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다층 투명전도층을 구비한 태양전지 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015051381
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면 태양전지의 투명전도층을 서로 다른 산소 함유량 및 서로 다른 광흡수 계수를 가지는 복수 개의 층으로 구성함으로써 광전변환층으로 흡수되는 태양광의 비율을 증가시키는 태양전지 및 그 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따르면 기판과 광전 변환층 사이에 투명전도층을 포함하는 태양전지에 있어서, 상기 투명전도층이 상기 기판 상에 형성되는 제1층 및 상기 제1층 상에 형성되며 상기 제1층보다 높은 광 흡수계수를 갖는 제2층을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지가 제공된다. 태양전지, 투명전도층, 다층구조, 투과층, 전도층, 헤이즈율
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020080011157 (2008.02.04)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1000057-0000 (2010.12.03)
공개번호/일자 10-2009-0085324 (2009.08.07) 문서열기
공고번호/일자 (20101210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.07)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 지광선 대한민국 서울 동작구
2 어영주 대한민국 서울 광진구
3 이헌민 대한민국 경기 광주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0090496-33
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219337-88
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0295581-72
7 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2010.05.07 수리 (Accepted) 1-1-2010-0295589-36
8 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search		 2010.05.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search		 2010.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2010-0027864-88
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.06.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0269311-54
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0492727-62
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0492731-45
13 등록결정서
Decision to grant		 2010.09.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0434316-19
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명 기판, 상기 투명 기판 상의 투명 전도층, 및 상기 투명 전도층 상의 광전 변환층을 포함하고, 상기 투명전도층은 상기 투명 기판보다 굴절율이 크고, 상기 투명전도층의 임의의 제1 영역의 산소함유량이, 상기 제1 영역보다 상기 광전 변환층에 근접한 상기 투명전도층의 제2 영역의 산소함유량보다 높고, 상기 제2 영역의 광 흡수계수가 상기 제1 영역의 광 흡수계수보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 투명 전도층은, 상기 투명 기판에 가깝게 위치하고 제1 산소함유량을 갖는 투과층; 상기 광전 변환층에 가깝게 위치하고, 상기 제1 산소함유량보다 작은 제2 산소함유량를 갖는 전도층; 및 상기 투과층과 상기 전도층 사이에 위치하고 산소함유량이 상기 제1 산소함유량에서 상기 제2 산소함유량으로 감소하는 중간층;을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서, 상기 투명 전도층의 산소함유량은 상기 제1 영역으로 부터 상기 제2 영역으로 갈수록 감소하는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 제1 영역의 결정도가 상기 제2 영역의 결정도보다 상대적으로 높은 것을 특징으로 하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 영역의 굴절율과 상기 제2 영역의 굴절율이 서로 다른 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 영역의 광학적 밴드갭(band gap) 에너지는 상기 제2 영역의 밴드갭 에너지보다 상대적으로 낮은 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 제1 영역의 비저항은 상기 제2 영역의 비저항보다 상대적으로 높은 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 투명전도층은, 산화아연(ZnO)계 물질, 산화주석(SnO2), 및 산화인듐주석(In2O3:SnO2, ITO) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 물질이거나, 또는 이들 물질에 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 불소(F), 게르마늄(Ge), 마그네슘(Mg), 보론(B), 인듐(In), 주석(Sn), 리튬(Li) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 물질이 도핑된 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
투명 기판과 광전 변환층 사이에 투명전도층을 포함하는 태양전지의 제조방법에 있어서, 상기 투명 기판 위에, 상기 투명 기판으로부터의 거리가 멀어짐에 따라 산소 함유량이 감소되는 투명전도층을 증착하는 단계를 포함하고, 상기 투명전도층의 굴절율은 상기 투명 기판의 굴절율보다 크며, 상기 투명전도층의 임의의 제1 영역의 산소함유량이, 상기 제1 영역보다 상기 광전 변환층에 근접한 상기 투명전도층의 제2 영역의 산소함유량보다 높고, 상기 제2 영역의 광 흡수계수가 상기 제1 영역의 광 흡수계수보다 큰 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
10 10
제9항에 있어서, 상기 투명전도층은 증착시 유입되는 가스 중 산소의 부피 분율을 점진적으로 감소하면서 증착하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제9항에 있어서, 상기 투명전도층은 산화아연(ZnO)계 물질, 산화주석(SnO2), 및 산화인듐주석(In2O3:SnO2, ITO) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 물질이거나, 또는 이들 물질에 알루미늄(Al), 갈륨(Ga), 불소(F), 게르마늄(Ge), 마그네슘(Mg), 보론(B), 인듐(In), 주석(Sn), 리튬(Li) 중에서 선택된 적어도 어느 하나 이상의 물질이 도핑된 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
13 13
제9항에 있어서, 상기 제1 영역의 굴절율과 상기 제2 영역의 굴절율이 서로 다른 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101933159 CN 중국 FAMILY
2 EP02238627 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP23511470 JP 일본 FAMILY
4 US09209326 US 미국 FAMILY
5 US20090194161 US 미국 FAMILY
6 WO2009099282 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
7 WO2009099282 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101933159 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101933159 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2238627 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2238627 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 JP2011511470 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP2011511470 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 US2009194161 US 미국 DOCDBFAMILY
8 US9209326 US 미국 DOCDBFAMILY
9 WO2009099282 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
10 WO2009099282 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.