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제1 도전성 타입을 갖는 기판;상기 기판의 한쪽 면에 위치하며, 상기 제1 도전성 타입과 반대인 제2 도전성 타입을 갖는 에미터부;상기 에미터부와 전기적으로 연결되는 제1 전극;상기 제1 전극이 위치하지 않는 상기 에미터부의 전면(front surface)에 위치하는 제1 보호막;상기 제1 보호막 위에 위치하는 제1 반사방지막;상기 기판의 다른 쪽 면에 위치하는 후면 전계부;상기 후면 전계부와 전기적으로 연결된 제2 전극; 및상기 제2 전극이 위치하지 않는 상기 기판의 후면(back surface)에 위치하는 제2 보호막을 포함하며,상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 상기 제1 도전성 타입과 동일한 도전성 타입의 고정 전하를 갖는 물질로 형성되고,상기 후면 전계부는 상기 기판의 후면에 국부적으로 위치하는 태양전지
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제1항에서,상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 음(-)의 고정 전하(negative fixed charge)를 갖는 알루미늄 산화물(AlOx) 또는 이트리움 산화물(Y2O3)을 포함하는 태양전지
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제2항에서,상기 제1 보호막 및 제2 보호막은 1
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4
제2항에서,상기 후면 전계부는 상기 제2 전극과 동일한 위치에 형성되는 태양전지
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5
제4항에서,상기 후면 전계부의 폭은 상기 제2 전극의 폭 이하로 형성되는 태양전지
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6
제4항에서,상기 후면 전계부의 폭은 상기 제2 전극의 폭보다 크게 형성되는 태양전지
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7
제4항에서,상기 후면 전계부는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는 태양전지
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8
제2항에서,상기 제1 반사방지막은 양(+)의 고정 전하를 갖는 실리콘 질화물(SiNx)로 형성되는 태양전지
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9
제8항에서,상기 제2 보호막의 후면에 위치하는 제2 반사방지막을 더 포함하는 태양전지
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10
제9항에서,상기 제2 반사방지막은 양(+)의 고정 전하를 갖는 실리콘 질화물(SiNx)로 형성되는 태양전지
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11
제10항에서,상기 제1 반사방지막 및 제2 반사방지막은 1
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12
제2항에서,상기 에미터부가 위치하는 기판의 표면 및 후면 전계부가 위치하는 기판의 표면은 제1 텍스처링 표면 및 제2 텍스처링 표면으로 각각 형성되는 태양전지
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13
제2항에서,상기 제1 전극과 제2 전극은 서로 다른 물질로 형성되는 태양전지
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14
제13항에서,상기 제1 전극은 은(Ag) 및 알루미늄(Al)의 혼합물(Ag:Al)로 형성되며, 상기 제2 전극은 은(Ag)으로 형성되는 태양전지
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15
제2항에서,상기 제1 전극과 상기 제2 전극이 서로 동일한 폭으로 형성되는 태양전지
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16
제2항에서,상기 기판은 인(P)이 도핑된 n형 실리콘 웨이퍼로 이루어지며, 1Ωㆍ㎠ 내지 10Ωㆍ㎠의 비저항을 갖는 태양전지
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제1항 내지 제16항 중 어느 한 항에서,상기 에미터부는 제2 도전성 타입을 갖는 불순물이 저농도로 도핑된 제1 도핑부와, 상기 제2 도전성 타입을 갖는 불순물이 상기 제1 도핑부에 비해 고농도로 도핑된 제2 도핑부를 포함하는 태양전지
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18
제17항에서,상기 제2 도핑부는 상기 제1 전극과 동일한 위치에 형성되는 태양전지
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19
제18항에서,상기 제2 도핑부의 폭은 상기 제1 전극의 폭 이하로 형성되는 태양전지
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20
제18항에서,상기 제2 도핑부의 폭은 상기 제1 전극의 폭보다 크게 형성되는 태양전지
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제18항에서,상기 제1 도핑부는 80Ω/sq 내지 200Ω/sq의 면저항을 갖는 태양전지
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제18항에서,상기 제2 도핑부는 30Ω/sq 내지 80Ω/sq의 면저항을 갖는 태양전지
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