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신규한 안트라센 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자

  • 기술번호 : KST2015052756
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 신규한 안트라센(anthracene) 유도체 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공한다. 본 발명에 따른 유기전자소자는 효율, 구동전압 및 수명 면에서 우수한 특성을 나타낸다.안트라센, 유기전자소자, 유기발광소자
Int. CL C07C 15/28 (2006.01) C09K 11/06 (2006.01)
CPC C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01) C09K 11/06(2013.01)
출원번호/일자 1020080067638 (2008.07.11)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1367514-0000 (2014.02.19)
공개번호/일자 10-2010-0007143 (2010.01.22) 문서열기
공고번호/일자 (20140227) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020130160160;
심사청구여부/일자 Y (2011.04.28)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이동훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 손세환 대한민국 대전광역시 유성구
3 배재순 대한민국 대전광역시 유성구
4 남현 대한민국 대전광역시 유성구
5 김성소 대한민국 경기도 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.07.11 수리 (Accepted) 1-1-2008-0501287-27
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2010-0598826-36
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2011.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2011-0317055-18
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.10.16 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.11.22 수리 (Accepted) 9-1-2012-0087210-14
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.01.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0035110-11
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2013-0224776-39
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.04.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0335496-20
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.05.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0442025-27
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.06.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0537075-05
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2013.06.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2013-0068964-94
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2013-0645794-69
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.07.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0645795-15
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2013.11.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0801777-55
15 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2013.12.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-1169836-80
16 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.12.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2013-0049742-77
17 등록결정서
Decision to grant		 2014.02.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0107413-07
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체:[화학식 1]상기 화학식 1에 있어서,R1 및 R2는 서로 동일하며, 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기이고,R3는 하기 화학식 2 내지 9 중 어느 하나로 표시되는 기이며, [화학식 2] [화학식 3] [화학식 4] [화학식 5] [화학식 6] [화학식 7] [화학식 8] [화학식 9]상기 화학식 2 내지 9에 있어서,X 및 Y 는 각각 CH 또는 N이며,상기 R11 내지 R24는 서로 같거나 상이하고, 수소; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택될 수 있으며,R11과 R12, 및 R14과 R15는 각각 서로 연결되어 축합고리를 형성할 수 있고,화학식 9에서 Y가 CH인 경우, R23 또는 R24기와 연결되어 축합고리를 형성할 수 있고,L1 내지 L8은 각각 직접결합이거나; 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C6~C40의 아릴렌기; 및 할로겐, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 이상의 기로 치환되거나 비치환된 C5~C40의 헤테로아릴렌기로 이루어진 군에서 선택되고,R4 내지 R10은 수소이다
2 2
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3 3
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5 5
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R1 및 R2는 하기 화학식으로 이루어진 군에서 선택되는 것인, 안트라센 유도체:상기 화학식에서 Z1 내지 Z3은 서로 같거나 상이하고, 수소, 아미노기, 니트릴기, 니트로기, C1~C40의 알킬기, C2~C40의 알케닐기, C1~C40의 알콕시기, C3~C40의 시클로알킬기, C2~C40의 헤테로시클로알킬기, C6~C40의 아릴기, 치환 또는 비치환된 카바졸릴기 및 C5~C40의 헤테로아릴기로 이루어진 군에서 선택된다
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 L1 내지 L8은 각각 독립적으로 직접결합이거나 하기 화학식으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
7 7
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R3가 상기 화학식 2로 표시되고, 상기 R4 내지 R10이 수소이고, R1, R2, L1, 및 R11 내지 R13은 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체:
8 8
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체는 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체:
9 9
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R3가 상기 화학식 3으로 표시되고, 상기 R4 내지 R10이 수소이고, R1, R2, L2 및 R14 내지 R16은 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체:
10 10
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체는 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
11 11
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R3가 상기 화학식 4로 표시되고, 상기 R4 내지 R10이 수소이고, R1, R2, L3, R17 및 R18은 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
12 12
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R3가 상기 화학식 5로 표시되고, 상기 R4 내지 R10이 수소이고, R1, R2, L4, R19 및 R20은 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
13 13
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1의 R3가 상기 화학식 6으로 표시되고, 상기 R4 내지 R10이 수소이고, R1, R2, L5, R21 및 R22는 하기 화학식으로 표시되는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
14 14
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체는 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
15 15
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체는 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
16 16
청구항 1에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 안트라센 유도체는 하기 화학식으로 표시되는 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는, 안트라센 유도체
17 17
제1 전극, 제2 전극, 및 상기 제1 전극과 제2 전극 사이에 배치된 1층 이상의 유기물층을 포함하는 유기전자소자로서, 상기 유기물층 중 1 층 이상은 청구항 1 및 5 내지 16 중 어느 한 항의 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자
18 18
청구항 17에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자, 유기태양전지, 유기감광체(OPC) 드럼 및 유기 트랜지스터로 이루어진 군에서 선택되는 것인 유기전자소자
19 19
청구항 17에 있어서, 상기 유기전자소자는 유기발광소자인 것인 유기전자소자
20 20
청구항 19에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 양극, 1층 이상의 유기물층 및 음극이 순차적으로 적층된 정방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자
21 21
청구항 19에 있어서, 상기 유기발광소자는 기판상에 음극, 1층 이상의 유기물층 및 양극이 순차적으로 적층된 역방향 구조의 유기발광소자인 것인 유기전자소자
22 22
청구항 19에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 정공주입층; 정공수송층; 발광층; 전자주입층, 전자수송층 및 전자주입 및 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 한 층을 포함하는 것인 유기전자소자
23 23
청구항 19에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 발광층을 포함하고, 이 발광층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자
24 24
청구항 19에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 전자주입층, 전자수송층 및 전자주입 및 수송층으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 한 층을 포함하고, 이 층이 상기 안트라센 유도체를 포함하는 것인 유기전자소자
25 25
청구항 19에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 정공수송과 발광을 동시에 하는 층을 포함하는 것인 유기전자소자
26 26
청구항 19에 있어서, 상기 유기발광소자의 유기물층은 발광과 전자수송을 동시에 하는 층을 포함하는 것인 유기전자소자
지정국 정보가 없습니다
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1 KR1020140012920 KR 대한민국 FAMILY

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