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유기 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판 및 그제조방법

  • 기술번호 : KST2015052453
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고분자 물질을 반도체층으로 이용하는 유기 박막트랜지스터에서의 구동 특성을 향상시킬 수 있는 유기 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판 및 그 제조방법에 관한 것이다.이를 위한 본 발명에 따른 유기 박막트랜지스터 액정표시장치는 스위칭 영역, 화소 영역, 게이트 영역 및 데이터 영역으로 구분된 기판과; 상기 기판 상의 데이터 영역의 일 방향으로 구성된 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극과; 상기 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극의 노출된 상부 표면에 구성된 금속 산화막 패턴과; 상기 드레인 전극과 직접 측면 접촉된 화소 전극과; 상기 소스 및 드레인 전극의 중첩된 상부에 위치하는 유기 반도체층과; 상기 유기 반도체층과 게이트 영역을 덮는 게이트 절연막 패턴과; 상기 게이트 절연막 패턴 상부에 위치하고, 상기 게이트 영역에 대응된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에서 돌출된 게이트 전극과; 상기 게이트 전극 및 배선과 데이터 배선과 유기 반도체층을 덮으며, 상기 화소 영역을 노출하는 픽셀 오픈홀을 포함하는 보호막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01) G02F 1/136286(2013.01)
출원번호/일자 1020080048562 (2008.05.26)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1435474-0000 (2014.08.22)
공개번호/일자 10-2009-0122643 (2009.12.01) 문서열기
공고번호/일자 (20140829) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020140076719;
심사청구여부/일자 Y (2013.04.30)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박세영 대한민국 서울특별시 서초구
2 강호철 대한민국 경기도 군포시 광정로 ***, 솔거대림아파트 *
3 허재석 대한민국 경기도 용인시 처인구
4 노영훈 대한민국 대구광역시 동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 네이트특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, ***호(역삼동, 하나빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0372152-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2013.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0380644-36
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.12.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0009806-77
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2014.04.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0276684-71
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2014.06.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0586421-72
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2014.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0586420-26
11 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2014.06.23 수리 (Accepted) 1-1-2014-0586422-17
12 등록결정서
Decision to grant		 2014.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0568429-61
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번호 청구항
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기판 상에 스위칭 영역, 화소 영역, 게이트 영역 및 데이터 영역을 정의하는 단계와;상기 기판 상에 소스 및 드레인 금속층을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 금속층 상에 O2 플라즈마 처리를 실시하여 금속 산화막을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 금속층과 금속 산화막을 일괄적으로 패턴하여, 상기 데이터 영역에 대응된 일 방향으로 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극과, 상기 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극의 상부 표면에 대응된 금속 산화막 패턴을 형성하는 단계와;상기 드레인 전극과 직접 측면 접촉하는 화소 전극을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계와;상기 유기 반도체층과 게이트 영역을 덮는 게이트 절연막 패턴을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 패턴 상에, 상기 게이트 영역에 대응된 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에서 돌출된 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 게이트 전극의 상부를 덮으며, 상기 화소 영역에 대응된 화소 전극을 노출하는 픽셀 오픈홀을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 소스 및 드레인 금속층은 몰리브덴, 은, 구리를 포함하는 도전성 물질 그룹 중 선택된 하나로 구성된 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속 산화막은 몰리브덴 산화물, 은 산화물, 구리 산화물 중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 금속 산화막은 50 ~ 500Å 범위의 두께로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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기판 상에 스위칭 영역, 화소 영역, 게이트 영역 및 데이터 영역을 정의하는 단계와;상기 게이트 영역에 대응된 일 방향으로 게이트 배선과, 상기 게이트 배선에서 돌출된 게이트 전극을 형성하는 단계와;상기 게이트 배선과 게이트 전극의 상부를 덮는 게이트 절연막 패턴을 형성하는 단계와;상기 게이트 절연막 패턴 상에 소스 및 드레인 금속층을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 금속층 상에 O2플라즈마 처리를 실시하여 금속 산화막을 단계와;상기 소스 및 드레인 금속층과 금속 산화막을 일괄적으로 패턴하여, 상기 데이터 영역에 대응된 일 방향으로 데이터 배선과, 상기 데이터 배선에서 연장된 소스 전극과, 상기 소스 전극과 이격된 드레인 전극과, 상기 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극의 상부 표면에 대응된 금속 산화막 패턴을 형성하는 단계와;상기 드레인 전극과 직접 측면 접촉된 화소 전극을 형성하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극의 중첩된 상부에 유기 반도체층을 형성하는 단계와;상기 데이터 배선, 소스 및 드레인 전극과 유기 반도체층을 덮으며, 상기 화소 전극을 노출하는 픽셀 오픈홀을 포함하는 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 유기 박막트랜지스터 액정표시장치용 어레이 기판의 제조방법
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1 KR101482551 KR 대한민국 FAMILY

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