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태양전지 제조방법

  • 기술번호 : KST2015053405
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따른 태양전지 제조방법은, 제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판 상에 에미터층을 형성하는 단계, 에미터층 상에 반사방지막을 형성하는 단계 및 기판의 전면 및 후면 상에 전면전극과 후면전극을 형성하는 단계를 포함하고, 에미터층을 형성하는 단계는, 기판에 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물을 도핑하는 제1 도핑 단계, 기판의 표면을 식각하는 단계 및 기판에 제2 도전형을 가지는 제2 불순물을 도핑하는 제2 도핑 단계를 포함할 수 있다. 이에 의해, 실리콘 반도체 기판 및 에미터층에 존재하는 불순물을 효과적으로 제거하여, 실리콘 반도체 기판 및 에미터층의 품질이 향상되고, 이에 따라 캐리어의 Life time이 증가할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0236 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01) H01L 31/02363(2013.01)
출원번호/일자 1020110006471 (2011.01.21)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0085067 (2012.07.31) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020160181365;
심사청구여부/일자 Y (2015.08.28)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권태영 대한민국 경상남도 창원시 성산구
2 곽계영 대한민국 경상남도 창원시 성산구
3 도영구 대한민국 경상남도 창원시 성산구
4 김성진 대한민국 경상남도 창원시 성산구
5 신명준 대한민국 경상남도 창원시 성산구
6 양영성 대한민국 경상남도 창원시 성산구
7 조해종 대한민국 경상남도 창원시 성산구
8 이만 대한민국 경상남도 창원시 성산구
9 최민호 대한민국 경상남도 창원시 성산구
10 정주화 대한민국 경상남도 창원시 성산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
최종권리자 정보가 없습니다
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.21 수리 (Accepted) 1-1-2011-0052790-65
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2015.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0838374-47
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0310779-77
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0624948-71
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.28 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0624941-52
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0760458-14
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.11.22 보정각하 (Rejection of amendment) 1-1-2016-1140699-12
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-1140698-66
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0861546-14
11 보정각하결정서
Decision of Rejection for Amendment
2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0861545-79
12 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2016.12.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-1286806-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형을 가지는 실리콘 반도체 기판 상에 에미터층을 형성하는 단계;상기 에미터층 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 및상기 기판의 전면 및 후면 상에 전면전극과 후면전극을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 에미터층을 형성하는 단계는,상기 제1 도전형과 반대의 제2 도전형을 가지는 제1 불순물을 도핑하는 제1 도핑 단계;상기 기판의 표면을 식각하는 단계; 및상기 기판에 상기 제2 도전형을 가지는 제2 불순물을 도핑하는 제2 도핑 단계;를 포함하는 태양전지 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 기판의 표면을 식각하는 단계는 상기 제1 불순물이 도핑된 상기 기판을 에칭용액에 침지하여 수행하는 태양전지 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 기판의 표면을 식각하는 단계와 상기 제2 도핑 단계 사이에, 부산물 층을 제거하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 제2 도핑 단계 후에, 부산물 층을 제거하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 상기 에미터층은 깊이에 따라 도핑 농도가 작아지는 태양전지 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 전면전극은 전면전극 페이스트를 상기 반사방지막 상에 인쇄하고 열처리 하여 형성하며, 상기 열처리시, 상기 전면전극이 상기 반사방지막을 관통하여 상기 에미터층과 접속하는 태양전지 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 후면전극은 후면전극 페이스트를 상기 기판의 후면에 도포하고 열처리 하여 형성하며, 상기 열처리시, 상기 기판과 상기 후면전극 사이에 후면 전계층이 형성되는 태양전지 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 에미터층을 형성하는 단계 전에, 상기 기판을 텍스쳐링 하는 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 기판의 전면과 후면을 절연하기 위한 홀을 형성하는 에지 아이솔레이션 단계를 포함하는 태양전지 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 제1 불순물과 상기 제2 불순물은 동일한 물질인 태양전지 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101976421 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.