요약 | 본 발명은 신규한 이미다졸(imidazole) 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기전자소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.이미다졸, 안트라센, 유기전자소자, 유기발광소자 |
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Int. CL | C09K 11/06 (2006.01) C09K 11/00 (2006.01) C07D 233/64 (2006.01) |
CPC | C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) |
출원번호/일자 | 1020080005113 (2008.01.16) |
출원인 | 주식회사 엘지화학 |
등록번호/일자 | 10-1317531-0000 (2013.10.04) |
공개번호/일자 | 10-2009-0079133 (2009.07.21) 문서열기 |
공고번호/일자 | (20131015) 문서열기 |
국제출원번호/일자 | |
국제공개번호/일자 | |
우선권정보 | |
법적상태 | 등록 |
심사진행상태 | 수리 |
심판사항 | |
구분 | 신규 |
원출원번호/일자 | |
관련 출원번호 | |
심사청구여부/일자 | Y (2011.01.17) |
심사청구항수 | 30 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 주식회사 엘지화학 | 대한민국 | 서울특별시 영등포구 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 이동훈 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
2 | 김연환 | 대한민국 | 서울특별시 양천구 |
3 | 함윤혜 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
4 | 김공겸 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
5 | 이재철 | 대한민국 | 대전광역시 유성구 |
6 | 김성소 | 대한민국 | 경기도 파주시 |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 정순성 | 대한민국 | 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소) |
번호 | 이름 | 국적 | 주소 |
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1 | 주식회사 엘지화학 | 서울특별시 영등포구 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
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1 | [특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application |
2008.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0038249-64 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative) |
2010.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0598286-81 |
3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination) |
2011.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0039106-16 |
4 | 의견제출통지서 Notification of reason for refusal |
2012.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0566879-77 |
5 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2012.11.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0970272-48 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2012.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0970271-03 |
7 | 최후의견제출통지서 Notification of reason for final refusal |
2013.03.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0209099-87 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation) |
2013.04.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0321432-47 |
9 | [명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment |
2013.04.12 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0321433-93 |
10 | 등록결정서 Decision to grant |
2013.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0671753-09 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information |
2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
번호 | 청구항 |
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1 |
1 하기 화학식 1로 표시되는 이미다졸 유도체:[화학식 1] 상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 아미노기로 이루어진 군에서 선택되고, R3 내지 R10 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 기이며,[화학식 2][화학식 3]상기 화학식 2 및 3에 있어서, 상기 R11 내지 R16 은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, L1 및 L2 는 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C25~C40의 스피로기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C25~C40의 열린 스피로기로 이루어진 군에서 선택되고,R3 내지 R10 중 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 기가 아닌 나머지는 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된다 |
2 |
2 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 아릴기인 것인 이미다졸 유도체 |
3 |
3 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 헤테로아릴기인 것인 이미다졸 유도체 |
4 |
4 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 동일한 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 아미노기인 것인 이미다졸 유도체 |
5 |
5 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 이미다졸 유도체:상기 화학식에서 Z1 내지 Z3은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택될 수 있다 |
6 |
6 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 R11, R12 및 R13 중에서 선택된 둘 이상; 및 화학식 3의 R14, R15 및 R16 중에서 선택된 둘 이상은 동일한 아릴기인 것인 이미다졸 유도체 |
7 |
7 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 R11, R12 및 R13 중에서 선택된 둘 이상; 및 화학식 3의 R14, R15 및 R16 중에서 선택된 둘 이상은 동일한 헤테로아릴기인 것인 이미다졸 유도체 |
8 |
8 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 R11, R12 및 R13 중에서 선택된 둘 이상; 및 화학식 3의 R14, R15 및 R16 중에서 선택된 둘 이상은 동일한 아릴기 또는 헤테로아릴기로 치환된 아미노기인 것인 이미다졸 유도체 |
9 |
9 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 R11, R12 및 R13 중에서 적어도 하나; 및 화학식 3의 R14, R15 및 R16 중에서 적어도 하나는 수소인 것인 이미다졸 유도체 |
10 |
10 청구항 1에 있어서, 상기 화학식 2의 L1 및 L2는 직접결합이거나 하기 화학식으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 이미다졸 유도체: |
11 |
11 청구항 1에 있어서, 상기 이미다졸 유도체는 하기 화학식 4 내지 7로 표시되는 화합물로부터 선택되는 것인 이미다졸 유도체:[화학식 4][화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] 상기 화학식 4 내지 7에 있어서, 상기 R1 내지 R16, L1 및 L2는 청구항 1에서 정의된 바와 같다 |
12 |
12 청구항 11에 있어서, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸 유도체: |
13 |
13 청구항 11에 있어서, 상기 화학식 5로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸 유도체: |
14 |
14 청구항 11에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸유도체: |
15 |
15 청구항 11에 있어서, 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸 유도체: |
16 |
