제조방법
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