맞춤기술찾기

이전대상기술

박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015052584
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막 트랜지스터의 특성을 향상시킬 수 있는 박막 트랜지스터 기판 및 그의 제조 방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 박막 트랜지스터 기판은 기판 상에 형성된 버퍼막과, 상기 버퍼막을 사이에 두고 상기 기판 상에 형성된 액티브층과, 상기 액티브층 상에 형성된 게이트 절연막과, 상기 액티브층의 채널 영역과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성된 게이트 전극과, 상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막과, 상기 층간 절연막 및 게이트 절연막을 관통하는 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀 각각을 통해 액티브층의 소스 영역과 드레인 영역 각각과 접속된 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 층간 절연막 및 게이트 전극 관통하는 적어도 하나의 엘디디 컨택홀을 통해 불순물이 주입된 적어도 하나의 엘디디 영역을 포함하는 것을 특징으로 한다. 엘디디 영역, 엘디디 컨택홀, 박막 트랜지스터
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) G02F 1/136 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01) H01L 29/78621(2013.01)
출원번호/일자 1020080059889 (2008.06.24)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1451580-0000 (2014.10.10)
공개번호/일자 10-2010-0000403 (2010.01.06) 문서열기
공고번호/일자 (20141016) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.05.30)
심사청구항수 5

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 최수홍 대한민국 경기도 남양주시 도농로 **,

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0454251-03
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2013-0480774-86
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2014.01.08 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.02.11 수리 (Accepted) 9-1-2014-0011496-19
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0207013-60
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.05.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0482818-88
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2014-0482819-23
11 등록결정서
Decision to grant
2014.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0631486-10
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 형성된 버퍼막과;상기 버퍼막을 사이에 두고 상기 기판 상에 형성된 액티브층과;상기 액티브층 상에 형성된 게이트 절연막과;상기 액티브층의 채널 영역과 상기 게이트 절연막을 사이에 두고 중첩되게 형성된 게이트 전극과;상기 게이트 전극 상에 형성되는 층간 절연막과;상기 층간 절연막 및 게이트 절연막을 관통하는 제1 컨택홀 및 제2 컨택홀 각각을 통해 액티브층의 소스 영역과 드레인 영역 각각과 접속된 소스 전극 및 드레인 전극과;상기 층간 절연막 및 게이트 전극 관통하는 적어도 하나의 엘디디 컨택홀을 통해 불순물이 주입된 적어도 하나의 엘디디 영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판
2 2
제1항에 있어서,상기 엘디디 영역은 상기 액티브층의 채널 영역 및 상기 액티브층의 소스 영역 또는 상기 액티브층의 채널 영역 및 상기 액티브층의 드레인 영역 중 어느 한 영역에 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판
3 3
제1항에 있어서,상기 엘디디 영역은 상기 액티브층의 채널 영역 및 상기 액티브층의 소스 영역 사이 및 상기 액티브층의 채널 영역 및 상기 액티브층의 드레인 영역 사이에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판
4 4
하부 기판 상에 버퍼막 및 액티브층을 형성하는 단계와;상기 액티브층이 형성된 버퍼막 상에 게이트 절연막 및 게이트 전극을 형성하며, 상기 게이트 전극을 마스크로 이용하여 상기 액티브층에 불순물을 주입하여 상기 게이트 전극과 비중첩된 액티브층의 소스 및 드레인 영역을 형성하는 단계와;상기 게이트 전극이 형성된 게이트 절연막 상에 층간 절연막을 형성하며, 상기 층간 절연막 및 게이트 절연막을 관통하는 제1 및 제2 컨택홀과, 상기 층간 절연막을 관통하며 일정 간격의 상기 게이트 전극이 노출되는 적어도 하나의 엘디디 컨택홀을 포함하는 컨택홀군을 형성하는 단계와;상기 컨택홀이 형성된 하부 기판 상에 상기 액티브층의 소스 영역 및 드레인 영역 각각과 접속되도록 소스 및 드레인 전극과, 상기 적어도 하나의 엘디디 컨택홀을 통해 불순물이 주입된 적어도 하나의 엘디디 영역을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 소스 및 드레인 전극, 상기 적어도 하나의 엘디디 영역을 형성하는 단계는 상기 층간 절연막 상에 소스 및 드레인 금속층을 형성한 후, 포토레지스트를 도포하는 단계와;상기 소스 및 드레인 전극이 형성될 영역에 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계와;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 식각 공정하여 게이트 전극과 중첩된 소스 및 드레인 금속층과 엘디디 컨택홀 상에 형성된 소스 및 드레인 전극, 상기 일정 간격 노출된 게이트 전극이 제거되는 단계와;상기 제1 및 제2 컨택홀 각각을 통해 액티브층의 소스 및 드레인 영역 각각과 접속되며, 층간 절연막 및 게이트 전극을 관통하는 적어도 하나의 엘디디 컨택홀이 형성되는 단계와;상기 적어도 하나의 엘디디 컨택홀을 통해 불순물을 주입하여 적어도 하나의 엘디디 영역을 형성하는 단계를 포함하는 특징으로 하는 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.