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게이트 라인과 데이터 라인이 서로 교차하여 정의된 다수의 화소가 다수의 수평 화소열을 이루는 기판;상기 기판의 각 화소의 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터;상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되도록 각 화소 내에 형성되며, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 구비하는 구동 박막 트랜지스터; 및상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되도록 각 화소 내에 형성된 유기전계 발광다이오드;를 포함하여 구성되며,상기 다수의 수평 화소열 중에 홀수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 짝수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행하며,상기 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향은 소스 전극에서 드레인 전극으로의 방향인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 1 항에 있어서, 상기 다수의 수평 화소열 중에 홀수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 짝수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행한 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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게이트 라인과 데이터 라인이 서로 교차하여 정의된 다수의 화소가 다수의 수직 화소열을 이루는 기판;상기 기판의 각 화소의 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터;상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되도록 각 화소 내에 형성되며, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 구비하는 구동 박막 트랜지스터; 및상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되도록 각 화소 내에 형성된 유기전계 발광다이오드;를 포함하여 구성되며,상기 다수의 수직 화소열 중에 홀수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 짝수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행하며,상기 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향은 소스 전극에서 드레인 전극으로의 방향인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 3 항에 있어서, 상기 다수의 수직 화소열 중에 홀수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 짝수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행한 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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게이트 라인과 데이터 라인이 서로 교차하여 정의된 다수의 화소가 다수의 수평 화소열을 이루는 기판;상기 기판의 각 화소의 게이트 라인과 데이터 라인이 교차하는 영역에 형성된 스위칭 박막 트랜지스터;상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되도록 각 화소 내에 형성되며, 활성층, 게이트 전극, 소스 전극, 드레인 전극을 구비하는 구동 박막 트랜지스터; 및상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되도록 각 화소 내에 형성된 유기전계 발광다이오드;를 포함하여 구성되며,상기 다수의 수평 화소열 중에서 홀수 번째 수평 화소열에 있어서 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행하며,상기 다수의 수평 화소열 중에서 짝수 번째 수평 화소열에 있어서 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향은 홀수 번째 수평 화소열의 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 동일하고, 짝수 번째 수평 화소열에 있어서 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향은 홀수 번째 수평 화소열의 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 동일하며,상기 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향은 소스 전극에서 드레인 전극으로의 방향인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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제 5 항에 있어서, 상기 다수의 수평 화소열 중에서 홀수 번째 수평 화소열에 있어서 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행하며,상기 다수의 수평 화소열 중에서 짝수 번째 수평 화소열에 있어서 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층은 홀수 번째 수평 화소열의 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 동일한 방향으로 형성되고, 짝수 번째 수평 화소열에 있어서 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층은 홀수 번째 수평 화소열의 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 동일한 방향으로 형성된 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 서로 종횡으로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 형성하여 다수의 수평 화소열을 정의하고, 각 화소에는 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되는 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 구동 박막 트랜지스터 상에 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되는 유기전계 발광다이오드를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지며,상기 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는,기판 상에 비정질 실리콘 층을 형성하는 단계;레이저 빔 스캔 공정을 통해 비정질 실리콘 층을 결정화하여 폴리 실리콘 층을 형성하는 단계; 및상기 폴리 실리콘 층을 패터닝하여 활성층을 형성하되, 상기 다수의 수평 화소열 중에 홀수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 짝수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행하도록 하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 레이저 빔 스캔 공정은, 레이저 빔이 비정질 실리콘 층의 다수의 소정 면적을 차례로 조사하도록 이루어지며,상기 레이저 빔의 진행 방향은 게이트 라인과 평행한 방향인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 폴리 실리콘 층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계에 있어서,상기 다수의 수평 화소열 중에 홀수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 짝수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하는 방향으로 형성하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행한 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 서로 종횡으로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 형성하여 다수의 수직 화소열을 정의하고, 각 화소에는 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되는 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 구동 박막 트랜지스터 상에 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되는 유기전계 발광다이오드를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지며,상기 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는,기판 상에 비정질 실리콘 층을 형성하는 단계;레이저 빔 스캔 공정을 통해 비정질 실리콘 층을 결정화하여 폴리 실리콘 층을 형성하는 단계; 및상기 폴리 실리콘 층을 패터닝하여 활성층을 형성하되, 상기 다수의 수직 화소열 중에 홀수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 짝수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행하도록 하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 레이저 빔 스캔 공정은, 레이저 빔이 비정질 실리콘 층의 다수의 소정 면적을 차례로 조사하도록 이루어지며,상기 레이저 빔의 진행 방향은 데이터 라인과 평행한 방향인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 10 항에 있어서, 상기 폴리 실리콘 층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계에 있어서,상기 다수의 수직 화소열 중에 홀수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 짝수 번째 수직 화소열을 이루는 다수의 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하는 방향으로 형성하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행한 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 서로 종횡으로 교차하여 다수의 화소를 정의하는 게이트 라인 및 데이터 라인을 형성하여 다수의 수평 화소열을 정의하고, 각 화소에는 스위칭 박막 트랜지스터 및 상기 스위칭 박막 트랜지스터와 연결되는 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계; 및상기 구동 박막 트랜지스터 상에 상기 구동 박막 트랜지스터와 연결되는 유기전계 발광다이오드를 형성하는 단계;를 포함하여 이루어지며,상기 구동 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는,기판 상에 비정질 실리콘 층을 형성하는 단계;레이저 빔 스캔 공정을 통해 비정질 실리콘 층을 결정화하여 폴리 실리콘 층을 형성하는 단계; 및상기 폴리 실리콘 층을 패터닝하여 활성층을 형성하되, 상기 다수의 수평 화소열 중에서 홀수 번째 수평 화소열에 있어서 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하도록 하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행하도록 하며, 짝수 번째 수평 화소열에 있어서 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향은 홀수 번째 수평 화소열의 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 동일하도록 하고, 짝수 번째 수평 화소열에 있어서 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향은 홀수 번째 수평 화소열의 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 채널 방향과 동일하도록 하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 레이저 빔 스캔 공정은, 레이저 빔이 비정질 실리콘 층의 다수의 소정 면적을 차례로 조사하도록 이루어지며,상기 레이저 빔의 진행 방향은 게이트 라인과 데이터 라인 중에 어느 하나와 평행한 방향인 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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제 13 항에 있어서, 상기 폴리 실리콘 층을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계에 있어서,상기 다수의 수평 화소열 중에서 홀수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소 중에 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층 중에 어느 하나는 데이터 라인과 교차하는 방향으로 형성하고 나머지 하나는 데이터 라인과 평행한 방향으로 형성하며, 짝수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소 중에 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층은 홀수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소 중에 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 동일한 방향으로 형성하고 짝수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층은 홀수 번째 수평 화소열을 이루는 다수의 화소 중에 홀수 번째 화소의 구동 박막 트랜지스터의 활성층과 동일한 방향으로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계발광 소자의 제조 방법
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