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제 1 서스테인 전압과 제 2 서스테인 전압을 전달받아 푸쉬-풀(push-pull) 방식으로 서스테인 업 출력 전압과 서스테인 다운 출력 전압을 제공하며, 상기 서스테인 업 출력 전압을 제어하는 업 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)와 상기 서스테인 다운 출력 전압을 제어하는 다운 IGBT를 포함하는 서스테인부;상기 서스테인부에 제공되는 전원 전압을 이용하여 기준 전압을 제공하는 기준 전압 제공부; 및상기 기준 전압이 제 1 서스테인 전압의 소정의 비율 전압보다 작은 경우에 상기 업 IGBT를 턴오프시키는 비교부를 포함하며,상기 기준 전압 제공부는 BJT(Bipolar Junction Transistor)와, 제너 다이오드(Zener Diode)를 포함하고,상기 제너 다이오드의 정전압(VR)은 상기 서스테인부에 제공되는 전원 전압(VCC)에서 상기 기준 전압(V2)과 상기 BJT의 오프셋 전압(VOFF)을 뺀 전압(VCC-V2-VOFF)인 지능적 전원 제공 장치
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제1항에 있어서,상기 비교부는 상기 기준 전압과 상기 제 1 서스테인 전압의 소정의 비율 전압을 비교하여 상기 기준 전압이 상기 제 1 서스테인 전압의 소정의 비율 전압보다 작은 경우에 출력 전압을 제공하는 오피 앰프와, 상기 오피 앰프로부터 출력 전압이 제공되는 경우에 상기 업 IGBT의 게이트 전압을 싱크(sink)시키는 싱크부를 포함하는 지능적 전원 제공 장치
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제4항에 있어서,상기 싱크부는 상기 오피 앰프로부터 출력 전압이 제공되는 경우에 턴온되는 모스 트랜지스터로 구성되는 지능적 전원 제공 장치
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제 1 서스테인 전압과 제 2 서스테인 전압을 전달받아 푸쉬-풀(push-pull) 방식으로 서스테인 업 출력 전압과 서스테인 다운 출력 전압을 제공하며, 상기 서스테인 업 출력 전압을 제어하는 업 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)와 상기 서스테인 다운 출력 전압을 제어하는 다운 IGBT를 포함하는 서스테인부;상기 제 1 서스테인 전압의 입력단으로부터 전달되는 과전류를 검출하는 과전류 검출부;상기 과전류 검출부로부터 과전류가 검출되고, 상기 서스테인 업/다운 출력 전압단으로부터 구동 초기의 인러쉬 전류가 전달되면, 상기 서스테인부를 턴오프시키는 보호부를 포함하는 지능적 전원 제공 장치
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제8항에 있어서,상기 과전류 검출부는 상기 제 1 서스테인 전압의 입력단과 상기 업 IGBT의 컬렉터 사이에 배치되며, 홀 소자(Hall Element)로 구성되는 지능적 전원 제공 장치
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제8항에 있어서,상기 보호부는 상기 서스테인 업/다운 출력 전압단으로부터 구동 초기의 인러쉬 전류를 측정하는 인러쉬 전류 측정부와, 상기 과전류 검출부로부터 과전류가 검출되면, 소정의 전압을 출력하는 오피 앰프와, 상기 오피 앰프의 출력과 상기 인러쉬 전류 측정부의 논리곱 게이트와, 상기 논리곱 게이트가 하이의 논리 신호를 출력하는 경우에 상기 서스테인부의 전원 전압을 싱크시키는 싱크부를 포함하는 지능적 전원 제공 장치
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제10항에 있어서,상기 싱크부는 상기 논리곱 게이트가 하이의 논리 신호를 출력하는 경우에 턴온되는 BJT로 구성되는 지능적 전원 제공 장치
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제10항에 있어서,상기 보호부는 상기 인러쉬 전류 측정부와 상기 논리곱 게이트 사이에 짝수 개의 인버터를 더 포함하는 지능적 전원 제공 장치
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제10항에 있어서,상기 인러쉬 전류 측정부는 상기 서스테인 업/다운 출력 전압단과 상기 논리곱 게이트 사이에 배치되며, 부성 온도 계수(Negative Temperature Coefficient; NTC)의 써미스터(Thermistor)로 구성되는 지능적 전원 제공 장치
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