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실리콘 태양전지

기술번호 : KST2015051323
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 실리콘 태양전지와 이의 제조방법에 관한 것으로서, 태양광을 흡수하나 발전에 기여하지 못하는 실리콘 웨이퍼 기판 상의 p-n 접합의 상부층의 두께를 최소화함과 동시에 높은 광기전력을 가지도록 하는 실리콘 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 보다 구체적으로 본 발명은 제 1 전도형 실리콘 기판, 상기 제 1 전도형 실리콘 기판의 상부에 형성되는 제 2 전도형 실리콘 접합층; 및 상기 제 2 전도형 실리콘 접합층 상에 형성되는 제 2 전도형 실리콘 박막층을 포함하는 실리콘 태양전지와 이를 제조하는 방법이 제공된다. p-n 접합, 열 확산, 광기전력, 두께, 박막, 밴드갭 에너지
Int. CL	H01L 31/0445 (2014.01)
CPC	H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01)
출원번호/일자	1020080011250 (2008.02.04)
출원인	엘지전자 주식회사
등록번호/일자	10-1484620-0000 (2015.01.14)
공개번호/일자	10-2009-0085391 (2009.08.07) 문서열기
공고번호/일자	(20150121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항	심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.11.29)
심사청구항수	5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김범성	대한민국	경기도 안양시 동안구
2	윤주환	대한민국	경기 부천시 원미구
3	김종대	대한민국	서울 송파구
4	고지훈	대한민국	서울특별시 성북구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박병창	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로길 , 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지전자 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.02.04	수리 (Accepted)	1-1-2008-0091032-41
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2010.04.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0219337-88
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0991446-22
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0823714-05
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0085835-08
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0085831-15
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.04.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0239438-44
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.06.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0524246-46
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.06.03	수리 (Accepted)	1-1-2014-0524247-92
13	거절결정서 Decision to Refuse a Patent	2014.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0732059-29
14	명세서 등 보정서(심사전치) Amendment to Description, etc(Reexamination)	2014.11.18	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2014-0043692-87
15	등록결정서 Decision to grant	2015.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0019848-91
16	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
17	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 제 1 전도형 실리콘 기판;상기 제 1 전도형 실리콘 기판의 전면(前面) 위에 형성되며 p-n 접합을 형성하는 제 2 전도형 실리콘 접합층;상기 제 2 전도형 실리콘 접합층의 전면 위에 형성되고, 상기 제 2 전도형 실리콘 접합층보다 높은 밴드갭 에너지를 가지며, 적어도 한 개 층 이상의 제 2 전도형 수소화 실리콘 박막층; 및 상기 제 2 전도형 수소화 실리콘 박막층 위에 형성되는 전면 전극을 포함하는 실리콘 태양전지
2	2 제1항에 있어서, 상기 제 1 전도형 실리콘 기판과 상기 제 2 전도형 실리콘 접합층에 의해 형성되는 접합의 면저항은 100 내지 1500 Ω/sq 인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
3	3 제1항에 있어서, 상기 제 2 전도형 수소화 실리콘 박막층은, 제 2 전도형 수소화 비정질 실리콘(a-Si:H), 제 2 전도형 수소화 미세결정질 실리콘(μc-S:H), 및 상기 제 2 전도형 수소화 미세결정질 실리콘(μc-S:H)을 부분적으로 포함하는 제 2 전도형 수소화 비정질 실리콘(a-Si:H) 중에서 선택되는 적어도 하나의 물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
4	4 제1항에 있어서, 상기 제 2 전도형 수소화 실리콘 박막층의 두께는 2nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
5	5 제1항에 있어서, 상기 제 1 전도형 및 제 2 전도형은 p형 및 n형 중 어느 하나를 가지면서 서로 동일하지 않은 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1484620-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080204 출원 번호 : 1020080011250 공고 연월일 : 20150121 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20150109 청구범위의 항수 : 5 유별 : H01L 31/0445 발명의 명칭 : 실리콘 태양전지 존속기간(예정)만료일 : 20180115

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	240,000 원	2015년 01월 14일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.02.04	수리 (Accepted)	1-1-2008-0091032-41
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.08.08	수리 (Accepted)	4-1-2008-5128387-76
3	출원인정보변경(경정)신고서	2009.04.27	수리 (Accepted)	4-1-2009-5080835-50
4	출원인정보변경(경정)신고서	2009.11.03	수리 (Accepted)	4-1-2009-0023850-26
5	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2010.04.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0219337-88
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.11.29	수리 (Accepted)	1-1-2012-0991446-22
7	의견제출통지서	2013.11.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0823714-05
8	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.01.27	수리 (Accepted)	1-1-2014-0085835-08
9	[명세서등 보정]보정서	2014.01.27	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0085831-15
10	의견제출통지서	2014.04.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0239438-44
11	[명세서등 보정]보정서	2014.06.03	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0524246-46
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.06.03	수리 (Accepted)	1-1-2014-0524247-92
13	거절결정서	2014.10.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0732059-29
14	명세서 등 보정서(심사전치)	2014.11.18	보정승인 (Acceptance of amendment)	7-1-2014-0043692-87
15	등록결정서	2015.01.09	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2015-0019848-91
16	출원인정보변경(경정)신고서	2015.05.22	수리 (Accepted)	4-1-2015-5068349-97
17	출원인정보변경(경정)신고서	2020.05.28	수리 (Accepted)	4-1-2020-5118228-40


기술번호	KST2015051323
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	실리콘 태양전지
기술개요	본 발명은 실리콘 태양전지와 이의 제조방법에 관한 것으로서, 태양광을 흡수하나 발전에 기여하지 못하는 실리콘 웨이퍼 기판 상의 p-n 접합의 상부층의 두께를 최소화함과 동시에 높은 광기전력을 가지도록 하는 실리콘 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 보다 구체적으로 본 발명은 제 1 전도형 실리콘 기판, 상기 제 1 전도형 실리콘 기판의 상부에 형성되는 제 2 전도형 실리콘 접합층; 및 상기 제 2 전도형 실리콘 접합층 상에 형성되는 제 2 전도형 실리콘 박막층을 포함하는 실리콘 태양전지와 이를 제조하는 방법이 제공된다. p-n 접합, 열 확산, 광기전력, 두께, 박막, 밴드갭 에너지
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

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번호	심판번호(숫자)	심판번호(문자)	사건의표시	청구일	심결일자
1	2014101007093	2014원7093	2008년 특허출원 제0011250호 거절결정불복	2014.11.18	2015.01.09

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