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실리콘 태양전지의 텍스처링 방법

  • 기술번호 : KST2015051057
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법에 관한 것으로서, (a) 실리콘 기판의 상부에 상기 실리콘 기판과 반대 도전형의 에미터층을 형성하는 단계; (b) 스퍼터링법을 이용하여 상기 에미터층 상부에 금속 입자를 증착하는 단계; (c) 상기 금속 입자가 증착되어 있는 상태로 상기 실리콘 기판의 상부를 습식 식각하여 상기 실리콘 기판 상부를 텍스처링하는 단계; 및 (d) 상기 습식 식각 후 잔류하는 금속 입자를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 태양전지용 실리콘 기판에 손상을 가하지않는 간단한 공정으로 실리콘 기판의 전면을 텍스처링할 수 있다. 또한, 종래 사용된 텍스처링 방법(반사도 : 8%)에 비해 1~3% 대의 낮은 반사도를 제공할 수 있다. 태양전기, 텍스처링, 스퍼터링, 실리콘 기판, 다결정 실리콘
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080000809 (2008.01.03)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0971658-0000 (2010.07.15)
공개번호/일자 10-2009-0075049 (2009.07.08) 문서열기
공고번호/일자 (20100722) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.03)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 곽계영 대한민국 대전 서구
2 도영구 대한민국 대전 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.01.03 수리 (Accepted) 1-1-2008-0004882-15
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2008.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0199535-04
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 취하 (Withdrawal) 1-1-2010-0284360-31
8 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0283984-32
9 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0290649-16
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0300407-65
11 [우선심사신청 취하]취하(포기)서
[Withdrawal of Request for Accelerated Examination] Request for Withdrawal (Abandonment)		 2010.05.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0301048-45
12 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.05.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
13 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2010-0028400-96
14 등록결정서
Decision to grant		 2010.07.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0295753-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 실리콘 기판의 상부에 상기 실리콘 기판과 반대 도전형의 에미터층을 형성하는 단계; (b) 스퍼터링법을 이용하여 상기 에미터층 상부에 금속 입자를 증착하는 단계; (c) 상기 금속 입자가 증착되어 있는 상태로 상기 실리콘 기판의 상부를 습식 식각하여 상기 실리콘 기판 상부를 텍스처링하는 단계; 및 (d) 상기 습식 식각 후 잔류하는 금속 입자를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
2 2
제1항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 다결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 (c) 단계는, HF, H2O2 및 H2O가 혼합된 습식 에천트를 이용하여 습식 식각하는 단계임을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
4 4
제3항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 상기 습식 에천트의 조성비를 조절하여 텍스처링되는 홀의 깊이를 조정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 스퍼터링 시 플라즈마가 발생하는 최소 전력 조건에서 금속 입자의 증착 시간을 조정하여 섬 형태로 금속 입자를 증착하는 단계임을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 금속 입자의 증착 시간은 10 내지 30초 범위에서 조정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
7 7
제1항에 있어서, 상기 금속 입자는 직경이 10 내지 30 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
8 8
제1항에 있어서, 상기 금속 입자는 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
9 9
제8항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 잔류하는 금속 입자가 Au인 경우, I(iodine) 및 KI(potassium iodine)가 혼합된 수용액을 사용하고, 상기 잔류하는 금속 입자가 Ag인 경우, Nitrate 계열(NO32-)의 수용액을 사용하고, 상기 잔류하는 금속 입자가 Cu인 경우, Bromide 계열, Chloride 계열, Nitrate 계열 및 sulfate 계열의 수용액 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합된 수용액을 사용하고, 상기 잔류하는 금속 입자가 Pt 또는 Pd인 경우, Chloride 계열 및 Nitrate 계열의 수용액 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합된 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
10 10
(a) 실리콘 잉곳을 슬라이싱 가공한 실리콘 기판을 준비하는 단계; (b) 스퍼터링법을 이용하여 상기 실리콘 기판 상부에 금속 입자를 증착하는 단계; (c) 상기 금속 입자가 증착되어 있는 상태로 상기 실리콘 기판의 상부 및 하부를 동시에 습식 식각하여 상기 실리콘 기판 상부 및 하부에 잔류하는 손상층을 제거하고, 상기 실리콘 기판 상부를 텍스처링하는 단계; 및 (d) 상기 습식 식각 후 잔류하는 금속 입자를 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 실리콘 기판은 다결정 실리콘 기판인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
12 12
제10항에 있어서, 상기 (c) 단계는, HF, H2O2 및 H2O가 혼합된 습식 에천트를 이용하여 습식 식각하는 단계임을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
13 13
제12항에 있어서, 상기 (c) 단계는, 상기 습식 에천트의 조성비를 조절하여 텍스처링되는 홀의 깊이를 조정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
14 14
제10항에 있어서, 상기 (b) 단계는, 스퍼터링 시 플라즈마가 발생하는 최소 전력 조건에서 금속 입자의 증착 시간을 조정하여 섬 형태로 금속 입자를 증착하는 단계임을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
15 15
제14항에 있어서, 상기 금속 입자의 증착 시간은 10 내지 30초 범위에서 조정하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
16 16
제10항에 있어서, 상기 금속 입자의 직경은 10 내지 30 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
17 17
제10항에 있어서, 상기 금속 입자는 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합물인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
18 18
제17항에 있어서, 상기 (d) 단계는, 상기 잔류하는 금속 입자가 Au인 경우, I(iodine) 및 KI(potassium iodine)가 혼합된 수용액을 사용하고, 상기 잔류하는 금속 입자가 Ag인 경우, Nitrate 계열(NO32-)의 수용액을 사용하고, 상기 잔류하는 금속 입자가 Cu인 경우, Bromide 계열, Chloride 계열, Nitrate 계열 및 sulfate 계열의 수용액 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합된 수용액을 사용하고, 상기 잔류하는 금속 입자가 Pt 또는 Pd인 경우, Chloride 계열 및 Nitrate 계열의 수용액 중 선택된 어느 하나 또는 이들의 혼합된 수용액을 사용하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 텍스처링 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 EP02227830 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
2 US20090183776 US 미국 FAMILY
3 WO2009084933 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
4 WO2009084933 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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1 EP2227830 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
2 EP2227830 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
3 US2009183776 US 미국 DOCDBFAMILY
4 WO2009084933 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
5 WO2009084933 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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