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하부기판상에 형성된 게이트전극;상기 게이트전극을 포함한 하부기판상에 형성되는 게이트절연막;상기 게이트절연막상에 형성된 유기반도체층; 및상기 유기반도체층상에 형성되고 일정간격 이격되어 상기 게이트전극 양측에 배치되는 구리막(Cu)으로 이루어진 소스전극과 드레인전극을 포함하여 구성되며, 상기 소스전극 및 드레인전극은 상기 구리막(Cu)과 함께, 이 구리막(Cu)과 상기 유기반도체층 사이에 형성된 구리산화막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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제1항에 있어서, 상기 유기박막트랜지스터는 TN모드, IPS모드 또는 FFS모드의 액정표시장치, OLED(Organic lighted emitted diode) 또는 반도체장치에 적용되는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터
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하부기판상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극을 포함한 하부기판상에 게이트절연막을 형성하는 단계;상기 게이트절연막상에 유기반도체층을 형성하는 단계; 및상기 유기반도체층상에 일정간격 이격되어 상기 게이트전극 양측에 위치하도록 구리층으로 이루어진 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며, 상기 소스전극 및 드레인전극을 이루는 상기 구리층과, 상기 유기반도체층 사이에 구리산화막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막 트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 구리층은 200∼3000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 구리산화막은 열처리(heat treatment)방법, 플라즈마(plasma)방법 또는 화학적 처리(chemical treatment)방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 구리산화막은 열처리(heat treatment)방법, 플라즈마 (plasma)방법 또는 화학적 처리(chemical treatment)방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제6항에 있어서, 상기 구리산화막은 15∼500 Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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