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표시장치 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015051939
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 표시장치가 개시되어 있다. 표시장치는 기판; 기판 상에 배치되는 게이트 전극; 게이트 전극을 덮는 절연층; 절연층 상에 배치되는 소오스 전극; 절연층 상에 배치되며, 소오스 전극에 이격되는 드레인 전극; 소오스 전극 및 상기 절연층 사이에 개재되는 제 1 절연막; 드레인 전극 및 절연층 사이에 개재되는 제 2 절연막; 및 소오스 전극 및 드레인 전극 사이에 개재되며, 소오스 전극 및 드레인 전극에 접속되는 반도체층을 포함한다. 탄소나노튜브, off current, 산화막, 표시, 장치
Int. CL G02F 1/136 (2011.01) B82Y 30/00 (2011.01)
CPC G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01)
출원번호/일자 1020080033921 (2008.04.11)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-0941298-0000 (2010.02.01)
공개번호/일자 10-2009-0108484 (2009.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20100211) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.11)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김혜민 대한민국 경기 부천시 원미구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0261372-47
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.16 수리 (Accepted) 9-1-2009-0005026-15
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2009.04.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0209771-87
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.07.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5146412-87
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.07.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0316727-12
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0601519-83
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0601520-29
9 등록결정서
Decision to grant		 2010.01.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0027370-28
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 상기 기판 상에 배치되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮는 절연층; 상기 절연층상에 배치되는 소오스 전극; 상기 절연층상에 배치되며, 상기 소오스 전극에 이격되는 드레인 전극; 상기 소오스 전극 및 상기 절연층 사이에 개재되는 제 1 절연막; 상기 드레인 전극 및 상기 절연층 사이에 개재되는 제 2 절연막; 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극 사이에 개재되며, 상기 소오스 전극 및 상기 드레인 전극에 접속되는 반도체층; 상기 소오스 전극의 측면 및 상기 반도체층 사이에 개재되는 제 3 절연막; 및 상기 드레인 전극의 측면 및 상기 반도체층 사이에 개재되는 제 4 절연막을 포함하는 표시장치
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 플렉서블한 표시장치
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 절연층은 고분자 물질을 포함하는 표시장치
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 제 1 절연막은 상기 소오스 전극에 포함된 물질의 화합물을 포함하고, 상기 제 2 절연막은 상기 드레인 전극에 포함된 물질의 화합물을 포함하는 표시장치
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 반도체층은 전도성 고분자 및 탄소 나노 튜브의 합성물질을 포함하는 표시장치
6 6
제 1 항에 있어서, 제 1 절연막 및 상기 제 3 절연막은 일체로 형성되고, 상기 제 2 절연막 및 상기 제 4 절연막은 일체로 형성되는 표시장치
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 제 3 절연막은 상기 소오스 전극에 포함된 물질의 화합물을 포함하고, 상기 제 4 절연막은 상기 드레인 전극에 포함된 물질의 화합물을 포함하는 표시장치
8 8
기판; 상기 기판 상에 배치되는 게이트 전극; 상기 게이트 전극을 덮는 절연층; 상기 절연층 상에 배치되는 소오스·드레인 전극들; 및 상기 절연층 및 상기 소오스·드레인 전극들 사이에 개재되어, 상기 절연층 및 상기 소오스·드레인 전극들을 결합시키는 결합부재들을 포함하며, 상기 결합부재들은 상기 소오스·드레인 전극에 포함된 물질의 화합물을 포함하는 표시장치
9 9
삭제
10 10
제 8 항에 있어서, 상기 절연층은 고분자 물질을 포함하며, 상기 소오스·드레인 전극들은 금속을 포함하는 표시장치
11 11
제 1 기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계; 상기 제 1 기판 상에 상기 게이트 전극을 덮는 절연층을 형성하는 단계; 제 2 기판 상에 소오스·드레인 전극패턴을 형성하는 단계; 상기 소오스·드레인 전극패턴을 플라즈마에 노출시켜서, 소오스·드레인 전극 및 상기 소오스·드레인 전극 상에 절연막 패턴을 형성하는 단계; 상기 제 2 기판으로부터 상기 소오스·드레인 전극 및 상기 절연막 패턴을 떼어내어, 상기 절연막 패턴과 상기 절연층을 접합시키는 단계; 및 상기 소오스·드레인 전극들 사이 및 상에 반도체층을 형성하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법
12 12
삭제
13 13
삭제
14 14
제 11 항에 있어서, 상기 소오스·드레인 전극 패턴을 플라즈마에 노출시키는 단계에서, 상기 소오스·드레인 전극 패턴에 등방 또는 이방으로 플라즈마를 분사하는 표시장치의 제조방법
15 15
제 11 항에 있어서, 상기 반도체층을 형성하는 단계는 상기 소오스·드레인 전극들 사이 및 상기 소오스·드레인 전극들 상에 탄소나노튜브를 포함하는 고분자 물질층을 형성하는 단계 및 상기 고분자 물질층을 패터닝하는 단계를 포함하는 표시장치의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.