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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015053213
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 태양전지 및 이의 제조방법이 개시된다. 태양전지는 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 배치되고, Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물을 포함하는 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 배치되는 전면전극층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01) H01L 31/03923(2013.01)
출원번호/일자 1020110005608 (2011.01.19)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1154765-0000 (2012.06.01)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120618) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.19)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤희경 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0045959-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.10.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.11.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0092033-12
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0237669-68
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
후면전극층;상기 후면전극층 상에 배치되는 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 배치되고, Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물을 포함하는 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 배치되는 전면전극층을 포함하는 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물은 아래의 화학식1의 화합물인 태양전지
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물의 에너지 밴드갭은 1
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 버퍼층의 두께는 30㎚ 내지 100㎚인 태양전지
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물은 아래의 화학식2의 화합물인 태양전지
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 아래의 화학식3의 화합물을 포함하는 태양전지
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물은 아래의 화학식4의 화합물인 태양전지
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 광 흡수층은 아래의 화학식4의 화합물을 포함하는 태양전지
9 9
기판 상에 후면전극층을 형성하는 단계;상기 후면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물을 포함하는 버퍼층을 형성하는 단계; 및상기 버퍼층 상에 전면전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
10 10
제 9 항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 Ⅲ족-Ⅴ족계 화합물을 포함하는 타겟을 사용하는 태양전지의 제조방법
11 11
제 9 항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계에서,Ⅲ족계 화합물을 포함하는 제 1 소스 및 Ⅴ족계 화합물을 포함하는 제 2 소스를 사용하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.