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실리콘(Si) 및 실리콘카바이드(SiC)를 포함하는 슬러리로부터 용매를 사용하여 실리콘카바이드를 선택적으로 용해시키는 단계를 포함하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법이며, 상기 용매는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 이상의 화합물을 혼합하고 용융하여 사용하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법:[화학식 1]MaR여기서, a는 1 또는 2이고,M은 알칼리금속 또는 알칼리토금속이다
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청구항 1에 있어서, 상기 슬러리는 반도체 또는 태양전지의 제조 공정 중에서 발생한 슬러리인 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 2에 있어서, 상기 슬러리는 철, 구리, 실리콘 절삭유, 분산제 및 증점제 중 1 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 1에 있어서, 상기 실리콘카바이드를 선택적으로 용해시키는 단계 이전에 유기용제를 이용하여 분산제 및 증점제 성분을 세척하는 단계, 300 ~ 500℃에서 절삭유(Oil)성분을 제거하는 단계, 및 산성 용액을 이용하여 철 및 구리 성분을 용해하여 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 화합물은 Na2CO3, K2CO3, Li2CO3, Li2BO3, Na2SO4, NaCl, NaF 및 K2SO4로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 1에 있어서, 상기 용매는 슬러리의 중량을 기준으로 하여 10~1000wt%인 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 7에 있어서, 상기 용매는 슬러리의 중량을 기준으로 하여 50~200wt%인 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 1에 있어서, 상기 실리콘카바이드를 선택적으로 용해시키는 단계는 800 ~ 1200℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 7에 있어서, 상기 실리콘카바이드를 선택적으로 용해시키는 단계는 900 ~ 1000℃에서 진행되는 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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청구항 1에 있어서, 상기 실리콘카바이드를 선택적으로 용해시키는 단계는 환원성 분위기 또는 불활성 분위기에서 진행되는 것을 특징으로 하는 고순도 실리콘(Si)의 회수방법
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