| 요약 |
본 발명은 CIGS 태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CIGS 박막 제조 방법 및 CIGS 태양전지에 관한 것으로, 특히, 중온(300~400℃), 저온(50~300℃), 고온(400~600℃)의 3단계 열처리에 의한 CIGS 박막 제조 방법 및 CIGS 태양전지에 관한 것이다. 본 발명은 태양전지의 광흡수층으로 이용되는 CIGS 박막 제조 방법에 있어서, CIGS 구성물 중 선택된 1종의 물질을 고체상태에서 CIGS시료와 함께 진공 밀폐시킨 후, 고체상태의 상기 물질이 기화되도록 열처리시키는 1차 열처리 단계, 상기 CIGS시료의 표면 또는 입자 사이에서, 기체상태의 상기 물질이 응결되어 막을 형성하도록 열처리시키는 2차 열처리 단계 및 상기 CIGS시료의 표면 또는 입자 사이에서, 상기 막을 형성한 상기 물질의 그레인(Grain)이 성장되도록 열처리시키는 3차 열처리 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 3단계 열처리에 의한 CIGS 박막 제조 방법을 제공하는데, 바람직하게는 상기 CIGS 구성물 중 선택된 1종의 물질로서 셀레늄(Se)을 이용할 수 있다. 본 발명에 따르면, 중온(300~400℃), 저온(50~300℃), 고온(400~600℃)의 3단계 열처리를 통해 효과적인 셀렌화(Selenization)를 유도함으로써, 기화온도가 상대적으로 낮은 셀레늄(Se)으로 인한 비화학양론적 CIGS 구성을 제어하여, 셀레늄(Se)의 그레인 성장을 통해, CIGS 막 밀도를 증가시켜, 결과적으로 화학양론적 CIGS(Cu(In1-xGax)Se2)의 제조가 가능하게 되며, 이를 통해 전기적 특성이 향상된 고효율의 태양전지를 얻을 수 있는 유리한 기술적 효과가 있다. CIGS 태양전지, CIGS 박막, 셀렌화(Selenization), 3단계 열처리
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