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태양전지 및 이의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015053372
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 태양전지는 기판; 기판 상에 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층;이 형성된 복수개의 셀을 포함하고, 상기 복수개의 셀의 각각의 폭을 W1이라 하고, 상기 윈도우층의 두께를 W2라 하였을 때, W2=A×W1의 식을 만족하고, 상기 A는 1×10-4 내지 1.7×10-4의 값을 갖는다.
Int. CL H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020110007530 (2011.01.25)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1189415-0000 (2012.10.02)
공개번호/일자 10-2012-0086217 (2012.08.02) 문서열기
공고번호/일자 (20121010) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.25)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최철환 대한민국 서울특별시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 중구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.25 수리 (Accepted) 1-1-2011-0061665-77
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.02.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0121172-47
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2012-0343877-10
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.04.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0343878-66
5 등록결정서
Decision to grant
2012.09.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0528290-16
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판; 기판 상에 후면전극층; 상기 후면전극층 상에 광 흡수층; 상기 광 흡수층 상에 버퍼층; 및 상기 버퍼층 상에 윈도우층;이 형성된 복수개의 셀을 포함하고, 상기 복수개의 셀의 각각의 폭을 W1이라 하고, 상기 윈도우층의 두께를 W2라 하였을 때,W2=A×W1의 식을 만족하고, 상기 A는 1×10-4 내지 1
2 2
제1항에 있어서,상기 윈도우층은 375nm 내지 1000nm의 두께로 형성되는 태양전지
3 3
제1항에 있어서,상기 윈도우층은 징크 옥사이드(zinc oxide), 인듐 틴 옥사이드(induim tin oxide;ITO), 인듐 징크 옥사이드(induim zinc oxide;IZO), 알루미늄 도핑된 징크 옥사이드(Al doped zinc oxide;AZO) 또는 갈륨 도핑된 징크 옥사이드(Ga doped zinc oxide;GZO) 중 적어도 하나를 포함하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서,상기 버퍼층과 윈도우층 사이에 형성되는 고저항 버퍼층을 포함하는 태양전지
5 5
제1항에 있어서,상기 복수개의 셀의 사이에 형성되는 관통홈들을 더 포함하고 상기 관통홈들은 80㎛ 내지 200㎛의 폭으로 형성되는 태양전지
6 6
기판 상에 이면전극층을 형성하는 단계;상기 이면전극층 상에 광 흡수층, 버퍼층 및 윈도우층을 형성하는 단계; 및,상기 광 흡수층, 버퍼층 및 윈도우층의 일부를 제거하여 다수 개의 윈도우들 및 복수개의 셀들(C1, C2
7 7
제6항에 있어서,상기 버퍼층과 윈도우층 사이에 고저항 버퍼층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 태양전지 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103339740 CN 중국 FAMILY
2 EP02619801 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 JP26503128 JP 일본 FAMILY
4 US20130220398 US 미국 FAMILY
5 WO2012102453 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN103339740 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN103339740 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2619801 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 JP2014503128 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 US2013220398 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2012102453 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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