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발광 소자 패키지에 있어서,
반도체로 형성되며, 발광 소자가 장착되는 패키지 바디와;
상기 패키지 바디에 구비되고, 상기 발광 소자와 연결되는 트랜지스터와;
상기 패키지 바디에 구비되고, 상기 트랜지스터와 연결되는 내부 컨트롤러와;
상기 발광 소자, 트랜지스터, 및 내부 컨트롤러 중 적어도 어느 하나와 연결되는 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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2
제 1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 BJT(Bipolar Junction Transistor) 또는 FET(Field-Effect Transistor)인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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3
제 1항에 있어서, 상기 트랜지스터는 외부 제어 신호에 의해 상기 발광 소자에 흐르는 전류를 단속하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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4
제 3항에 있어서, 상기 트랜지스터에 인가되는 외부 제어 신호는 디지털 신호인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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5
제 3항에 있어서, 상기 트랜지스터에 인가되는 외부 제어 신호는 펄스 폭 변조 신호인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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6
제 1항에 있어서, 상기 전극은,
상기 패키지 바디의 상면에 위치하며, 상기 발광 소자와 연결되는 상면 전극과;
상기 상면 전극과 연결되며, 상기 패키지 바디의 하면에 위치하는 하면 전극을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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7
제 6항에 있어서, 상기 하면 전극은, 상기 트랜지스터 및 발광 소자와 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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삭제
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9
제 1항에 있어서, 상기 내부 컨트롤러는, 적어도 하나 이상의 트랜지스터로 이루어지는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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10
제 1항에 있어서, 상기 트랜지스터는, 상기 패키지 바디에 도펀트 주입 공정에 의하여 형성된 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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11
제 1항에 있어서, 상기 트랜지스터는,
상기 발광 소자와 전기적으로 연결되며, 상기 패키지 바디에 형성되고 제1전도성을 가지는 제1영역과;
상기 패키지 바디에 형성되며 제2전도성을 가지는 제2영역과;
상기 패키지 바디에 상기 제1영역과 제2영역을 연결하여 형성되는 제3영역을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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12
제 11항에 있어서, 제1영역은 드레인 영역이고, 제2영역은 소스 영역이며, 제3영역은 게이트 산화물인 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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13
제 1항에 있어서, 상기 발광 소자와 연결되는 제너 다이오드를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지
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14
삭제
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15
삭제
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16
발광 소자 패키지의 제조방법에 있어서,
반도체 기판 상에 발광 소자 장착을 위한 장착부 및 관통홀을 형성하는 단계와;
상기 기판 상에 도펀트 주입를 주입하여 트랜지스터 영역을 형성하는 단계와;
상기 기판의 상면 및 하면에, 상기 관통홀을 통하여 서로 연결되며 적어도 일부분이 상기 트랜지스터 영역과 연결되는 상면전극 및 하면전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법
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17
제 16항에 있어서, 제너 다이오드 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법
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18
제 17항에 있어서, 상기 제너 다이오드 영역은 상기 트랜지스터 영역과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법
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19
제 16항에 있어서,
상기 기판의 장착부에 발광 소자를 장착하는 단계와;
상기 발광 소자가 장착된 장착부에 충진재를 충진하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법
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20
제 16항에 있어서, 상기 트랜지스터 영역을 형성하는 단계는,
상기 기판의 하면에 드레인 및 소스 영역을 형성하는 단계와;
상기 드레인 및 소스 영역과 서로 연결되는 게이트 산화물을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 소자 패키지의 제조방법
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