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탄화 규소 발열체 및 그의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015052799
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요약 본 발명은 탄화 규소 발열체 및 그의 제조 방법에 관한 것으로, 실리콘 분말이 뿌려진 성형물을 반응 소결한 후, 잔류하는 실리콘을 휘발시키고, 질소를 도핑하여 휘발되지 못한 실리콘과 반응시켜, 발열체에서 실리콘을 완전히 제거함으로써, 발열체 용도에 적합한 수준으로 전기 저항을 낮출 수 있는 장점이다.또한, 본 발명의 탄화 규소 발열체는 탄화규소 격자 내에 질소가 도핑되어 있으므로, 유동 전하 운반자가 존재하여 낮은 온도에서 빠른 온도 증가 특성을 갖고, 고온으로 갈수록 저항이 증가되어 자체적으로 과열되는 것을 억제할 수 있는 장점이 있다. 탄화, 규소, 발열체, 질소, 도핑, 실리콘, 반응
Int. CL C04B 35/56 (2006.01) C04B 35/565 (2006.01)
CPC C04B 35/565(2013.01) C04B 35/565(2013.01) C04B 35/565(2013.01) C04B 35/565(2013.01) C04B 35/565(2013.01) C04B 35/565(2013.01) C04B 35/565(2013.01)
출원번호/일자 1020080069537 (2008.07.17)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1406420-0000 (2014.06.03)
공개번호/일자 10-2010-0008912 (2010.01.27) 문서열기
공고번호/일자 (20140613) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전영삼 대한민국 서울특별시 서초구
2 신현호 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2008.07.17 수리 (Accepted) 1-1-2008-0514390-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.03.18 수리 (Accepted) 1-1-2013-0228924-94
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.12.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2014.01.10 수리 (Accepted) 9-1-2014-0002140-60
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0060505-63
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2014-0262588-77
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0262603-75
11 등록결정서
Decision to grant
2014.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0325998-30
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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탄화규소 분말과 탄소 분말을 혼합하여 혼합물을 형성하는 단계와;상기 혼합물을 성형하여 성형물을 형성하는 단계와;상기 성형물에 실리콘 분말을 뿌리고, 상기 성형물을 진공로에서 가열하여 반응 소결시켜서 상기 실리콘이 침윤된 반응 소결물을 형성하는 단계와;상기 진공로에서 진공을 유지하면서 1600 ~ 1800℃의 온도로 열처리하여, 상기 반응 소결물에 잔류되어 있는 실리콘을 휘발시켜 제거하는 단계와;상기 진공로에 질소가스를 1~100기압의 압력으로 공급하고, 1600 ~ 1800℃의 온도에서 상기 반응 소결물에 질소를 도핑하는 단계로 구성된 탄화 규소 발열체를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 실리콘이 침윤된 반응 소결물을 형성하는 단계에서,상기 성형물을 진공로에서 가열하는 것은 1400 ~ 1600℃의 온도로 가열하는 것을 특징으로 하는 탄화 규소 발열체를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반응 소결물에 질소를 도핑하는 단계는,상기 실리콘을 휘발시켜 제거하는 단계와 동일한 온도에서 수행되는 것을 특징으로 하는 탄화 규소 발열체를 제조하는 방법
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청구항 1에 있어서, 상기 반응 소결물에 잔류되어 있는 실리콘을 휘발시켜 제거하는 단계에서 휘발되지 못한 실리콘은,상기 반응 소결물에 질소를 도핑하는 단계에서 도핑된 질소와 반응하여 질화규소(Si3N4)가 생성되는 것을 특징으로 하는 탄화 규소 발열체를 제조하는 방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.