맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자

  • 기술번호 : KST2015051448
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기 전자 소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기 전자 소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.안트라센 유도체, 유기 전자 소자, 유기 발광 소자, 유기 발광 소자 재료
Int. CL C07C 15/28 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01) C07C 15/56 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080015855 (2008.02.21)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1273057-0000 (2013.06.03)
공개번호/일자 10-2009-0090568 (2009.08.26) 문서열기
공고번호/일자 (20130610) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.17)
심사청구항수 10

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배재순 대한민국 대전광역시 유성구
2 김지은 대한민국 대전광역시 유성구
3 홍성길 대한민국 대전광역시 유성구
4 전병선 대한민국 서울 관악구
5 박진균 대한민국 대전광역시 유성구
6 박태윤 대한민국 대전광역시 유성구
7 장혜영 대한민국 대전광역시 서구
8 이재철 대한민국 대전광역시 유성구
9 김성소 대한민국 경기도 파주시
10 김연환 대한민국 서울특별시 양천구
11 조욱동 대한민국 대전광역시 유성구
12 김정곤 대한민국 대전광역시 서구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2008-0130102-09
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0598258-13
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.01.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0039102-23
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.07.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0057475-47
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0559096-70
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-0957863-61
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.12.21 수리 (Accepted) 1-1-2012-1065588-11
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.01.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0059290-25
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0059289-89
11 등록결정서
Decision to grant		 2013.05.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0337214-66
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 나타내는 안트라센 유도체:[화학식 1] 상기 화학식 1 에 있어서, L 은 직접 결합; 또는 C6 ~ C40의 아릴기 또는 C5 ~ C40의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 ~ C40의 아릴렌기이고, Ar1은 C6 ~ C40의 아릴기, C5 ~ C40의 헤테로아릴기 또는 C6 ~ C40의 아릴아미노기로 치환되거나 비치환된 C6 ~ C40의 아릴기이며,Ar2는 C6 ~ C40의 아릴기 또는 C5 ~ C40의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 ~ C40의 아릴기; C6 ~ C40의 아릴기 또는 C5 ~ C40의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 C5 ~ C40의 헤테로아릴기; 및 C6 ~ C40의 아릴기 또는 C5 ~ C40의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 ~ C40의 아릴아미노기로 이루어진 군에서 선택되며,Ar3는 수소; C6 ~ C40의 아릴기 또는 C5 ~ C40의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 ~ C40의 아릴기; C6 ~ C40의 아릴기 또는 C5 ~ C40의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 C5 ~ C40의 헤테로아릴기; 및 C6 ~ C40의 아릴기 또는 C5 ~ C40의 헤테로아릴기로 치환되거나 비치환된 C6 ~ C40의 아릴아미노기로 이루어진 군에서 선택된다
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 나타내는 안트라센 유도체는 하기 화학식 1-1 내지 1-102로 표시되는 화합물을 포함하는 안트라센 유도체:
3 3
할라이드 아릴 화합물과 9번 탄소 위치가 아릴기로 치환된 안트라센 보론 화합물을 팔라듐 촉매 하에 반응시켜 제조하는 것을 특징으로 하는 청구항 1의 안트라센 유도체의 제조방법
4 4
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기 전자 소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1의 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 유기 전자 소자는 유기 발광 소자인 것인 유기 전자 소자
6 6
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조의 유기 발광 소자인 것인 유기 전자 소자
7 7
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자는 기판상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조의 유기 발광 소자인 것인 유기 전자 소자
8 8
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 및 전자 주입 및 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택된 1층 이상을 포함하는 것인 유기 전자 소자
9 9
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자
10 10
청구항 5에 있어서, 상기 유기 발광 소자의 유기물층은 전자 수송층, 전자 주입층, 또는 전자 수송 및 전자 주입층을 포함하고, 이 전자 수송층, 전자 주입층, 및 전자 수송 및 전자 주입층 중 어느 한 층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기 전자 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.