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태양 전지

  • 기술번호 : KST2015053178
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요약 본 발명은 태양 전지에 관한 것이다. 상기 태양 전지의 한 예는 제1 도전성 타입의 기판, 상기 기판에 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 있는 에미터부, 상기 에미터부와 연결되어 있고, 서로 이격되어 나란히 뻗어 있는 복수의 제1 전극, 상기 복수의 제1 전극과 다른 방향으로 서로 이격되어 뻗어 있고, 상기 에미터부보다 높은 불순물 도핑 농도를 가지는 복수의 반도체 전극, 그리고 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고, 인접한 두 반도체 전극 간의 간격은 0.02㎝이상 내지 0.2㎝이하이고, 인접한 두 제1 전극 간의 간격은 0.3㎝ 내지 0.8㎝이다. 이로 인해, 제1 전극이나 반도체 전극으로 이동하는 전하의 이동 거리를 감소시켜 전하의 수집량을 증가시키므로, 태양 전지의 효율이 향상된다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110004862 (2011.01.18)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1180813-0000 (2012.09.03)
공개번호/일자 10-2012-0083632 (2012.07.26) 문서열기
공고번호/일자 (20120907) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.18)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심승환 대한민국 서울특별시 서초구
2 김진아 대한민국 서울특별시 서초구
3 남정범 대한민국 서울특별시 서초구
4 정인도 대한민국 서울특별시 서초구
5 양주홍 대한민국 서울특별시 서초구
6 정일형 대한민국 서울특별시 서초구
7 권형진 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0040316-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0092013-09
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0044007-93
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0210019-99
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0210018-43
7 등록결정서
Decision to grant
2012.08.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0511055-06
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전성 타입의 기판,상기 기판에 부분적으로 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 있는 제1 불순물 도핑부,상기 기판에 위치하고 상기 제1 불순물 도핑부와 연결되어 있으며, 서로 이격되어 나란히 뻗어 있는 복수의 제1 전극,상기 기판에서 상기 제1 불순물 도핑부가 위치하지 않는 부분에 위치하고, 상기 복수의 제1 전극의 연장 방향과 다른 방향으로 서로 이격되어 뻗어 있으며 상기 복수의 제1 전극과 중첩하는 부분에서 상기 복수의 제1 전극과 연결되어 있고, 상기 제1 불순물 도핑부보다 높은 불순물 도핑 농도를 가지는 복수의 제2 불순물 도핑부, 그리고상기 기판에 위치하고 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,인접한 두 제2 불순물 도핑부 간의 간격은 0
2 2
제1항에서, 인접한 두 제2 불순물 도핑부 간의 간격은 0
3 3
제2항에서, 인접한 두 제2 불순물 도핑부 간의 간격은 0
4 4
제3항에서, 인접한 두 제2 불순물 도핑부 간의 간격은 0
5 5
제1항에서, 상기 복수의 제2 불순물 도핑부는 상기 복수의 제1 전극과 직교하는 방향으로 뻗어 있는 태양 전지
6 6
제1항에서,상기 제1 불순물 도핑부는 70Ω/sq
7 7
제1항에서,상기 복수의 제1 전극 각각은 80㎛ 내지 120㎛의 폭을 갖는 태양 전지
8 8
제1항에서,상기 복수의 제2 불순물 도핑부 각각은 20㎛ 내지 40㎛의 폭을 갖는 태양 전지
9 9
제1 도전성 타입의 기판,상기 기판에 부분적으로 위치하고, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입의 불순물이 도핑되어 있는 제1 불순물 도핑부,상기 기판에 위치하고 상기 제1 불순물 도핑부와 연결되어 있으며, 서로 이격되어 나란히 뻗어 있는 복수의 제1 전극,상기 기판에서 상기 제1 불순물 도핑부가 위치하지 않는 부분에 위치하고, 상기 복수의 제1 전극의 연장 방향과 다른 제1 방향으로 뻗어 있는 복수의 제1 부분과 상기 제1 방향과 다른 제2 방향으로 뻗어 있는 복수의 제2 부분을 구비하며, 상기 제1 불순물 도핑부보다 높은 불순물 도핑 농도를 가지는 복수의 제2 불순물 도핑부, 그리고상기 기판에 위치하고 상기 기판과 연결되어 있는 제2 전극을 포함하고,상기 복수의 제1 전극은 상기 복수의 제2 불순물 도핑부의 상기 복수의 제1 부분과 중첩하는 부분에서 상기 복수의 제1 부분과 연결되어 있고,인접한 두 제1 부분간의 간격은 0
10 10
제9항에서,인접한 두 제1 전극간의 간격은 0
11 11
제9항에서,상기 제1 불순물 도핑부는 70Ω/sq
12 12
제9항에서,상기 복수의 제1 전극 각각은 80㎛ 내지 120㎛의 폭을 갖는 태양 전지
13 13
제9항에서,상기 복수의 제2 불순물 도핑부 각각은 20㎛ 내지 40㎛의 폭을 갖는 태양 전지
14 14
제9항에서,상기 제1 방향과 상기 제2 방향은 서로 직교하는 태양 전지
15 15
제14항에서,상기 제2 방향은 상기 복수의 제1 전극의 연장 방향과 동일한 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US09142697 US 미국 FAMILY
2 US20120180861 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012180861 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9142697 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.