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반도체 패키지의 다열 리드프레임 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015051983
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 패키지의 다열 리드프레임 및 그 제조방법을 제공하기 위한 것으로, 리드프레임 소재에 포토레지스트를 코팅하는 제 1 단계와; 상기 리드프레임 소재를 패터닝하는 제 2 단계와; 패터닝된 상기 리드프레임 소재를 도금 처리하는 제 3 단계와; 상기 포토레지스트를 박리시키는 제 4 단계와; 상기 리드프레임 소재를 에칭하는 제 5 단계;를 포함하여 구성함으로서, 금속성 캐리어 재료를 부분 에칭 및 선택도금을 통하여 다열 리드프레임을 제조하여 기존의 금속성 캐리어 재료 도입 및 리드프레임 구조 형성을 위한 도금에 의한 공정에서 발생하는 문제점과 캐리어 재료의 완전 제거에 따른 원재료비 상승에 대한 부분을 제거하여 생산성 증가 및 상대적으로 원가 절감이 가능한 다열 리드프레임을 제조할 수 있게 되는 것이다.다열 리드, 리드프레임, 선택도금, 에칭, 가림막, 반도체 패키징
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 21/306 (2006.01) H01L 21/288 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020080031466 (2008.04.04)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1250379-0000 (2013.03.28)
공개번호/일자 10-2009-0106007 (2009.10.08) 문서열기
공고번호/일자 (20130405) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.04.04)
심사청구항수 38

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김지윤 대한민국 경기 수원시 영통구
2 신현섭 대한민국 대구 달성군 옥포면 교
3 천현아 대한민국 경기 안산시 상록구
4 엄새란 대한민국 인천 계양구
5 이혁수 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김희곤 대한민국 대전시 유성구 문지로 ***-*(문지동) *동(웰쳐국제특허법률사무소)
2 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)
3 박용순 대한민국 서울특별시 송파구 법원로*길 **, **층 D-****호(문정동)(주심국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 (주)에이엘에스 경기도 안산시 단원구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0244738-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2009.07.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.08.14 수리 (Accepted) 9-1-2009-0047088-19
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0697727-45
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.11.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0475131-40
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2010.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0033918-98
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.02.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0111442-75
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.02.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0111447-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2010.06.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0244354-87
11 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2010.08.05 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2010-0033085-55
12 심사전치출원의 심사결과통지서
Notice of Result of Reexamination		 2010.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0396965-38
13 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment		 2010.09.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0396964-93
14 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2010.10.12 수리 (Accepted) 7-8-2010-0030104-28
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0513740-10
16 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0888755-31
17 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.10.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0888756-87
18 등록결정서
Decision to grant		 2013.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0149733-30
