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화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물

  • 기술번호 : KST2015053416
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  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 레졸시놀 모노머를 함유한 노보락계 중합체인 바인더 수지; 광산 발생제; 가교결합제; 및 용매를 포함하는 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 패턴 형성 방법에 관한 것이다.
Int. CL G03F 7/004 (2006.01) G03F 7/038 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01) G03F 7/0045(2013.01)
출원번호/일자 1020110014756 (2011.02.18)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2012-0095222 (2012.08.28) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.03.26)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김유나 대한민국 대전광역시 유성구
2 김경준 대한민국 대전광역시 유성구
3 정혜원 대한민국 대전광역시 서구
4 박찬효 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0119429-02
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.03.26 수리 (Accepted) 1-1-2013-0260770-00
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.17 수리 (Accepted) 9-1-2013-0107128-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.01.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0075056-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.03.31 수리 (Accepted) 1-1-2014-0310313-00
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.04.29 수리 (Accepted) 1-1-2014-0410873-68
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.04.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0410874-14
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.08.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0584794-86
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1026095-24
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.11.27 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2014-1154018-43
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.11.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-1154017-08
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
14 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.03.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0209560-04
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.04.28 수리 (Accepted) 1-1-2015-0413547-48
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2015.04.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0413548-94
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2015.06.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0380831-94
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
하기 화학식 1의 구조를 가지는 바인더 수지; 광산 발생제; 가교결합제; 및 용매를 포함하는 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 바인더 수지는 레졸시놀 모노머 반복 단위를 중합체 내에3~20중량% 함유하고,m-크레졸과 p-크레졸을 40:60 내지 60:40의 중량비로 포함하는 노볼락계 중합체인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 바인더 수지의 Tg는 130 내지 150℃인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
4 4
제 2 항에 있어서, 상기 노볼락계 중합체는 5,000 ~ 6,000의 중량 평균 분자량을 가지는 것인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 광산 발생제는 할로겐 함유 이미노술포네이트계 광산 발생제, 다이아조나프토퀴논-4-술포네이트계 또는 트리아진계 광산 발생제인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
6 6
제 5 항에 있어서, 상기 할로겐 함유 이미노술포네이트계 광산 발생제는 하기 화학식 2의 화합물인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물: [화학식 2]
7 7
제 5 항에 있어서, 상기 트리아진계 광산 발생제는 하기 화학식 3의 화합물인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물: [화학식 3]
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 가교결합제는 우레아-포름알데히드 올리고머, 멜라민-포름알데히드 올리고머, 벤조구아나민-포름알데히드 올리고머, 글리콜우릴-포름알데히드 올리고머 또는 헥사(메톡시메틸)멜라민 올리고머를 포함하는 것인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
9 9
제 9 항에 있어서, 상기 가교결합제는 하기 화학식 4의 화합물을 포함하는 것인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물: [화학식 4]
10 10
제 1 항에 있어서, 상기 용매는 에틸락테이트, 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(PGMEA), N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸설폭사이드(DMSO), 아세토니트릴, 디클림, 감마-부티로락톤, 페놀 및 시클로헥사논으로 이루어진 그룹에서 선택된 1종 이상의 유기 용매를 포함하는 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
11 11
제 1 항에 있어서, 상기 조성물은 염료 또는 계면 활성제를 더 포함하는 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
12 12
제 1 항에 있어서, 고형분 함량이 10 내지 40 중량%인 화학증폭형 네거티브 포토레지스트 조성물
13 13
제 1 항에 있어서, 상기 포토레지스트 조성물은 바인더 수지 함량을 기준으로 하여 광산 발생제 0
14 14
제 1 항에 있어서, 전자회로기판의 패턴 형성에 사용되는 포토레지스트 조성물
15 15
제 1 항의 포토레지스트 조성물을 기판 상에 도포하는 단계; 상기 기판을 프리베이크하는 단계;상기 프리베이크된 기판의 일정 영역을 노광하는 단계; 상기 노광된 기판을 열처리하는 단계; 및 비노광부의 조성물을 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 포토레지스트 패턴의 형성 방법
16 16
제 15항에 있어서, 상기 비노광부의 조성물의 현상 속도는 7000Å/s 내지 9000Å/s인 포토레지스트 패턴의 형성 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.