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광전지 모듈

  • 기술번호 : KST2015053464
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  • 전화번호 :
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요약 본 발명은 광전지 모듈에 관한 것이다. 본 발명에서는, 장기간 사용 또는 수분 침투 등에 의해 유발되는 모듈을 구성하는 층간 박리, 봉지재의 탈색 또는 변색이 방지될 수 있는 내구성이 우수한 광전지 모듈을 제공할 수 있다. 또한, 본 발명에서는 우수한 발전 효율을 가지는 광전지 모듈을 제공할 수 있다.
Int. CL H01L 31/048 (2014.01)
CPC H01L 31/0481(2013.01) H01L 31/0481(2013.01)
출원번호/일자 1020110008409 (2011.01.27)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1413892-0000 (2014.06.24)
공개번호/일자 10-2012-0086997 (2012.08.06) 문서열기
공고번호/일자 (20140701) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2013.01.22)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 고민진 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다나 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 *길 **, 신관 *층~*층, **층(역삼동, 광성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0068726-72
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0059949-15
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0835132-68
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2014-0083404-97
5 등록결정서
Decision to grant
2014.05.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0374794-61
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부 기판; 하부 기판; 및 상기 상부 기판 및 하부 기판의 사이에서 봉지재에 의해 봉지되어 있는 광전지 또는 광전지 어레이를 가지고,상기 봉지재는 아릴기 함유 실리콘 수지를 포함하는 제 1 층 및 수분 투과율이 1 내지 100 g/cm2ㆍday인 제 2 층을 가지는 광전지 모듈
2 2
제 1 항에 있어서, 제 1 층이 봉지재의 상부층을 형성하고, 제 2 층이 봉지재의 하부층을 형성하고 있는 광전지 모듈
3 3
제 1 항에 있어서, 제 1 층에 포함되는 아릴기 함유 실리콘 수지는 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 광전지 모듈:[일반식 1]X ≥ 0
4 4
제 3 항에 있어서, 아릴기 함유 실리콘 수지는, 하기 화학식 1의 평균 조성식으로 표시되는 수지로서, 하기 화학식 2 또는 하기 화학식 3의 실록산 단위를 포함하는 수지인 광전지 모듈: [화학식 1](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(SiO4/2)d [화학식 2](R7R8SiO2/2)[화학식 3](R9SiO3/2)상기 화학식 1 내지 3에서, R1 내지 R6는 규소 원자에 직접 결합하고 있는 치환기로서, 각각 독립적으로, 알킬, 아릴, 수소, 히드록시, 에폭시, 아크릴, 이소시아네이트, 알콕시, 또는 알케닐을 나타내고, R1 내지 R6 중 하나 이상은 아릴을 나타내며, a는 0 내지 0
5 5
제 4 항에 있어서, 아릴기 함유 실리콘 수지에 포함되는 전체 아릴기가 화학식 2의 실록산 단위 또는 화학식 3의 실록산 단위에 포함되는 광전지 모듈
6 6
제 5 항에 있어서, 화학식 2의 실록산 단위가 하기 화학식 4 또는 5의 실록산 단위이고, 화학식 3의 실록산 단위가 하기 화학식 6의 실록산 단위인 광전지 모듈: [화학식 4](MePhSiO2/2)[화학식 5](Ph2SiO2/2)[화학식 6](PhSiO3/2)상기 화학식 4 내지 6에서, Me는 메틸을 나타내고, Ph는 페닐을 나타낸다
7 7
제 1 항에 있어서, 아릴기 함유 실리콘 수지는, 중량평균분자량이 500 내지 200,000인 광전지 모듈
8 8
제 1 항에 있어서, 제 2 층은, 하기 일반식 3의 조건을 만족하는 아릴기 함유 실리콘 수지를 포함하는 광전지 모듈:[일반식 3]Y ≥ 0
9 9
제 8 항에 있어서, 제 2 층에 포함되는 아릴기 함유 실리콘 수지는 하기 화학식 7의 평균 조성식으로 표시되는 실리콘 수지인 광전지 모듈:[화학식 7](R10R11R12SiO1/2)e(R13R14SiO2/2)f(R15SiO3/2)g(SiO4/2)h 상기 화학식 7에서, R10 내지 R15는 규소 원자에 직접 결합하고 있는 치환기로서, 각각 독립적으로, 알킬, 아릴, 수소, 히드록시, 에폭시, 아크릴, 이소시아네이트, 알콕시, 또는 알케닐을 나타내고, R10 내지 R15 중 하나 이상은 아릴이며, e는 0 내지 0
10 10
제 9 항에 있어서, 제 2 층에 포함되는 실리콘 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 실록산 단위 또는 하기 화학식 9로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 광전지 모듈:[화학식 8]R16R17SiO2/2[화학식 9]R18SiO3/2상기 화학식 8 및 9에서, R16 및 R17는, 각각 독립적으로 알킬 또는 아릴이고, R16 및 R17 중 적어도 하나는 아릴이며, R18는 아릴이다
11 11
제 10 항에 있어서, 화학식 8의 실록산 단위가 하기 화학식 10 또는 11의 실록산 단위이고, 화학식 9의 실록산 단위가 하기 화학식 12의 실록산 단위인 광전지 모듈: [화학식 10](MePhSiO2/2)[화학식 11](Ph2SiO2/2)[화학식 12](PhSiO3/2)상기 화학식 10 내지 12에서, Me는 메틸을 나타내고, Ph는 페닐을 나타낸다
12 12
제 9 항에 있어서, 화학식 7의 평균 조성식으로 표시되는 실리콘 수지는, 중량평균분자량이 500 내지 200,000인 광전지 모듈
13 13
제 1 항에 있어서, 제 2 층은, EVA(ethylene vinyl acetate)계 또는 폴리올레핀계 고분자 수지를 포함하는 광전지 모듈
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.