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
리드프레임 소재에 포토레지스트를 코팅하는 제 1 단계와;상기 리드프레임 소재상의 상기 포토레지스트 패터닝 하는 제 2 단계와;패터닝된 상기 리드프레임소재의 다이패드부 이면에 상기 다이패드부의 넓이에 대응되는 도금패턴층이 구비되도록 선택적으로 도금처리를 수행하는 3단계와;상기 포토레지스트를 박리시키는 제 4 단계와;도금재가 없는 위치의 리드프레임소재의 두께가 도금재가 있는 위치의 리드프레임 소재의 두께보다 낮은 영역을 하나 이상 포함하도록 리드프레임 소재를 에칭하는 제 5 단계;를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제 2 단계는,상기 리드프레임 소재의 양면을 동시 또는 순차로 패턴하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 제 2 단계는,양면의 패턴 형상은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
4 4
청구항 2에 있어서,상기 제 2 단계는,양면의 패턴 형상은 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제 3 단계는,상기 리드프레임 소재의 상부 부분에 대한 도금재로서 Ni, Pd, Au, Ag, Co 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
6 6
청구항 1에 있어서,상기 제 3 단계는,상기 리드프레임 소재의 하부 부분에 대한 도금재로서 Ni, Pd, Au, Ag, Co, Sn 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
7 7
청구항 1에 있어서,상기 제 3 단계는,상부 부분과 하부 부분에 대해 동시 또는 순차로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
8 8
청구항 1에 있어서,상기 제 5 단계는,상부 부분과 하부 부분에 대해 동시 또는 순차로 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
9 9
청구항 1에 있어서,상기 제 5 단계는,상부 부분과 하부 부분에 대한 에칭 속도를 서로 달리하여 에칭 깊이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
10 10
청구항 1에 있어서,상기 제 5 단계는,상기 리드프레임 소재에서 잔류 리드프레임이 남을 만큼 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
11 11
청구항 1 내지 청구항 10 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법은,상기 제 5 단계 후 접착재를 올리고, 칩을 올리며, 와이어 본딩을 수행하고, 패키징하며, 잔류 리드프레임에 대한 완전 에칭을 수행하는 제 6 단계;를 더욱 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
12 12
청구항 11에 있어서,상기 제 6 단계에서 상기 접착재는,에폭시수지, 천연고무, 폴리이소프렌, 폴리-1, 2-부타지엔, 폴리이소부텐, 폴리부텐을 포함한 엔류, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시프로피렌, 폴리비닐에틸렌에틸 중에서 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
13 13
리드프레임 소재에 포토레지스트를 코팅하는 코팅 단계와;상기 리드프레임 소재를 패터닝하는 소재패터닝 단계와;패터닝된 상기 리드프레임소재의 다이패드부 이면에 상기 다이패드부의 넓이에 대응되는 도금패턴층이 구비되도록 선택적으로 도금처리를 수행하는 도금 단계와;상기 리드프레임소재의 칩실장 영역 이면에 상기 다이패드부의 넓이에 대응되는 도금패턴층의 반대면에 가림막을 형성하는 가림막패터닝 단계와;도금재가 없는 위치의 리드프레임소재의 두께가 도금재가 있는 위치의 리드프레임 소재의 두께보다 낮은 영역을 하나 이상 포함하도록 상기 리드프레임 소재를 에칭하는 소재에칭 단계와;상기 가림막을 제거하는 가림막제거 단계;를 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
14 14
청구항 13에 있어서,상기 소재패터닝 단계는,상기 리드프레임 소재의 양면을 동시 또는 순차로 패턴하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
15 15
청구항 14에 있어서,상기 소재패터닝 단계는,양면의 패턴 형상은 서로 동일한 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
16 16
청구항 14에 있어서,상기 소재패터닝 단계는,양면의 패턴 형상은 서로 다른 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
17 17
청구항 13에 있어서,상기 도금 단계는,상기 리드프레임 소재의 상부 부분에 대한 도금재로서 Ni, Pd, Au, Ag, Co 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
18 18
청구항 13에 있어서,상기 도금 단계는,상기 리드프레임 소재의 하부 부분에 대한 도금재로서 Ni, Pd, Au, Ag, Co, Sn 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
19 19
청구항 13에 있어서,상기 도금 단계는,상부 부분과 하부 부분에 대해 동시 또는 순차로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
20 20
청구항 13에 있어서,상기 가림막패터닝 단계에서 상기 가림막은,포토레지스트 또는 테이프인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
21 21
