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태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015053352
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 한 측면에 따른 태양전지는, 제1 전도성 타입의 기판; 기판의 한 면에 위치하며, 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 에미터부; 에미터부 위에 위치하는 반사방지막; 및 에미터부와 전기적 및 물리적으로 연결되는 전극부를 포함하고, 전극부는 나노 사이즈의 제1 금속 입자를 구비하며 상기 에미터부에 인접한 제1 금속층과, 상기 제1 금속층 위에 위치하는 제2 금속층을 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01) H01L 31/022425(2013.01)
출원번호/일자 1020110006166 (2011.01.21)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0084870 (2012.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.08.28)
심사청구항수 21

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 남정범 대한민국 서울특별시 서초구
2 김진아 대한민국 서울특별시 서초구
3 정인도 대한민국 서울특별시 서초구
4 양주홍 대한민국 서울특별시 서초구
5 심승환 대한민국 서울특별시 서초구
6 정일형 대한민국 서울특별시 서초구
7 권형진 대한민국 서울특별시 서초구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0050325-12
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0836540-84
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0016824-22
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0282526-31
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0491717-55
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2016-0491652-86
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0744580-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전도성 타입의 기판;상기 기판의 한 면에 위치하며, 상기 제1 전도성 타입과 반대의 전도성 타입을 갖는 제2 전도성 타입의 에미터부;상기 에미터부 위에 위치하는 반사방지막; 및상기 에미터부와 전기적 및 물리적으로 연결되는 전극부를 포함하고,상기 전극부는 나노 사이즈의 제1 금속 입자를 구비하며 상기 에미터부에 인접한 제1 금속층과, 상기 제1 금속층 위에 위치하는 제2 금속층을 포함하는 태양전지
2 2
제1항에서,상기 제1 금속 입자는 구(sphere) 형상을 갖는 태양전지
3 3
제1항에서,상기 제1 금속 입자는 10㎚ 내지 100㎚의 크기를 갖는 태양전지
4 4
제1항에서,상기 제1 금속 입자의 적어도 일부는 상기 에미터부와 접촉하는 태양전지
5 5
제1항에서,상기 제1 금속층은 글라스 프릿을 포함하지 않는 태양전지
6 6
제1항에서,상기 제2 금속층은 납작한 형상을 갖는 복수의 제2 금속 입자를 포함하는 태양전지
7 7
제6항에서,상기 제2 금속 입자의 적어도 일부는 상기 에미터부 또는 상기 제1 금속 입자와 접촉하는 태양전지
8 8
제6항에서,상기 제2 금속 입자는 폭이 두께보다 큰 형상으로 형성되는 태양전지
9 9
제6항에서,상기 제2 금속층은 글라스 프릿을 포함하는 태양전지
10 10
제6항 내지 제9항 중 어느 한 항에서,단위 면적당 상기 제1 금속 입자의 개수가 상기 제2 금속 입자의 개수보다 많은 태양전지
11 11
제10항에서,상기 제1 금속 입자 및 제2 금속 입자는 재결정화된 은(Ag)으로 각각 이루어지는 태양전지
12 12
제10항에서,상기 에미터부는 복수의 요철을 포함하는 텍스처링 표면으로 형성되는 태양전지
13 13
제10항에서,상기 전극부는 어느 한 방향으로 나란히 뻗은 복수의 전면 전극을 포함하는 태양전지
14 14
제13항에서,상기 전극부는 상기 전면 전극과 교차하는 방향으로 상기 전면 전극과 연결된 복수의 전면 전극용 집전부를 더 포함하는 태양전지
15 15
기판의 표면에 에미터부를 형성하는 단계;상기 에미터부 위에 제1 전극층을 형성하는 단계;상기 제1 전극층 위에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 반사방지막 위에 제2 전극층을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
16 16
제15항에서,상기 제1 전극층을 형성하는 단계는 나노 사이즈의 제1 금속 입자를 포함하는 전극 패턴을 형성하는 것을 포함하는 태양전지의 제조 방법
17 17
제16항에서,상기 제1 금속 입자를 포함하는 솔루션 또는 페이스트로 상기 전극 패턴을 형성하는 태양전지의 제조 방법
18 18
제17항에서,상기 전극 패턴은 금속 이온이 해리되어 있는 제1 솔루션(solution)을 상기 에미터부의 표면에 패턴 인쇄하는 단계; 및환원제를 포함하는 제2 솔루션을 상기 제1 솔루션 위에 분사하여 구 형상을 갖는 복수의 제1 금속 입자를 형성하는 단계에 따라 형성하는 태양전지의 제조 방법
19 19
제18항에서,상기 제1 솔루션은 질산은(AgNO3)과 물(H20) 및 계면활성제(surfactant)를 혼합하여 형성하는 태양전지의 제조 방법
20 20
제19항에서,상기 계면활성제로 폴리에틸렌 글리콜 및 폴리비닐 알코올을 포함하는 고분자계 비이온성(nonionic) 계면활성제를 사용하는 태양전지의 제조 방법
21 21
제20항에서,상기 제2 솔루션은 하이드라이진(N2H4)과 물 및 상기 계면활성제를 혼합하여 형성하는 태양전지의 제조 방법
22 22
제15항에서,상기 제2 금속층을 형성하는 단계는 상기 제1 금속 입자가 위치하는 영역의 반사방지막 위에 도전성 페이스트를 인쇄하는 단계; 및상기 도전성 페이스트를 건조 및 소성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조 방법
23 23
제22항에서,상기 도전성 페이스트를 소성하는 과정에서 납작한 형상을 갖는 복수의 제2 금속 입자를 형성하는 태양전지의 제조 방법
24 24
제22항에서,상기 도전성 페이스트를 인쇄하는 단계에서는 상기 패턴 인쇄된 제1 솔루션보다 큰 폭으로 도전성 페이스트를 인쇄하는 태양전지의 제조 방법
25 25
제15항 내지 제24항 중 어느 한 항에서,상기 에미터부를 형성하기 전에 상기 기판의 표면을 텍스처링 표면으로 형성하는 단계를 더 포함하는 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.