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기재층;상기 기재층 상에 구비되고 광촉매를 포함하는 광촉매층; 및상기 광촉매층 상에 구비되며, 표면에너지가 20mN/m 이하이고, 수직방향의 홀이 형성된 오염방지층을 포함하는 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 광촉매층은 상기 광촉매 및 금속 산화물의 혼합물로 형성된 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 광촉매와 상기 금속산화물의 함량비는 90wt% : 10wt% 내지 10wt% : 90wt%인 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 광촉매층의 두께는 0
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청구항 21에 있어서, 상기 광촉매는 아나타제형 TiO2, 루틸형 TiO2, WO3, SrTiO3, Fe2O3, SnO2, ZnO, Bi2O3, V2O3, 및 이들의 복합물 중 선택된 금속 산화물; CdS, ZnS, MoS2, 및 이들의 복합물 중 선택된 금속 황화물; 또는 상기 금속 산화물과 상기 금속 황화물의 복합물인 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 광촉매는 1~100nm의 입경을 갖는 입자 형태로 포함되는 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 광촉매는 Au, Pt, 및 Pd 중 선택된 금속으로 도금되어 있는 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 광촉매에는 Fe(III), Mo(IV), Ru(III), Os(V), V(IV), Rh(III), 및 Cr(III) 중 선택된 전이금속이 도핑되어 있는 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 홀의 너비는 0
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청구항 21에 있어서, 상기 홀은 U자 단면형상 또는 직사각형 단면형상을 갖는 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 오염방지층의 단면형상은 정현파(sine wave) 또는 직사각형파(square wave) 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 있어서, 상기 오염방지층의 두께는 0
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청구항 21에 있어서, 상기 오염방지층은 금속 산화물의 혼합물로 형성된 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21 내지 청구항 33 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기재층 상에 형성된 1층 이상의 금속 산화물층을 더 포함하며,상기 광촉매층은 상기 금속 산화물층 상에 형성된 것을 특징으로 하는 오염방지필름
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청구항 21에 따른 오염방지필름을 포함하는 디스플레이장치
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a) 기재층 상에 광촉매를 포함하는 코팅액을 도포하여 광촉매층을 형성하는 단계; 및b) 상기 광촉매층 상에, 표면에너지가 20mN/m 이하이고 수직방향의 홀이 형성된 오염방지층을 형성하는 단계로서, b1) 상기 오염방지층 형성용 코팅액을 상기 광촉매층 상에 도포하는 단계 및 b2) 상기 수직방향의 홀을 형성하는 단계를 포함하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 오염방지필름의 제조방법
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청구항 36에 있어서, 상기 a) 단계는 상기 기재층을 하드 코팅 처리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 오염방지필름의 제조방법
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청구항 36에 있어서, 상기 b2) 단계에서는 상기 홀의 역상을 갖는 템플레이트 또는 엠보싱 롤을 사용하여 압인(imprint) 또는 엠보싱하는 것을 특징으로 하는 오염방지필름의 제조방법
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