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상부 기판; 하부 기판; 및 상기 상부 기판 및 하부 기판의 사이에서 봉지재에 의해 봉지되어 있는 광전지 또는 광전지 어레이를 가지고,상기 봉지재는 아릴기 함유 실리콘 수지를 포함하는 제 1 층 및 수분 투과율이 1 내지 100 g/cm2ㆍday인 제 2 층을 가지는 광전지 모듈
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제 1 항에 있어서, 제 1 층이 봉지재의 상부층을 형성하고, 제 2 층이 봉지재의 하부층을 형성하고 있는 광전지 모듈
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3
제 1 항에 있어서, 제 1 층에 포함되는 아릴기 함유 실리콘 수지는 하기 일반식 1의 조건을 만족하는 광전지 모듈:[일반식 1]X ≥ 0
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4 |
4
제 3 항에 있어서, 아릴기 함유 실리콘 수지는, 하기 화학식 1의 평균 조성식으로 표시되는 수지로서, 하기 화학식 2 또는 하기 화학식 3의 실록산 단위를 포함하는 수지인 광전지 모듈: [화학식 1](R1R2R3SiO1/2)a(R4R5SiO2/2)b(R6SiO3/2)c(SiO4/2)d [화학식 2](R7R8SiO2/2)[화학식 3](R9SiO3/2)상기 화학식 1 내지 3에서, R1 내지 R6는 규소 원자에 직접 결합하고 있는 치환기로서, 각각 독립적으로, 알킬, 아릴, 수소, 히드록시, 에폭시, 아크릴, 이소시아네이트, 알콕시, 또는 알케닐을 나타내고, R1 내지 R6 중 하나 이상은 아릴을 나타내며, a는 0 내지 0
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5 |
5
제 4 항에 있어서, 아릴기 함유 실리콘 수지에 포함되는 전체 아릴기가 화학식 2의 실록산 단위 또는 화학식 3의 실록산 단위에 포함되는 광전지 모듈
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6
제 5 항에 있어서, 화학식 2의 실록산 단위가 하기 화학식 4 또는 5의 실록산 단위이고, 화학식 3의 실록산 단위가 하기 화학식 6의 실록산 단위인 광전지 모듈: [화학식 4](MePhSiO2/2)[화학식 5](Ph2SiO2/2)[화학식 6](PhSiO3/2)상기 화학식 4 내지 6에서, Me는 메틸을 나타내고, Ph는 페닐을 나타낸다
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7
제 1 항에 있어서, 아릴기 함유 실리콘 수지는, 중량평균분자량이 500 내지 200,000인 광전지 모듈
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8
제 1 항에 있어서, 제 2 층은, 하기 일반식 3의 조건을 만족하는 아릴기 함유 실리콘 수지를 포함하는 광전지 모듈:[일반식 3]Y ≥ 0
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9
제 8 항에 있어서, 제 2 층에 포함되는 아릴기 함유 실리콘 수지는 하기 화학식 7의 평균 조성식으로 표시되는 실리콘 수지인 광전지 모듈:[화학식 7](R10R11R12SiO1/2)e(R13R14SiO2/2)f(R15SiO3/2)g(SiO4/2)h 상기 화학식 7에서, R10 내지 R15는 규소 원자에 직접 결합하고 있는 치환기로서, 각각 독립적으로, 알킬, 아릴, 수소, 히드록시, 에폭시, 아크릴, 이소시아네이트, 알콕시, 또는 알케닐을 나타내고, R10 내지 R15 중 하나 이상은 아릴이며, e는 0 내지 0
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10
제 9 항에 있어서, 제 2 층에 포함되는 실리콘 수지는 하기 화학식 8로 표시되는 실록산 단위 또는 하기 화학식 9로 표시되는 실록산 단위를 포함하는 광전지 모듈:[화학식 8]R16R17SiO2/2[화학식 9]R18SiO3/2상기 화학식 8 및 9에서, R16 및 R17는, 각각 독립적으로 알킬 또는 아릴이고, R16 및 R17 중 적어도 하나는 아릴이며, R18는 아릴이다
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11
제 10 항에 있어서, 화학식 8의 실록산 단위가 하기 화학식 10 또는 11의 실록산 단위이고, 화학식 9의 실록산 단위가 하기 화학식 12의 실록산 단위인 광전지 모듈: [화학식 10](MePhSiO2/2)[화학식 11](Ph2SiO2/2)[화학식 12](PhSiO3/2)상기 화학식 10 내지 12에서, Me는 메틸을 나타내고, Ph는 페닐을 나타낸다
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12
제 9 항에 있어서, 화학식 7의 평균 조성식으로 표시되는 실리콘 수지는, 중량평균분자량이 500 내지 200,000인 광전지 모듈
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13
제 1 항에 있어서, 제 2 층은, EVA(ethylene vinyl acetate)계 또는 폴리올레핀계 고분자 수지를 포함하는 광전지 모듈
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