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n형 웨이퍼 기판의 후면에 제1 불순물 확산영역을 형성하는 단계;상기 제1 불순물 확산영역 주변에 상기 불순물의 확산을 억제하는 확산 방지부를 형성하는 단계;상기 기판의 후면에 상기 제1 불순물 확산영역과 접촉하지 않도록 제2 불순물 확산영역을 형성하는 단계; 및상기 각 확산영역에 연결된 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 백 컨택 태양전지의 전극 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 후면 전극을 형성하는 단계 이전에, 상기 기판 후면에 후면 패시베이션(passivation)층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 후면 패시베이션층은, 급속 열처리법(RTP; Rapid Thermal Process) 또는 스퍼터링법(sputtering)으로 형성된 급속 열산화물층(RTO; Rapid Thermal Oxide) 또는 비정질 실리콘층인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법
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제3항에 있어서,상기 급속 열처리법의 수행 온도는 700℃ 내지 1100℃ 인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 후면 전극을 형성하는 단계 이후에, 상기 기판 전면에 전면 패시베이션층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법
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제5항에 있어서, 상기 전면 패시베이션층은 실리콘 질화물층인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 3족 원소로 이루어지는 p형 반도체 불순물과 5족 원소로 이루어지는 n형 반도체 불순물 중에서 각각 선택하되, 서로 다른 타입의 불순물 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 불순물 확산영역, 확산 방지부, 및 제2 불순물 확산영역의 형성은 스크린 인쇄법 또는 인쇄법을 통해 수행되는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지의 제조 방법
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n형 웨이퍼 기판의 후면에, 불순물의 확산을 억제하는 확산 방지부에 의해 서로 접촉하지 않도록 이격되고 서로 다른 영역의 불순물로 구성된 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역;상기 제1 불순물 확산 영역 및 제2 불순물 확산 영역에 연결되고 양극과 음극으로 구성되는 후면 전극을 포함하는 백 컨택 태양전지
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제9항에 있어서, 상기 기판의 전면 또는 후면에 패시베이션층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 3족 원소로 이루어지는 p형 반도체 불순물과 5족 원소로 이루어지는 n형 반도체 불순물 중에서 각각 선택하되, 서로 다른 타입의 불순물 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지
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제9항에 있어서,상기 제1 불순물 확산영역과 제2 불순물 확산영역은, 서로 접촉하지 않으면서 서로의 영역에 교차 삽입되는 형태인 것을 특징으로 하는 백 컨택 태양전지
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