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기판 상에 서로 이격하는 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계와;상기 드레인 전극과 접촉하는 화소전극을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극과 이들 두 전극 사이의 이격영역에 동일한 형태 및 면적을 가지고 완전 중첩하며 순차 적층된 유기 반도체층과, 게이트 절연막과, 제 1 금속물질로 제 1 게이트 전극 패턴을 형성하고, 상기 제 1 게이트 전극 패턴 상부에 제 2 금속물질로 상기 제 1 게이트 전극 패턴과 동일한 형태를 가지며 완전 중첩하고 상기 제 1 게이트 전극 패턴의 테두리를 노출시키는 제 2 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계와; 상기 제 2 게이트 전극 패턴 위로 상기 제 2 게이트 전극 패턴을 노출시키는 게이트 콘택홀과 상기 화소전극을 노출시키는 오픈부를 갖는 보호층을 형성하는 단계와;상기 보호층 위로 상기 게이트 콘택홀을 통해 상기 제 2 게이트 전극 패턴과 접촉하는 게이트 배선을 형성하는 단계를 포함하며, 순차 적층된 상기 유기 반도체층과 게이트 절연막과 제 1 게이트 전극 패턴을 형성하고 상기 제 1 게이트 전극 패턴 상부에 상기 제 1 게이트 전극 패턴의 테두리를 노출시키는 상기 제 2 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계는, 상기 화소전극 상부로 상기 기판 전면에 순차적으로 유기 반도체 물질층과, 유기 절연물질층과, 건식식각이 가능한 상기 제 1 금속물질로 이루어지는 제 1 금속층과, 상기 제 2 금속물질로 이루어지는 제 2 금속층을 형성하는 단계와, 상기 제 2 금속층 위로 상기 소스 및 드레인 전극 및 이들 두 전극 사이의 이격간격에 대응하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴 외부로 노출된 상기 제 2 금속층에 대해 습식식각을 진행함으로써 상기 포토레지스트 패턴보다 작은 폭을 가지며 상기 포토레지스트 패턴에 대해 언더컷 형태를 갖는 상기 제 2 게이트 전극 패턴을 형성하는 단계와, 상기 제 2 게이트 전극 패턴 상부의 상기 포토레지스트 패턴을 블록킹 마스크로 하여 상기 제 1 금속층과 상기 유기 절연물질층과 상기 유기 반도체 물질층을 이방성 특성을 갖는 건식식각을 진행함으로써 상기 포토레지스트 패턴과 동일한 폭을 가져 상기 제 2 게이트 전극 패턴의 외측으로 테두리가 노출된 상태를 이루는 상기 제 1 게이트 전극패턴과, 상기 게이트 절연막과 상기 유기 반도체층을 형성하는 단계와, 상기 포토레지스트 패턴을 애싱을 진행하여 제거하는 단계를 포함하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하는 단계는, 상기 소스 전극과 연결되는 데이터 배선을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 배선은 상기 화소전극과 중첩하도록 형성함으로써 상기 보호층을 사이에 두고 서로 중첩하는 게이트 배선과 화소전극이 스토리지 커패시터를 이루도록 하는 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 금속물질은 크롬(Cr) 또는 티타늄(Ti)인 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
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제 5 항에 있어서, 상기 제 2 금속물질은 금(Au), 은(Ag), 구리(Cu), 몰리티타늄(MoTi), 알루미늄(Al), 알루미늄네오디뮴(AlNd), 니켈(Ni), 몰리브덴(Mo) 중 하나인 것이 특징인 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 소스 및 드레인 전극을 형성하기 전에 상기 기판 전면에 산화실리콘(SiO2) 또는 질화실리콘(SiNx)으로 이루어진 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 게이트 배선 위로 제 2 보호층을 형성하는 단계를 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판의 제조 방법
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