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미세 패턴의 형성방법

기술번호 : KST2015052128
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 미세 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공통 전극과 화소 전극 간의 핑거부의 선폭을 축소 설계하는 것을 통해 개구율을 개선할 수 있는 미세 패턴의 형성방법에 관한 것이다.이를 위한 본 발명에 따른 미세 패턴의 형성방법은 기판 상에 제 1 두께를 가지는 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 상부에 상기 제 1 금속층과 이종 금속으로 이루어지고, 상기 제 1 두께 대비 4 ~ 5배 두꺼운 제 2 두께를 가지는 제 2 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 금속층 상부에 감광층을 형성하는 단계와; 상기 감광층을 노광 및 현상하여 다수의 감광 패턴을 제 1 선폭으로 형성하는 단계와; 상기 제 2 금속층과 제 1 금속층을 패턴하여, 상기 다수의 감광 패턴의 제 1 선폭 보다 좁은 제 2 선폭으로 다수의 금속 패턴을 형성하는 단계와; 상기 다수의 금속 패턴 상부의 상기 다수의 감광 패턴을 스트립 공정으로 제거하는 단계와; 상기 스트립 공정으로 노출된 상기 다수의 금속 패턴 중, 상기 제 2 금속층을 선택적으로 패턴하여, 상기 제 2 금속층을 제거하고 그 하부의 제 1 금속층을 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL	H01L 21/28 (2006.01) G02F 1/13 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC	G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01) G02F 1/13439(2013.01)
출원번호/일자	1020080039742 (2008.04.29)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1428572-0000 (2014.08.04)
공개번호/일자	10-2009-0114003 (2009.11.03) 문서열기
공고번호/일자	(20140811) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2013.03.29)
심사청구항수	8

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	이승철	대한민국	경기도 고양시 일산서구
2	조흥렬	대한민국	경기도 고양시 일산서구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	네이트특허법인	대한민국	서울특별시 강남구 역삼로 *, *호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2008.04.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0307531-78
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2013.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2013-0275576-99
6	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.11.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.12.16	수리 (Accepted)	9-1-2013-0101782-61
8	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2014.03.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0197503-40
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2014.04.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0404843-13
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2014.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0404842-67
11	등록결정서 Decision to grant	2014.08.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0529258-02

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 제 1 두께를 가지는 제 1 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1 금속층 상부에 상기 제 1 금속층과 이종 금속으로 이루어지고, 상기 제 1 두께 대비 4 ~ 5배 두꺼운 제 2 두께를 가지는 제 2 금속층을 형성하는 단계와;상기 제 1 및 제 2 금속층 상부에 감광층을 형성하는 단계와;상기 감광층을 노광 및 현상하여 다수의 감광 패턴을 제 1 선폭으로 형성하는 단계와;상기 제 2 금속층과 제 1 금속층을 단일 식각공정을 통해 일괄 패턴하여, 상기 다수의 감광 패턴의 제 1 선폭 보다 좁은 제 2 선폭으로 다수의 금속 패턴을 형성하는 단계와;상기 다수의 금속 패턴 상부의 상기 다수의 감광 패턴을 스트립 공정으로 제거하는 단계와;상기 스트립 공정으로 노출된 상기 다수의 금속 패턴 중, 상기 제 2 금속층을 제거하고 그 하부의 제 1 금속층을 노출하는 단계를 포함하는 미세 패턴의 형성방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 금속층은 인듐-틴-옥사이드, 인듐-징크-옥사이드, 몰리브덴 합금, 몰리브덴, 알루미늄, 알루미늄 합금, 크롬 및 구리를 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 제 1 두께는 200 ~ 400Å의 범위로 형성된 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 2 금속층은 구리, 알루미늄 및 알루미늄 합금을 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 2 두께는 800 ~ 2000Å의 범위로 형성된 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제 1 선폭은 4μm가 한계 수치인 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법
7	7 제 1 항에 있어서,상기 제 2 선폭은 1
8	8 제 1 항에 있어서,상기 다수의 금속 패턴은 게이트 배선과 데이터 배선이 수직 교차하여 정의되는 화소 영역에 대응된 화소 전극과 공통 전극인 것을 특징으로 하는 미세 패턴의 형성방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1428572-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20080429 출원 번호 : 1020080039742 공고 연월일 : 20140811 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140801 청구범위의 항수 : 8 유별 : G02F 1/136 발명의 명칭 : 미세 패턴의 형성방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	357,000 원	2014년 08월 04일	납입
제 4 년분	금 액	216,000 원	2017년 07월 13일	납입
제 5 년분	금 액	216,000 원	2018년 07월 13일	납입
제 6 년분	금 액	216,000 원	2019년 07월 23일	납입
제 7 년분	금 액	404,000 원	2020년 07월 20일	납입

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정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2008.04.29	수리 (Accepted)	1-1-2008-0307531-78
2	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
3	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
5	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2013.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2013-0275576-99
6	선행기술조사의뢰서	2013.11.05	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
7	선행기술조사보고서	2013.12.16	수리 (Accepted)	9-1-2013-0101782-61
8	의견제출통지서	2014.03.21	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0197503-40
9	[명세서등 보정]보정서	2014.04.28	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2014-0404843-13
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2014.04.28	수리 (Accepted)	1-1-2014-0404842-67
11	등록결정서	2014.08.01	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0529258-02


기술번호	KST2015052128
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	미세 패턴의 형성방법
기술개요	본 발명은 미세 패턴의 형성방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 공통 전극과 화소 전극 간의 핑거부의 선폭을 축소 설계하는 것을 통해 개구율을 개선할 수 있는 미세 패턴의 형성방법에 관한 것이다.이를 위한 본 발명에 따른 미세 패턴의 형성방법은 기판 상에 제 1 두께를 가지는 제 1 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 금속층 상부에 상기 제 1 금속층과 이종 금속으로 이루어지고, 상기 제 1 두께 대비 4 ~ 5배 두꺼운 제 2 두께를 가지는 제 2 금속층을 형성하는 단계와; 상기 제 1 및 제 2 금속층 상부에 감광층을 형성하는 단계와; 상기 감광층을 노광 및 현상하여 다수의 감광 패턴을 제 1 선폭으로 형성하는 단계와; 상기 제 2 금속층과 제 1 금속층을 패턴하여, 상기 다수의 감광 패턴의 제 1 선폭 보다 좁은 제 2 선폭으로 다수의 금속 패턴을 형성하는 단계와; 상기 다수의 금속 패턴 상부의 상기 다수의 감광 패턴을 스트립 공정으로 제거하는 단계와; 상기 스트립 공정으로 노출된 상기 다수의 금속 패턴 중, 상기 제 2 금속층을 선택적으로 패턴하여, 상기 제 2 금속층을 제거하고 그 하부의 제 1 금속층을 노출하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

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