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연마재; 산화제; 착물 형성제; 부식억제제; 및 물을 포함하는 CMP 슬러리에 있어서,
상기 부식억제제는 질소 함유 방향족기와 폴리에틸렌옥시드기를 동시에 갖는 화합물을 포함하는 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 화합물은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물인 것이 특징인 CMP 슬러리:
[화학식 1]
상기 화학식 1에서, X는 질소(N) 함유 방향족기이고; Y는 C1~C6의 알킬기, C2~C6의 알케닐기, OH, CO2H, SO3H, 또는 PO3H이며; n은 5~500의 정수이다
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제1항에 있어서, 상기 질소 함유 방향족기는 피롤리닐기, 이미다졸기, 피라졸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 인돌리닐기, 퀴놀리닐기, 및 벤조트리아졸기로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 화합물의 중량평균분자량은 200 내지 1,000,000인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 부식억제제는 0
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제1항에 있어서, 상기 연마재는 금속산화물, 유기입자, 및 유기-무기 복합입자로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제6항에 있어서, 상기 금속산화물은 실리카(SiO2), 알루미나(Al2O3), 세리아(CeO2), 지르코니아(ZrO2), 티타니아(산화티탄) 및 제올라이트로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제6항에 있어서, 상기 유기입자는 (ⅰ)폴리스티렌, 스티렌계 공중합체, 폴리(메타)아크릴레이트, (메타)아크릴레이트계 공중합체, 폴리염화비닐, 폴리아미드, 폴리카보네이트, 및 폴리이미드로 구성된 군에서 선택되거나, (ⅱ)상기 (ⅰ)군에서 선택된 1종 이상의 고분자가 코어, 쉘, 또는 둘다를 구성하는 코어/쉘 구조의 입자인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제6항에 있어서, 상기 금속산화물은 1차 입자의 크기가 10 ~ 200 nm이고, 상기 유기입자는 1차 입자의 크기가 10 ~ 500 nm인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 산화제는 과산화수소, 암모늄 퍼설페이트 (APS), 포타슘 퍼설페이트(KPS), 차아염소산(HOCl), 중크롬산칼륨, 과망간산칼륨, 질산철, 포타슘 페리시아나이드, 과요오드산 칼륨, 차아염소산 나트륨(NaOCl), 삼산화바나듐, 포타슘 브로메이트(KBrO3), 과아세트산, 과벤조산 및 tert-부틸하이트로퍼옥사이드로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 착물 형성제는 아미노산 계열 화합물, 아민 계열 화합물, 및 카르복실산 계열 화합물로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 착물 형성제는 알라닌, 글리신, 시스틴, 히스티딘, 아스파라긴, 구아니딘, 트립토판, 히드라진, 에틸렌디아민, 1,2-디아미노시클로헥산, 디아미노프로피온산, 1,2-디아미노프로판, 1,3-디아미노프로판, 디아미노프로판올, 말레산, 말산, 타르타르산, 시트르산, 말론산, 프탈산, 아세트산, 락트산, 옥살산, 2,3-피리딘디카르복시산, 아스코브산, 아스파르트산, 3,5-피라졸디카르복시산, 퀴날드산, 피리딘카르복시산 및 이들의 염으로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항에 있어서, 상기 CMP 슬러리는 구리 배선 형성용 슬러리인 것이 특징인 CMP 슬러리
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제1항 내지 제13항 중 어느 한 항의 CMP 슬러리를 사용하여 금속막, 산화막, 절연막, 또는 금속 배선을 평탄화하는 것이 특징인 화학기계연마(CMP) 방법
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15
하기 화학식 2의 구조를 갖는 화합물:
[화학식 2]
상기 화학식 2에서, Y는 C1~C6의 알킬기, C2~C6의 알케닐기, OH, CO2H, SO3H, 또는 PO3H이고; Z는 피롤리닐기, 이미다졸기, 피라졸기, 피리디닐기, 피리미디닐기, 인돌리닐기, 퀴놀리닐기, 또는 벤조트리아졸기이며; n은 5~500의 정수이다
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