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발광 다이오드(LED)를 구동하기 위해 입력되는 구동제어신호에 따라 정전압 제어신호를 발생시키는 입력부;
상기 입력부에서 발생된 정전압 제어신호에 따라 정전압을 발생시키는 정전압 발생부;
하나 이상의 발광 다이오드가 포함되는 부하에 연결되고, 상기 정전압 발생부에서 발생시킨 정전압에 따라 도통 상태가 결정되는 부하단 스위칭부; 및
상기 부하단 스위칭부와 접지 사이에 위치하여, 상기 부하단 스위칭부를 통해 전류가 흐를 수 있는 경로를 형성하는 피드백 저항 소자를 포함하고,
상기 부하단 스위칭부는 MOS(Metal Oxide Semiconductor) 트랜지스터 또는 FET(Field Effect Transistor)를 포함하며,
상기 트랜지스터의 게이트 단에 상기 정전압 발생부에서 발생된 정전압이 인가되고, 드레인 단은 하나 이상의 발광 다이오드를 포함하는 부하를 통해 전원에 연결되며, 소스 단은 상기 피드백 저항 소자를 통해 접지에 연결되도록 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명을 위한 정전류 공급 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 입력부는 베이스 단에 상기 구동제어신호가 입력되는 트랜지스터 Q1을 포함하고, 상기 트랜지스터 Q1의 컬렉터 단과 전원 사이에는 전류제한용 저항 소자 R1이 연결되며, 상기 트랜지스터 Q1의 에미터 단과 접지 사이에는 전류제한용 저항 소자 R2가 연결되어,
상기 트랜지스터 Q1의 컬렉터 단에 인가되는 전압이 상기 정전압 제어신호의 역할을 수행하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명을 위한 정전류 공급 장치
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제 2 항에 있어서,
상기 트랜지스터 Q1은 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명을 위한 정전류 공급 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 정전압 발생부는 베이스 단에 상기 정전압 제어신호가 입력되는 트랜지스터 Q2를 포함하고, 상기 트랜지스터 Q2의 컬렉터 단은 전원에 연결되며, 상기 트랜지스터 Q2의 에미터 단과 접지 사이에는 전류제한용 저항 소자 R3과 R4가 직렬 연결되어, 상기 저항 소자 R3과 R4의 공통 접점에 상기 정전압이 발생하도록 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명을 위한 정전류 공급 장치
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제 4 항에 있어서,
상기 트랜지스터 Q2는 바이폴라 트랜지스터를 이용하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명을 위한 정전류 공급 장치
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제 1 항에 있어서,
상기 부하단 스위칭부는 트랜지스터에 과도한 전압이 인가되지 않도록 하기 위하여 부하와 직렬 연결되는 분압용 저항 소자를 더 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명을 위한 정전류 공급 장치
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제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 하나의 항에 있어서,
상기 부하단 스위칭부와 피드백 저항 소자의 쌍을 복수 개 포함하고, 상기 각 부하단 스위칭부와 피드백 저항 소자의 쌍은 상기 부하에 병렬로 공통 연결되는 것을 특징으로 하는 발광 다이오드 조명을 위한 정전류 공급 장치
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