16 제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 이미다졸 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자로서,상기 이미다졸 유도체는 하기 화학식 1로 표시되는 이미다졸 유도체인 유기전자소자:[화학식 1] 상기 화학식 1에 있어서, R1 및 R2는 서로 같거나 상이하고, 독립적으로 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 아미노기로 이루어진 군에서 선택되고, R3 내지 R10 중 적어도 하나는 하기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 기이며,[화학식 2][화학식 3]상기 화학식 2 및 3에 있어서, 상기 R11 내지 R16 은 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알콕시기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 아미노기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며, L1 은 C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C25~C40의 스피로기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C25~C40의 열린 스피로기로 이루어진 군에서 선택되고,L2 는 직접결합이거나; C1-C40의 알킬기, C2-C40의 알케닐기, C2-C40의 알키닐기, C1-C40의 알콕시기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C2~C40의 알케닐렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기; C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C25~C40의 스피로기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C25~C40의 열린 스피로기로 이루어진 군에서 선택되고,R3 내지 R10 중 상기 화학식 2 또는 화학식 3으로 표시되는 기가 아닌 나머지는 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C1~C40의 알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C3~C40의 시클로알킬기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기; 및 C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴아민기로 이루어진 군에서 선택된다 |
17 |
17 청구항 16에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기전자소자 |
18 |
18 청구항 16에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자인 것인 유기전자소자 |
19 |
19 청구항 18에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자 |
20 |
20 청구항 18에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자 |
21 |
21 청구항 18에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 정공주입층, 정공수송층, 전자주입층, 전자수송층, 및 전자주입 및 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1층 이상과 발광층을 포함하는 것인 유기전자소자 |
22 |
22 청구항 18에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 이미다졸 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자 |
23 |
23 청구항 18에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 전자수송층, 전자주입층, 및 전자수송 및 주입층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1층 이상을 포함하는 것인 유기전자소자 |
24 |
24 청구항 18에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 정공수송과 발광을 동시에 하는 층을 포함하는 것인 유기전자소자 |
25 |
25 청구항 18에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 발광과 전자수송을 동시에 하는 층을 포함하는 것인 유기전자소자 |
26 |
26 청구항 16에 있어서, 상기 이미다졸 유도체는 하기 화학식 4 내지 7로 표시되는 화합물로부터 선택되는 것인 이미다졸 유도체인 유기전자소자:[화학식 4][화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] 상기 화학식 4 내지 7에 있어서, 상기 R1 내지 R16, L1 및 L2는 청구항 16에서 정의된 바와 같다 |
27 |
27 청구항 26에 있어서, 상기 화학식 4로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸 유도체인 유기전자소자: |
28 |
28 청구항 26에 있어서, 상기 화학식 5로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸 유도체인 유기전자소자: |
29 |
29 청구항 26에 있어서, 상기 화학식 6으로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸유도체인 유기전자소자: |
30 |
30 청구항 26에 있어서, 상기 화학식 7로 표시되는 화합물은 R3 내지 R10이 수소인 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 이미다졸 유도체인 유기전자소자: |
지정국 정보가 없습니다 |
---|
패밀리정보가 없습니다 |
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국가 R&D 정보가 없습니다. |
---|
특허 등록번호 | 10-1317531-0000 |
---|
표시번호 | 사항 |
---|---|
1 |
출원 연월일 : 20080116 출원 번호 : 1020080005113 공고 연월일 : 20131015 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20130927 청구범위의 항수 : 30 유별 : C09K 11/06 발명의 명칭 : 신규한 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자 존속기간(예정)만료일 : |
순위번호 | 사항 |
---|---|
1 |
(권리자) 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구... |
제 1 - 3 년분 | 금 액 | 1,215,000 원 | 2013년 10월 04일 | 납입 |
제 4 년분 | 금 액 | 700,000 원 | 2016년 09월 28일 | 납입 |
제 5 년분 | 금 액 | 700,000 원 | 2017년 09월 19일 | 납입 |
제 6 년분 | 금 액 | 700,000 원 | 2018년 10월 01일 | 납입 |
제 7 년분 | 금 액 | 1,240,000 원 | 2019년 10월 01일 | 납입 |
제 8 년분 | 금 액 | 1,240,000 원 | 2020년 09월 28일 | 납입 |
번호 | 서류명 | 접수/발송일자 | 처리상태 | 접수/발송번호 |
---|---|---|---|---|
1 | [특허출원]특허출원서 | 2008.01.16 | 수리 (Accepted) | 1-1-2008-0038249-64 |
2 | [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 | 2010.09.15 | 수리 (Accepted) | 1-1-2010-0598286-81 |
3 | [심사청구]심사청구(우선심사신청)서 | 2011.01.17 | 수리 (Accepted) | 1-1-2011-0039106-16 |
4 | 의견제출통지서 | 2012.09.25 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2012-0566879-77 |
5 | [명세서등 보정]보정서 | 2012.11.23 | 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) | 1-1-2012-0970272-48 |
6 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2012.11.23 | 수리 (Accepted) | 1-1-2012-0970271-03 |
7 | 최후의견제출통지서 | 2013.03.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0209099-87 |
8 | [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 | 2013.04.12 | 수리 (Accepted) | 1-1-2013-0321432-47 |
9 | [명세서등 보정]보정서 | 2013.04.12 | 보정승인 (Acceptance of amendment) | 1-1-2013-0321433-93 |
10 | 등록결정서 | 2013.09.27 | 발송처리완료 (Completion of Transmission) | 9-5-2013-0671753-09 |
11 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.01.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5000389-31 |
12 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2015.12.02 | 수리 (Accepted) | 4-1-2015-5161532-51 |
13 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.11.12 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5227604-80 |
14 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2018.12.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2018-5261818-30 |
15 | 출원인정보변경(경정)신고서 | 2019.08.19 | 수리 (Accepted) | 4-1-2019-5164284-96 |
기술번호 | KST2015051115 |
---|---|
자료제공기관 | NTB |
기술공급기관 | LG그룹 |
기술명 | 신규한 이미다졸 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자 |
기술개요 |
본 발명은 신규한 이미다졸(imidazole) 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기전자소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.이미다졸, 안트라센, 유기전자소자, 유기발광소자 |
개발상태 | |
기술의 우수성 | |
응용분야 | |
시장규모 및 동향 | |
희망거래유형 | |
사업화적용실적 | |
도입시고려사항 |
과제정보가 없습니다 |
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