| 1 |
1
기판;상기 기판 상에 투명전극층; 상기 투명전극층 상에 버퍼층;상기 버퍼층 상에 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 이면전극층; 상기 투명전극층의 상면에 형성되고, 제1 사면 및 제2 사면을 갖는 복수의 리세스; 및,상기 복수의 리세스의 저면에 형성되고, 상기 제1 사면 및 제2 사면과 접하는 절곡면을 포함하는 태양전지
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 복수의 리세스가 형성되는 두께는 상기 투명전극층 두께의 10% 내지 70%의 범위를 갖는 태양전지
|
| 3 |
3
제1항에 있어서,상기 제1 사면과 상기 기판의 법선이 이루는 제1 각도(θ)는 1003c#θ003c#45˚의 범위로 형성되는 태양전지
|
| 4 |
4
제1항에 있어서,상기 복수의 리세스의 중심 사이의 간격은 d이고, 상기 투명전극층의 두께는 h일 때, 제1 각도(θ)는 1003c#θ003c#tan-1(d/h)의 범위로 형성되는 태양전지
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 복수의 리세스는 상부로 갈수록 폭이 넓어지도록 형성되는 태양전지
|
| 6 |
6
삭제
|
| 7 |
7
삭제
|
| 8 |
8
삭제
|
| 9 |
9
기판 상에 투명전극층을 형성하는 단계;상기 투명전극층의 상면에 제1 사면 및 제2 사면을 포함하는 복수의 리세스를 형성하는 단계;상기 투명전극층 상에 버퍼층을 형성하는 단계:상기 버퍼층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계; 및상기 광 흡수층 상에 이면전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
|
| 10 |
10
제9항에 있어서,상기 복수의 리세스는 불소 10∼25wt%, 황산 15wt%, 질산 15wt%의 산을 첨가한 혼산 용액으로 에칭하여 형성하는 태양전지의 제조방법
|
| 11 |
11
제9항에 있어서,상기 투명전극, 버퍼층, 광 흡수층, 이면전극층은 상기 복수의 리세스에 대응하는 돌출부를 갖도록 형성하는 태양전지의 제조방법
|
| 12 |
12
기판;상기 기판 상에 투명전극층; 상기 투명전극층 상에 버퍼층;상기 버퍼층 상에 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 이면전극층; 및,상기 투명전극층의 상면에 형성되고, 제1 사면 및 제2 사면을 갖는 복수의 리세스;를 포함하고,상기 투명전극층의 두께(h)는 0
|
| 13 |
13
기판;상기 기판 상에 투명전극층; 상기 투명전극층 상에 버퍼층;상기 버퍼층 상에 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 이면전극층; 및,상기 투명전극층의 상면에 형성되고, 제1 사면 및 제2 사면을 갖는 복수의 리세스;를 포함하고,상기 투명전극층, 버퍼층, 광 흡수층, 이면전극층은 상기 복수의 리세스에 대응하는 돌출부를 갖는 태양전지
|
