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기판의 일면에 요철을 형성하는 단계;상기 요철이 형성된 상기 기판의 일면상에 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 요철은 알카리 수용액에 유기용제를 혼합한 에칭 용액에 상기 기판을 침지하여 형성하는 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 알카리 수용액은 물과 KOH를 혼합한 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기용제는 NMP(N-Methyl-2-Pyrrolidone)인 태양전지 제조방법
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제2항에 있어서,상기 KOH와 상기 유기용제의 부피비는 1:0
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제1항에 있어서,상기 요철의 높이는 10 내지 15㎛로 형성되는 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 요철의 크기는 1 내지 5㎛로 형성되는 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 전면전극은 상기 반사방지막 상에 전면전극 페이스트를 도포하고 열처리하여 형성하는 태양전지 제조방법
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제7항에 있어서,상기 열처리시 상기 전면전극은 상기 반사방지막을 관통하는 태양전지 제조방법
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제1항에 있어서,상기 기판의 후면에 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
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제9항에 있어서,상기 기판과 상기 후면전극 사이에 후면전계층이 형성되는 태양전지 제조방법
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요철이 형성된 실리콘 반도체 기판;상기 요철이 형성된 상기 기판의 일면 상의 에미터층;상기 에미터층 상의 반사방지막; 및상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 전면전극;을 포함하고,상기 요철의 크기는 1 내지 5㎛이며, 상기 요철의 높이는 10 내지 15㎛인 태양전지
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제11항에 있어서,상기 기판의 후면에 후면 전극과, 상기 기판과 상기 후면 전극 사이의 후면 전계층을 포함하는 태양전지
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