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제1 도전형을 가지는 결정형 반도체 기판; 상기 기판의 후면에 형성된 국부 후면 전계 영역;상기 국부 후면 전계 영역과 전기적으로 분리되어 형성된 비접촉 후면 전계 영역;상기 비접촉 후면 전계 영역 상에 형성되는 패시베이션 영역;상기 패시베이션 영역 상에 형성된 비결정형 에미터 영역; 상기 국부 후면 전계 영역과 접촉되는 제1 금속 전극; 및상기 에미터 영역과 접촉되는 제2 금속 전극을 포함하는 태양전지
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2
제1항에 있어서, 상기 국부 후면 전계 영역의 면적은 상기 기판의 전체 면적 중에서 0
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제1항에 있어서, 상기 비접촉 후면 전계 영역의 면적은 상기 기판의 전체 면적 중에서 0
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제1항에 있어서, 상기 패시베이션 영역은 진성 비정질 실리콘 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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5
제1항에 있어서, 상기 에미터 영역은 비정질 실리콘 박막으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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6
제1항에 있어서,상기 기판의 타면에 전면 전계 영역을 더 포함하는 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 기판의 타면에 반사방지막을 더 포함하는 태양전지
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8
제1항에 있어서, 상기 기판의 타면은 텍스처링된 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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9
제1항에 있어서, 상기 국부 후면 전계 영역 및 상기 비접촉 후면 전계 영역은 상기 기판과 반대의 도전성의 제2 도전형을 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
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10
제1항에 있어서, 상기 금속 전극 및 상기 국부 후면 전계 영역은 상기 기판 상에 스트라이프 형상을 가지며, 상기 비접촉 후면 전계 영역은 상기 기판 상에 도트형의 형상으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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11
제1 도전형을 가지는 결정형 반도체 기판의 후면에 국부 후면 전계 영역을 형성하는 단계;상기 국부 후면 전계 영역과 전기적으로 분리되는 비접촉 후면 전계 영역을 형성하는 단계;상기 비접촉 후면 전계 영역 상에 패시베이션 영역을 형성하는 단계;상기 패시베이션 영역 상에 비결정형 에미터 영역을 형성하는 단계; 상기 국부 후면 전계 영역과 접촉되는 제1 금속 전극을 형성하는 단계; 및상기 에미터 영역과 접촉되는 제2 금속 전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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12
제11항에 있어서, 상기 국부 후면 전계 영역의 면적은 상기 기판의 전체 면적 중에서 0
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제11항에 있어서, 상기 비접촉 후면 전계 영역의 면적은 상기 기판의 전체 면적 중에서 0
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14
제11항에 있어서, 상기 패시베이션 영역을 진성 비정질 실리콘 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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15
제11항에 있어서, 상기 에미터 영역을 비정질 실리콘 박막으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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16
제11항에 있어서,상기 기판의 타면에 전면 전계 영역을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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17
제11항에 있어서, 상기 기판의 타면에 반사방지막을 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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18
제11항에 있어서, 상기 기판의 타면을 텍스처링하는 단계를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 제1 도전형과 반대의 도전성의 제2 도전형을 가지는 것을 상기 국부 후면 전계 영역 및 상기 비접촉 후면 전계 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 금속 전극 및 상기 국부 후면 전계 영역을 상기 기판 상에 스트라이프 형상으로 형성하며, 상기 비접촉 후면 전계 영역은 상기 기판 상에 도트형의 형상으로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지 제조방법
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