청구항 20에 있어서,상기 테이프는,아크릴로니트릴, 폴리 아크릴산 에스테르, 폴리 아크릴산 아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체등의 합성고무계수지 및 이의 변형수지와, 에폭시 타입의 비스페놀(Bisphenol A type epoxy), 페놀 노블락에폭시 수지(Phenol novolac epoxy), 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 수지, 페놀 노보락 에폭시수지, 테트라히드록시페닐메탄형 에폭시수지, 노보락형 에폭시 수지, 레조레신형 에폭시수지, 폴리알콜·폴리글리콜형 에폭시수지, 폴리오레핀형 에폭시수지, 지환식이나 할로겐화 비스페놀을 포함한 에폭시수지 중에서 하나 이상으로 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
22 22
청구항 13에 있어서,상기 소재에칭 단계는,상부 부분과 하부 부분에 대해 동시 또는 순차로 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
23 23
청구항 13에 있어서,상기 소재에칭 단계는,상부 부분과 하부 부분에 대한 에칭 속도를 서로 달리하여 에칭 깊이를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
24 24
청구항 13에 있어서,상기 소재에칭 단계는,상기 리드프레임 소재에서 잔류 리드프레임이 남을 만큼 에칭하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법
25 25
청구항 13에 있어서,상기 반도체 패키지의 다열 리드프레임의 제조방법은,상기 가림막제거 단계 후 접착재를 올리고, 칩을 올리며, 와이어 본딩을 수행하고, 패키징하며, 잔류 리드프레임에 대한 완전 에칭을 수행하는 완전에칭 단계;를 더욱 포함하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
26 26
청구항 25에 있어서,상기 완전에칭 단계에서 상기 접착재는,에폭시수지, 천연고무, 폴리이소프렌, 부타디엔, 폴리이소부텐, 폴리엔을 포함한 엔류, 폴리옥시에틸렌, 폴리옥시프로피렌, 폴리비닐에틸렌에틸 중에서 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 제조방법
27 27
리드프레임소재;상기 리드프레임소재에 칩이 실장되는 홈형상의 칩실장영역을 포함하는 다이패드부; 상기 칩실장영역 이면의 리드프레임소재의 표면에 상기 다이패드부의 넓이에 대응되도록 형성된 도금패턴층; 및상기 리드프레임소재에 도금 처리되어 I/O 패드 부분을 형성하는 도금재;를 포함하되,상기 칩실장영역의 리드프레임소재의 두께가 상기 도금재가 있는 리드프레임소재의 두께보다 낮은 반도체 패키지의 다열 리드프레임
28 28
청구항 27에 있어서,상기 리드프레임소재는,상기 도금재가 없는 위치의 리드프레임소재의 두께가, 상기 도금재가 있는 위치의 리드프레임 소재의 두께보다 낮은 영역을 하나 이상 포함하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임
29 29
청구항 27에 있어서,상기 리드프레임 소재는,잔류 리드프레임을 기준으로 상부의 리드프레임 소재의 높이와 하부의 리드프레임 소재의 높이가 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임
30 30
청구항 27에 있어서,상기 도금재는,상기 리드프레임 소재의 상부 부분을 도금하는 소재는 Ni, Pd, Au, Ag, Co 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 이용하고, 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임
31 31
청구항 27에 있어서,상기 도금재는,상기 리드프레임 소재의 하부 부분을 도금하는 소재는 Ni, Pd, Au, Ag, Co, Sn 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 이용하고, 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임
32 32
청구항 27에 있어서,상기 도금재에 의해 형성된 상기 I/O 패드 부분의 형상은,원형, 타원형, 다각형 중에서 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지의 다열 리드프레임
33 33
리드프레임소재;상기 리드프레임소재에 칩이 실장되는 홈형상의 칩실장영역을 포함하는 다이패드부; 상기 칩실장영역 이면의 리드프레임소재의 표면에 상기 다이패드부의 넓이에 대응되도록 형성된 도금패턴층;상기 리드프레임소재에 도금 처리되어 I/O 패드 부분을 형성하는 도금재; 및상기 칩실장영역을 구성하는 리드프레임소재의 표면에 실장되며 상기 도금재와 와이어 본딩되는 반도체칩;을 포함하되,도금재가 없는 위치의 리드프레임소재의 두께가, 상기 도금재가 있는 위치의 리드프레임 소재의 두께보다 낮은 영역을 하나 이상 포함하는 반도체 패키지
34 34
청구항 33에 있어서,상기 칩은, 상기 리드프레임소재의 표면에 접착재를 매개로 실장되는 반도체 패키지
35 35
청구항 34에 있어서,상기 리드프레임 소재는,잔류 리드프레임을 기준으로 상부의 리드프레임 소재의 높이와 하부의 리드프레임 소재의 높이가 서로 다르게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
36 36
청구항 33에 있어서,상기 도금재는,상기 리드프레임 소재의 상부 부분을 도금하는 소재는 Ni, Pd, Au, Ag, Co 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 이용하고, 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
37 37
청구항 33에 있어서,상기 도금재는,상기 리드프레임 소재의 하부 부분을 도금하는 소재는 Ni, Pd, Au, Ag, Co, Sn 중에서 단일 성분 또는 2원, 3원의 합금층을 이용하고, 단층 혹은 복층으로 도금하는 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
38 38
청구항 33에 있어서,상기 도금재에 의해 형성된 상기 I/O 패드 부분의 형상은,원형, 타원형, 다각형 중에서 하나 이상인 것을 특징으로 하는 반도체 패키지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.