맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015053218
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는 지지기판; 상기 지지기판 상에 반사층; 상기 반사층 상에 배치되고 상기 반사층과 동일한 물질을 포함하는 산화층; 상기 산화층 상에 이면전극층; 상기 이면전극층 상에 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층;을 포함한다.
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/054 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110007514 (2011.01.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1134730-0000 (2012.04.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120419) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.25)
심사청구항수 7

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배도원 대한민국 서울특별시 중구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0061642-27
2 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0116981-49
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
지지기판;상기 지지기판 상에 반사층;상기 반사층 상에 배치되고 상기 반사층과 동일한 물질을 포함하는 산화층;상기 산화층 상에 이면전극층;상기 이면전극층 상에 광 흡수층;상기 광 흡수층 상에 버퍼층; 및상기 버퍼층 상에 윈도우층;을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서,상기 반사층은 탄탈(Ta), 텅스텐(W), 알루미늄(Al), 마그네슘(Mg), 니오븀, 지르코니아 또는 베릴륨(Be) 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 반사층은 10nm 내지 5000nm의 두께로 형성되는 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 산화층은 상기 반사층 두께의 5% 내지 80%의 범위로 형성되는 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 지지기판은 Fe, Ni 또는 Cr 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지
6 6
금속을 포함하는 지지기판 상에 반사층을 형성하는 단계;상기 반사층의 상부를 산화시켜 산화층을 형성하는 단계;상기 산화층 상에 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 광 흡수층을 형성하는 단계;상기 광 흡수층 상에 버퍼층을 형성하는 단계; 및,상기 버퍼층 상에 윈도우층을 형성하는 단계;를 포함하는 태양전지의 제조방법
7 7
제6항에 있어서,상기 산화층은 상기 반사층의 상부에 PEO(plasma-electrolyte oxidization) 또는 전착(ED:electro deposition)의 방법을 이용하여 형성되는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102959735 CN 중국 FAMILY
2 EP02534704 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP26503129 JP 일본 FAMILY
4 WO2012102454 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN102959735 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN102959735 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2534704 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2014503129 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 WO2012102454 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.